LED芯片制造技术

本发明专利技术公开了一种LED芯片，LED芯片从下向上依次包括：衬底；N型半导体层；发光层；P型半导体层；透明导电层；纳米金属层，所述纳米金属层包括若干纳米金属颗粒；P电极及N电极。本发明专利技术在氧气氛中制备透明导电层，氧组分的增加可以减少透明导电层的缺陷，提高了透明导电层的透光率；同时，能够有效增加透明导电层与P型半导体层的接触电阻。纳米银层层能够有效降低透明导电层的体电阻；同时，纳米银层与透明导电层相结合，能够提高透明导电层的电流横向扩展能力，纳米银颗粒能够有效反射荧光粉回射的光，从而提高LED芯片的亮度。

LED chip

The invention discloses an LED chip, which comprises a substrate, a N-type semiconductor layer, a luminescent layer, a P-type semiconductor layer, a transparent conductive layer and a nano-metal layer from bottom to top. The nano-metal layer comprises several nano-metal particles, a P-electrode and a N-electrode. The transparent conductive layer is prepared in the oxygen atmosphere, and the increase of oxygen component can reduce the defect of the transparent conductive layer and improve the transmittance of the transparent conductive layer. At the same time, the contact resistance between the transparent conductive layer and the P-type semiconductor layer can be effectively increased. Nano-silver layer can effectively reduce the bulk resistance of transparent conductive layer; at the same time, the combination of nano-silver layer and transparent conductive layer can improve the transverse current expansion ability of transparent conductive layer, and nano-silver particles can effectively reflect the light reflected by phosphors, thereby improving the brightness of LED chips.

【技术实现步骤摘要】
LED芯片
本专利技术涉及半导体发光器件
，尤其涉及一种LED芯片。
技术介绍
发光二极管(Light-EmittingDiode，LED)是一种能发光的半导体电子元件。这种电子元件早在1962年出现，早期只能发出低光度的红光，之后发展出其他单色光的版本，时至今日能发出的光已遍及可见光、红外线及紫外线，光度也提高到相当的光度。而用途也由初时作为指示灯、显示板等；随着技术的不断进步，发光二极管已被广泛的应用于显示器、电视机采光装饰和照明。现有技术中，参图1所示，以蓝宝石衬底GaN外延结构LED芯片为例，通常包括衬底10’、N型半导体层20’、发光层30’、P型半导体层40’、电流阻挡层50’、透明导电层60’、钝化层70’、P电极81’和N电极82’等，其制备方法通常为：1)通过MOCVD在蓝宝石衬底上生长GaN外延；2)芯片正常MESA制作；3)电流阻挡层制作；4)透明导电层制作；5)制作SiO2钝化层、金属N电极和P电极。上述LED芯片电流阻挡层能够阻隔P电极下方P型半导体层和ITO透明导电层之间的电流，然而由于正常的ITO透明导电层中具有缺陷，且ITO透明导电层的体电阻较大本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LED芯片，其特征在于，所述LED芯片从下向上依次包括：衬底；位于所述衬底上的N型半导体层；位于所述N型半导体层上的发光层；位于所述发光层上的P型半导体层；位于所述P型半导体层上的透明导电层；位于所述透明导电层上的纳米金属层，所述纳米金属层包括若干纳米金属颗粒；与所述P型半导体层电性导通的P电极、以及与所述N型半导体层电性导通的N电极。

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片，其特征在于，所述LED芯片从下向上依次包括：衬底；位于所述衬底上的N型半导体层；位于所述N型半导体层上的发光层；位于所述发光层上的P型半导体层；位于所述P型半导体层上的透明导电层；位于所述透明导电层上的纳米金属层，所述纳米金属层包括若干纳米金属颗粒；与所述P型半导体层电性导通的P电极、以及与所述N型半导体层电性导通的N电极。2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述透明导电层为ITO、ZIT...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆远林，
申请(专利权)人：仪征市峰皓设备安装工程有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32