LED芯片制造技术

本实用新型专利技术揭示了一种LED芯片，包括衬底及位于衬底上的LED外延结构，LED芯片还包括位于外延结构上方的透明导电层及钝化层，透明导电层及钝化层的至少其中之一上具有若干开槽。本实用新型专利技术的透明导电层和/或钝化层具有开槽，开槽可以改变光的出射角度，提高光的漫反射几率，进而提升LED芯片的发光亮度。

LED chip

The utility model discloses an LED chip, which comprises a substrate and an LED epitaxial structure on the substrate. The LED chip also comprises a transparent conductive layer and a passivation layer located above the epitaxial structure, and at least one of the transparent conductive layer and the passivation layer is provided with a number of slots. The transparent conductive layer and/or passivation layer of the utility model have slots, which can change the light emission angle, improve the diffuse reflection probability of the light, and thereby enhance the luminous brightness of the LED chip.

【技术实现步骤摘要】
LED芯片
本技术涉及半导体发光器件
，尤其涉及一种LED芯片。
技术介绍
发光二极管(Light-EmittingDiode，LED)是一种能发光的半导体电子元件。这种电子元件早在1962年出现，早期只能发出低光度的红光，之后发展出其他单色光的版本，时至今日能发出的光已遍及可见光、红外线及紫外线，光度也提高到相当的光度。而用途也由初时作为指示灯、显示板等；随着技术的不断进步，发光二极管已被广泛的应用于显示器、电视机采光装饰和照明。目前，实现高亮度LED的关键包括IQE&EQE，GaN基体LED器件的内部量子效率，取决于外延层的晶体结构；外部量子效率取决于制程端的光提取效率。由于GaN自身及外部界面造成的高折射率会引发光子重新吸收的反效应，LED器件的光提取效率一直不高。现有技术中，ITO(铟锡金属氧化物)作为LED芯片常用的透明导电薄膜，具有很好的导电性和高透过率，但是ITO处于平面结构，光子在出光界面很容易产生全反射，一定程度上降低了光提取效率。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种LED芯片。为实现上述技术目的之一，本技术一实施方式提供一种LED芯片，包括衬底及位于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LED芯片，包括衬底及位于所述衬底上的LED外延结构，其特征在于，所述LED芯片还包括位于所述外延结构上方的透明导电层及钝化层，所述透明导电层及所述钝化层的至少其中之一上具有若干开槽。

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片，包括衬底及位于所述衬底上的LED外延结构，其特征在于，所述LED芯片还包括位于所述外延结构上方的透明导电层及钝化层，所述透明导电层及所述钝化层的至少其中之一上具有若干开槽。2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述透明导电层上具有第一开槽，所述钝化层上具有第二开槽。3.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述第一开槽与所述第二开槽相互错开设置。4.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述第一开槽和/或所述第二开槽为周期性半球状开槽。5...

【专利技术属性】
技术研发人员：李庆，刘佳擎，张振，
申请(专利权)人：聚灿光电科技宿迁有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32