一种晶圆工作台清洁系统技术方案

本实用新型专利技术提供一种晶圆工作台清洁系统，其中，晶圆工作台清洁系统包括：研磨块及清洗液喷头；研磨块位于晶圆工作台的上方，用以对晶圆工作台进行研磨，研磨块的研磨面与晶圆工作台平行设置，自研磨面向研磨块内部延伸包含至少一个研磨块通孔；清洗液喷头位于研磨块通孔内，与研磨块通孔的侧壁非接触，用以对所述晶圆工作台喷涂清洗液。本实用新型专利技术通过研磨块及清洗液喷头，可提高晶圆工作台的清洁效果及清洁效率；提高晶圆工作台的洁净度及平整度，从而提高产品质量；降低对晶圆工作台的损伤，延长晶圆工作台的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆工作台清洁系统
本技术属于半导体集成电路领域，涉及一种晶圆工作台清洁系统。
技术介绍
在半导体集成电路领域中，半导体集成电路中的电路图案，通常是采用光刻工艺制备获得，光刻工艺一直被认为是集成电路制造中最关键的步骤，其在整个工艺过程中需要被多次使用，对产品的质量有着重要的影响。光刻工艺是一个复杂的过程，主要包括以下步骤：首先在基底上形成待刻蚀薄膜层，再使用涂胶机，在待刻蚀薄膜层上涂布(Coating)光刻胶，并通过曝光机将光经过具有一定图形的掩膜版照射在光刻胶上使其曝光(Exposure)，而后利用显影液对光刻胶进行显影(Developing)，从而将掩膜版中的图形转移到光刻胶上形成光刻胶图案，最后在光刻胶图案的保护下对待刻蚀薄膜层进行刻蚀(Etch)工艺，从而将光刻胶图案转移到待刻蚀薄膜层中，图形化薄膜层获得电路图案。现有的半导体集成电路中，晶圆在进入光刻机之前，背面常常残留有不需要的污染物，该部分污染物在晶圆曝光的过程中，污染物会掉落粘附在晶圆工作台的表面，降低晶圆工作台的洁净度，且污染物可能会转移到下一片放置于晶圆工作台上的晶圆的背面，扩大晶圆的污染范围。该部分污染物还会降低晶圆工作台的平整度，使得晶圆在进行曝光过程中发生离焦现象，影响产品质量。该部分污染物经过长期的堆积，还可能造成昂贵的晶圆工作台的损坏，造成资源的浪费。因此，为提高晶圆工作台的平整度及洁净度，工作人员通常采用干式机械研磨法以去除位于晶圆工作台的表面的污染物，但干式机械研磨法去除污染物的效果较差，尤其当污染物的区域范围较大时，有时需要进行多次重复研磨或采用手动研磨以达到较佳的清洁效果，采用多次重复研磨或手动研磨，耗时较长，使得清洁效率降低，且会增加对晶圆工作台的损伤，缩短晶圆工作台的使用寿命，造成资源的浪费。因此，有必要提供一种新型的晶圆工作台清洁系统，用于解决现有生产工艺中，在清洁晶圆工作台时所带来的上述一系列问题。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种晶圆工作台清洁系统，用于解决现有技术中在清洁晶圆工作台时，所带来的清洁效果差、清洁效率低及缩短晶圆工作台的使用寿命的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种晶圆工作台清洁系统，所述晶圆工作台清洁系统包括：研磨块，位于所述晶圆工作台的上方，用以对所述晶圆工作台进行研磨，所述研磨块的研磨面与所述晶圆工作台平行设置，自所述研磨面向所述研磨块内部延伸包含至少一个研磨块通孔；清洗液喷头，位于所述研磨块通孔内，与所述研磨块通孔的侧壁非接触，用以对所述晶圆工作台喷涂清洗液。可选的，所述晶圆工作台清洁系统还包括与所述研磨块相连接的连接部，所述连接部位于所述研磨块的上方，并包含与所述研磨块通孔相贯通的连接部通孔。可选的，所述连接部与所述研磨块的连接方式包括销连接、锁扣连接及螺纹连接中的一种。可选的，所述研磨块在所述晶圆工作台上的投影的形貌包括外径范围为10mm～35mm的圆环形。可选的，所述研磨块通孔的最小距离的范围包括4mm～10mm。可选的，所述研磨块通孔位于所述研磨块的中心。可选的，所述清洗液喷头包括内径范围为2mm～4mm的圆形喷头。可选的，所述清洗液喷头包括N个，其中N≥2。可选的，所述研磨块通孔的纵截面形貌包括方形及反“T”字形中的一种。可选的，所述研磨块的运行方式包括平移式及旋转式中的一种或组合。可选的，所述清洗液喷头包括固定式清洗液喷头及伸缩式清洗液喷头中的一种。可选的，所述晶圆工作台清洁系统还包括与所述清洗液喷头通过导管相连接的储液罐，所述储液罐与所述清洗液喷头之间还包括控制阀。可选的，所述晶圆工作台清洁系统还包括检测机构，所述检测机构位于所述晶圆工作台的上方。