半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术的实施例提供了半导体器件及其制造方法。根据一些实施例，在半导体器件上方形成通孔，其中，半导体器件密封在密封剂内。金属化层和第二通孔形成在第一通孔上方并且与第一通孔电连接，以及使用相同的晶种层形成金属化层和第二通孔。实施例包括完全接合的通孔、与晶种层接触的部分接合的通孔以及不与晶种层接触的部分接合的通孔。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法
本专利技术的实施例总体涉及半导体领域，更具体地，涉及半导体器件及其制造方法。
技术介绍
由于各个电组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的持续改进，半导体工业已经经历了快速增长。对于大部分而言，这种集成密度的改进来自于最小部件尺寸的连续减小(例如，朝向亚20nm节点缩小半导体工艺节点)，这使得更多的组件集成到给定的区域。随着近来对小型化、更高的速度和更大的带宽以及更低的功耗和等待时间的需求的增长，对于半导体管芯的更小且更具创造性的封装技术的需求也已增长。随着半导体技术的进一步发展，堆叠和接合的半导体器件作为进一步减小半导体器件的物理尺寸的有效可选方式出现。在堆叠式半导体器件中，至少部分地在不同的半导体衬底上制造有源电路(诸如逻辑、存储器、处理器电路等)，然后将这些有源电路物理和电接合在一起以形成功能器件。这种接合工艺利用复杂的技术，并且期望改进。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面，提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：形成至密封在密封剂中的第一半导体器件的第一通孔；在所述第一通孔上方形成晶种层；在所述晶种层上方形成金属化层，所述金属本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：形成至密封在密封剂中的第一半导体器件的第一通孔；在所述第一通孔上方形成晶种层；在所述晶种层上方形成金属化层，所述金属化层具有第一宽度；以及在所述金属化层上方形成第二通孔，所述第二通孔具有小于所述第一宽度的第二宽度，其中，形成所述金属化层和形成所述第二通孔均利用所述晶种层。

【技术特征摘要】
2017.09.27 US 62/564,134;2018.07.06 US 16/028,8741.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：形成至密封在密封剂中的第一半导体器件的第一通孔；在所述第一通孔上方形成晶种层；在所述晶种层上方形成金属化层，所述金属化层具有第一宽度；以及在所述金属化层上方形成第二通孔，所述第二通孔具有小于所述第一宽度的第二宽度，其中，形成所述金属化层和形成所述第二通孔均利用所述晶种层。2.根据权利要求1所述的方法，还包括：形成第三通孔；靠近所述第三通孔放置所述第一半导体器件；以及密封所述第三通孔和所述第一半导体器件以形成密封在所述密封剂中的所述第一半导体器件。3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第二通孔形成完全置放的通孔。4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第二通孔形成部分置放的通孔。5.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上方的第一通孔上方沉积晶种层，所述第一通孔电连接至第一管芯的第一外部连接件，所述第一管芯密封在密封剂内；在所述晶种层上方的第一光刻胶中图案化第一开口；利用所述晶种层在所述第一光刻胶的所述第一开口内电镀第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：余振华，蔡惠榕，郭宏瑞，刘重希，普翰屏，柯亭竹，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71