金属陶瓷复合料带结构及其制造方法与其发光二极管技术

本发明专利技术提供一种金属陶瓷复合料带结构及其制造方法与使用其的发光二极管。本发明专利技术提供的金属陶瓷复合料带结构包含一基板，该基板包含有一金属基层、以及设置于该金属基层外侧的陶瓷层，该基板上具有多个经由该基板加工形成并与该基板一体成形的芯片承载座。

Structure of Cermet Composite Material Belt and Its Manufacturing Method and Light Emitting Diode

The invention provides a metal-ceramic composite material belt structure, a manufacturing method and a light-emitting diode using the same. The metal-ceramic composite material belt structure provided by the invention comprises a substrate, which comprises a metal base and a ceramic layer arranged on the outer side of the metal base. The substrate has a plurality of chip bearing pedestals processed by the substrate and integrated with the substrate.

【技术实现步骤摘要】
金属陶瓷复合料带结构及其制造方法与其发光二极管
本专利技术涉及一种导线架的料带结构，特别是金属陶瓷复合料带结构，可用于制备发光二极管。
技术介绍
现今的发光二极管散热基板包含印刷电路板(PCB)、金属基印刷电路板(MetalCorePCB；MCPCB)及陶瓷基板(CeramicSubstrate)。其中，印刷电路板为最早使用的基板。目前，市场上大宗的散热基板主要为金属基印刷电路板(MCPCB)，其是一种以金属作为核心基板的印刷电路板，主要是将印刷电路板贴附在一金属基层上，以利用金属(铝或铜)加强导热及快速散热；常见的单面铝基板结构为铜箔、绝缘层及铝板。然而，金属基印刷电路板(MCPCB)的绝缘层为树脂绝缘层，因此在使用时仍有温度上的限制(一般为140℃)，在制造过程或使用时，反复的高温往往会造成绝缘层龟裂及剥离。近期，为改善散热及绝缘层龟裂问题，发展出使用陶瓷作为核心基板。陶瓷在高温及高湿度时，性能稳定，耐热性及热传导性也较高，因此是一种良好的散热材料，而陶瓷基板在金属线路布置时，包含有低温共烧结陶瓷(Low-TemperatureCo-firedCeramic，LTCC)、高温共烧结陶瓷(High-TemperatureCo-firedCeramic，HTCC)、直接覆铜基板(DirectPlateCopper，DPC)及直接接合铜基板(DirectBondedCopper，DPC)。然而，本专利技术者发现虽然陶瓷可改善散热性及无需使用环氧树脂绝缘层等问题，但却存有熔点及硬度过高的状况，并限制了核心基板的机械加工性，且陶瓷作为核心基板在物料及生产上有制造成本较高的问题。另外，无论是金属基印刷电路板或是陶瓷基板等作为发光二极管的导线支架时，在发光二极管制程中都需额外设置芯片承载座的杯体(或挡墙、承载墙、璧、灯杯)，即增加制程的程序，例如常见的技术手段为使用环氧树脂作为黏着剂将杯体黏着于核心基板上。
技术实现思路
为解决上述的问题，本专利技术提供一种金属陶瓷复合料带结构，包含一基板，该基板包含有一金属基层、以及设置于该金属基层外侧的陶瓷层，该基板上具有多个经由该基板加工形成并与该基板一体成形的芯片承载座。进一步地，该基板经由加工形成多个围绕于该芯片承载座周侧的缝隙，并在该缝隙之间具有连接该芯片承载座及该基板之间的连接单元。进一步地，该芯片承载座为经由冲压形成的封闭凸起单元。进一步地，该芯片承载座上具有一个或多个贯孔、以及一个或多个分别设置于该贯孔上的导接单元。进一步地，该芯片承载座的陶瓷层上具有一个或多个用以连接芯片的金属线路。本专利技术另提供一种金属陶瓷复合料带的制造方法，其包含有：提供一金属基层；在该金属基层表面形成陶瓷层；冲压该金属基层形成数组式凸起单元，并在该数组式凸起单元之间分别包围并形成多个供填胶的封闭空间，以构成多个芯片承载座。