如上所述，本技术的晶圆工作台清洁系统，具有以下有益效果：通过研磨块及清洗液喷头，达到：1)提高晶圆工作台的清洁效果及清洁效率；2)提高晶圆工作台的洁净度及平整度，从而提高产品质量；3)降低对晶圆工作台的损伤，延长晶圆工作台的使用寿命。附图说明图1显示为本技术中的晶圆工作台清洁系统的剖面结构示意图。图2显示为图1中的研磨块的结构示意图。图3显示为本技术中的另一中研磨块的结构示意图。图4显示为本技术中的清洗液喷头的结构示意图。图5显示为本技术中的晶圆工作台清洁方法的工艺流程示意图。图6显示为本技术中的清洁晶圆工作台的操作流程示意图。元件标号说明100晶圆工作台101污染物200晶圆工作台清洁系统210研磨块211研磨块通孔220清洗液喷头221储液罐222导管230连接部231连接部通孔D1、D2、D3、D4直径H1、H2高度具体实施方式以下由特定的具体实施例说明本技术的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点及功效。请参阅图1至图6。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当亦视为本技术可实施的范畴。如图1所示，本技术提供一种晶圆工作台清洁系统200，所述晶圆工作台清洁系统200包括：研磨块210及清洗液喷头220，其中，所述研磨块210位于晶圆工作台100的上方，所述研磨块210的研磨面与所述晶圆工作台100平行设置，用以对所述晶圆工作台100进行研磨，自所述研磨面向所述研磨块210内部延伸包含至少一个研磨块通孔211；所述清洗液喷头220位于所述研磨块通孔211内，与所述研磨块通孔211的侧壁非接触，用以对所述晶圆工作台100喷涂清洗液。本技术通过所述研磨块210及清洗液喷头220，可提高对位于所述晶圆工作台100的上表面的污染物101的清洁效果及清洁效率；以提高所述晶圆工作台100的洁净度及平整度，从而提高产品质量；同时，降低对所述晶圆工作台100的损伤，延长所述晶圆工作台100的使用寿命。作为该实施例的进一步实施例，所述晶圆工作台清洁系统200还包括与所述研磨块210相连接的连接部230，所述连接部230位于所述研磨块210的上方，并包含与所述研磨块通孔211相贯通的连接部通孔231。具体的，如图1，所述研磨块210位于所述污染物101的上方，所述研磨块通孔211与所述连接部通孔231相贯通，从而形成可容纳所述清洗液喷头220的空间，且所述研磨块通孔211与所述连接部通孔231的侧壁均与所述清洗液喷头220非接触，从而避免所述研磨块210在与所述污染物101相接触进行研磨的过程中，对所述清洗液喷头220施加应力，损坏所述清洗液喷头220，从而达到保护所述清洗液喷头220的作用。作为该实施例的进一步实施例，所述连接部230与所述研磨块210的连接方式包括销连接、锁扣连接及螺纹连接中的一种。优选为连接本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆工作台清洁系统，其特征在于，所述晶圆工作台清洁系统包括：研磨块，位于所述晶圆工作台的上方，用以对所述晶圆工作台进行研磨，所述研磨块的研磨面与所述晶圆工作台平行设置，自所述研磨面向所述研磨块内部延伸包含至少一个研磨块通孔；清洗液喷头，位于所述研磨块通孔内，与所述研磨块通孔的侧壁非接触，用以对所述晶圆工作台喷涂清洗液。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆工作台清洁系统，其特征在于，所述晶圆工作台清洁系统包括：研磨块，位于所述晶圆工作台的上方，用以对所述晶圆工作台进行研磨，所述研磨块的研磨面与所述晶圆工作台平行设置，自所述研磨面向所述研磨块内部延伸包含至少一个研磨块通孔；清洗液喷头，位于所述研磨块通孔内，与所述研磨块通孔的侧壁非接触，用以对所述晶圆工作台喷涂清洗液。2.根据权利要求1所述的晶圆工作台清洁系统，其特征在于：所述晶圆工作台清洁系统还包括与所述研磨块相连接的连接部，所述连接部位于所述研磨块的上方，并包含与所述研磨块通孔相贯通的连接部通孔。3.根据权利要求2所述的晶圆工作台清洁系统，其特征在于：所述连接部与所述研磨块的连接方式包括销连接、锁扣连接及螺纹连接中的一种。4.根据权利要求1所述的晶圆工作台清洁系统，其特征在于：所述研磨块在所述晶圆工作台上的投影的形貌包括外径范围为10mm～35mm的圆环形。5.根据权利要求1所述的晶圆工作台清洁系统，其特征在于：所述研磨块通孔的最小距离的范围包括4mm～10mm。6.根据权利要求1所述的晶圆工作...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34