一种太阳能电池选择性发射极的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种太阳能电池选择性发射极的制备方法，该方法分别通过不同的扩散源对轻、重掺杂区域进行控制，使得轻、重掺杂区域在制备过程中能够灵活调节，从而获得更好性能的发射极。包括以下步骤：（1）提供硅基体；（2）在硅基体表面的非金属接触区域上设置含掺杂源扩散阻挡层，含掺杂源扩散阻挡层包括含有掺杂源的掺杂层，以及设置在掺杂层上的阻挡层；（3）对硅基体进行掺杂并使掺杂层中的掺杂源进入非金属接触区域，在硅基体表面设置有含源硅玻璃层的非金属接触区域形成选择性发射极的轻掺杂区域，在硅基体表面未设置含源硅玻璃层的金属接触区域形成选择性发射极的重掺杂区域。

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池选择性发射极的制备方法
本专利技术属于太阳能光伏组件领域，具体涉及一种太阳能电池选择性发射极的制备方法。
技术介绍
太阳能电池是一种将光能转化为电能的半导体器件，更低的生产成本和更高的能量转化效率一直是太阳能电池工业追求的目标。要想获得高效率的太阳能电池，其表面必须具有良好的钝化和较低的表面复合速率，从而获得较高的开压、电流和效率。而在现有的普通晶硅太阳能电池制备技术中，普遍采用均匀掺杂的发射极。为了降低发射极的表面复合，提升晶硅太阳能电池的短波响应，必须降低发射极的表面掺杂浓度；然而，为了降低金属接触复合和接触电阻，则必须提高发射极的表面掺杂浓度。为了解决这一矛盾的技术问题，选择性发射极(SelectiveEmitter)是一个非常好的选择，其具体结构是：(1)在电极栅线以下及其附近区域形成重掺杂区，以提高开路电压，降低接触电阻，提高填充因子；(2)在非栅线区域形成浅掺杂区，以获得较好的表面钝化效果，提高短波响应和载流子收集率，从而提高短路电流。在现有技术中，普通晶硅太阳能电池选择性发射极的制备方法主要分为两次扩散工艺和一次扩散工艺。其中，两次扩散工艺主要是先在晶体硅本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳能电池选择性发射极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）提供硅基体，所述硅基体的表面包括用于与金属接触电极接触的金属接触区域和位于所述金属接触区域以外的非金属接触区域；（2）在所述硅基体表面的非金属接触区域上设置含掺杂源扩散阻挡层，所述含掺杂源扩散阻挡层包括含有掺杂源的掺杂层，以及设置在所述掺杂层上的阻挡层；（3）对硅基体进行掺杂并使所述掺杂层中的掺杂源进入所述非金属接触区域，在硅基体表面设置有含源硅玻璃层的非金属接触区域形成选择性发射极的轻掺杂区域，在硅基体表面未设置含源硅玻璃层的金属接触区域形成选择性发射极的重掺杂区域。

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池选择性发射极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）提供硅基体，所述硅基体的表面包括用于与金属接触电极接触的金属接触区域和位于所述金属接触区域以外的非金属接触区域；（2）在所述硅基体表面的非金属接触区域上设置含掺杂源扩散阻挡层，所述含掺杂源扩散阻挡层包括含有掺杂源的掺杂层，以及设置在所述掺杂层上的阻挡层；（3）对硅基体进行掺杂并使所述掺杂层中的掺杂源进入所述非金属接触区域，在硅基体表面设置有含源硅玻璃层的非金属接触区域形成选择性发射极的轻掺杂区域，在硅基体表面未设置含源硅玻璃层的金属接触区域形成选择性发射极的重掺杂区域。2.根据权利要求1所述的太阳能电池选择性发射极的制备方法，其特征在于，所述掺杂层为含掺杂源硅玻璃薄膜，所述阻挡层为氧化硅薄膜。3.根据权利要求2所述的太阳能电池选择性发射极的制备方法，其特征在于，所述含掺杂源硅玻璃薄膜的厚度为10纳米至100纳米，作为所述阻挡层的氧化硅薄膜的厚度为30纳米至100纳米。4.根据权利要求1所述的太阳能电池选择性发射极的制备...

【专利技术属性】
技术研发人员：张俊兵，王玉林，陈泉阳，
申请(专利权)人：晶澳太阳能有限公司，晶澳扬州太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：河北,13