一种透明导电膜、其制备方法及含此透明导电膜的LED芯片技术

本发明专利技术提供一种透明导电膜，包括透明导电膜本体和铝膜层，铝膜层上具有微孔结构，应用本发明专利技术的技术方案，效果是：铝膜层具有微孔结构，且微孔结构包括纳米量级的孔，铝所具有的高反射性能结合纳米量级孔(形成纳米窗口)，光会在纳米窗口两端来回震荡，与纳米窗口相匹配的波长的光得到了增强，从纳米孔中传播出去，另一方面在纳米孔的两端存在等离子体，产生区域电磁场，在纳米孔中震荡的电磁波还会被磁场放大，传出铝膜表面，整个透明导电膜的透射率得到增强，从而能够提高亮度。本发明专利技术还公开一种上述透明导电膜的制备方法，工艺步骤精简，工艺参数容易控制。本发明专利技术还公开一种LED芯片，包含外延片和上述透明导电膜，LED芯片的亮度高，电压低。

A transparent conductive film, its preparation method and LED chip containing the transparent conductive film

The present invention provides a transparent conductive film, including transparent conductive film body and aluminium film layer, with micro-porous structure on the aluminium film layer. The technical scheme of the invention has the effect that the aluminium film layer has micro-porous structure, and the micro-porous structure includes nano-scale holes. The high reflectivity of aluminium combined with nano-scale holes (forming nano-window) can cause light to oscillate at both ends of the nano-window. On the other hand, plasma exists at both ends of the nanopore, which generates a regional electromagnetic field. The electromagnetic wave oscillating in the nanopore will be amplified by the magnetic field, and the transmission of the entire transparent conductive film will be enhanced, which can improve the brightness. The invention also discloses a preparation method of the transparent conductive film, the process steps are simplified and the process parameters are easy to control. The invention also discloses an LED chip, which comprises an epitaxy chip and the transparent conductive film. The LED chip has high brightness and low voltage.

【技术实现步骤摘要】
一种透明导电膜、其制备方法及含此透明导电膜的LED芯片
本专利技术涉及半导体
，特别地，涉及一种透明导电膜、其制备方法及含此透明导电膜的LED芯片。
技术介绍
面对越来越激烈的LED芯片行业市场竞争，提升芯片产品的竞争力则是我们的当务之急。而LED芯片亮度是LED芯片产品竞争力最重要的衡量指标，如何能在现有的基础上提升芯片亮度，是增加芯片竞争力永恒话题。现有的提高芯片亮度的方法有：专利号为201711435555.9的专利技术申请公开了一种异型低电压高亮度LED芯片的制备方法，包括：蓝宝石衬底层、成核层、第一半导体层、发光层、第二半导体层；其中LED芯片的第一半导体层、发光层、第二半导体层按田字平均分成四个区，LED芯片中间蚀刻有第二半导体层的平台，在LED芯片第二半导体层平台上设置有一个第二电极。结构简单，简化了制备工艺，同时降低了电压、提高了亮度。申请号为201720311338.8的技术专利提供了一种高亮度LED芯片结构，该高亮度LED芯片结构在厚度方向依次包括衬底、缓冲层、N型GaN层、量子阱层及P型GaN层，N型GaN层为包括上台阶部和下台阶部的台阶型结构，量子阱层及本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种透明导电膜，其特征在于：包括透明导电膜本体(1)以及设置在所述透明导电膜本体(1)之上的具有微孔结构的铝膜层(2)；所述微孔结构的孔径为纳米量级的孔。

【技术特征摘要】
1.一种透明导电膜，其特征在于：包括透明导电膜本体(1)以及设置在所述透明导电膜本体(1)之上的具有微孔结构的铝膜层(2)；所述微孔结构的孔径为纳米量级的孔。2.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于：所述微孔结构的孔径为3.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于：所述透明导电膜本体(1)为氧化铟锡膜层，其表面的平整度为0.2-20微米，致密性为1.8-1.9。4.根据权利要求3所述的透明导电膜，其特征在于：所述氧化铟锡膜层通过磁控溅射方式获得。5.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于：所述铝膜层(2)的厚度为6.一种透明导电膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤一、制作透明导电膜本体(1)；步骤二、在透明导电膜本体(1)上制作铝膜；步骤三、在氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：何鹏，徐平，
申请(专利权)人：湘能华磊光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南,43