进一步地，包含将该金属基层依据数组切割多个缝隙，并保留一个或多个连接单元，以使该金属基层支持该芯片承载座。进一步地，该芯片承载座具有一个或多个贯孔，其中该贯孔的内侧设置有一陶瓷层包覆该贯孔内周侧的壁面，并有一个或多个分别设置于该贯孔上的导接单元。进一步地，该芯片承载座的陶瓷层上具有一个或多个用以连接芯片的金属线路。本专利技术另提供一种发光二极管，其包含如上所述的金属陶瓷复合料带结构，。是以，本专利技术比起熟知技术具有以下优异效果：1.本专利技术的一种金属陶瓷复合料带结构及其制造方法，不同于熟知的金属基印刷电路板或是陶瓷基板在发光二极管制程中，须使用黏着剂(例如环氧树脂黏着剂)等设置杯体(或挡墙、承载墙、璧、灯杯)形成芯片承载座，而经一体成形冲压得到封闭凸起结构形成芯片承载座，即减少制程程序，降低生产成本，且不会因有黏着剂等固化塑料而有反复高温黄化及脆化等问题，造成杯体脱离基板。2.本专利技术的金属陶瓷复合料带结构及其制造方法，使用金属基层作为核心基板，不同于使用陶瓷作为核心基板，即减少原料成本，且金属基层作为核心基板时在加工上具有较佳的机械强度及散热性等优势。3.本专利技术的发光二极管料带结构可用于封装水平结构芯片、垂直式芯片、或覆晶结构芯片的发光二极管，无结构上的限制。附图说明图1a，本专利技术的第一具体实施例提供的金属陶瓷复合料带结构的斜侧视结构示意图。图1b，本专利技术的第一具体实施例提供的金属陶瓷复合料带结构的剖面结构示意图。图2，本专利技术的第一具体实施例提供的金属陶瓷复合料带结构的制造方法的剖面流程图。图3，本专利技术的第一具体实施例提供的发光二极管的制造方法的剖面流程图。图4a，本专利技术的第一具体实施例提供的经封装的金属陶瓷复合料带结构的斜侧视结构示意图。图4b，本专利技术的第一具体实施例提供的发光二极管的斜侧视结构示意图。图5，本专利技术的第二具体实施例提供的金属陶瓷复合料带结构的斜侧视图。图6a，本专利技术的第二具体实施例提供的金属陶瓷复合料带结构的制造方法示意图的斜侧视流程图。图6b，本专利技术的第二具体实施例提供的金属陶瓷复合料带结构的制造方法示意图的俯视流程图。图6c，本专利技术的第二具体实施例提供的金属陶瓷复合料带结构的制造方法示意图的剖面流程图。图7a，本专利技术的第二具体实施例提供的发光二极管的制造方法的示意图的斜侧视流程图，(b)俯视流程图，(c)剖面流程图。图7b，本专利技术的第二具体实施例提供的发光二极管的制造方法的示意图的俯视流程图。图7c，本专利技术的第二具体实施例提供的发光二极管的制造方法的示意图的剖面流程图。图8a，本专利技术的第二具体实施例提供的经封装的金属陶瓷复合料带结构的斜侧视结构示意图。图8b，本专利技术的第二具体实施例提供的发光二极管的斜侧视结构示意图。附图标记说明：1料带结构1’经封装的料带结构2料带结构2’经封装的料带结构5基板7金属基层9陶瓷层11芯片承载座13缝隙15连接单元17凸起单元18线路19导接单元20贯孔23芯片24封装胶25发光二极管27发光二极管具体实施方式有关本专利技术的详细说明及
技术实现思路
，现就配合附图说明如下。再者，本专利技术中的附图，为说明方便，其比例、数量及形状未必照实际的比例、数量及形状绘制，该等图式及其比例、数量及形状并非用以限制本专利技术的范围，在此先行叙明。本专利技术提供一种金属陶瓷复合料带结构及其制造方法，以及使用其所制备的发光二极管。本专利技术的金属陶瓷复合料带结构，包含一基板，该基板包含有一金属基层、以及设置于该金属基层外侧的陶瓷层，该基板上具有多个经由该基板加工形成并与该基板一体成形的芯片承载座。本专利技术的一种金属陶瓷复合料带的制造方法，其包含有：提供一金属基层；在该金属基层表面形成陶瓷层；冲压该金属基层形成数组式凸起单元，并在该数组式凸起单元之间分别包围并形成多个供填胶的封闭空间，以构成多个芯片承载座。其中，该芯片承载座内设有导接结构，可用以使芯片导接链接芯片承载座以外的讯号，即导接后发光。所述的导接结构可为该芯片承载座上具有一个或多个贯孔、以及一个或多个分别设置于该贯孔上的导接单元，或该芯片承载座的陶瓷层上具有一个或多个用以连接芯片的金属线路。本专利技术所述的“金属基层”可为铜、铝、铜合金或铝合金，例如该铜合金包含铜锌合金、铜锡合金、铜铝合金、铜硅合金或铜镍合金等，且不限于此等；该铝合金包含铝硅合金、铝镁硅合金、铝铜合金、铝镁合金、铝锰合金、铝锌合金或铝锂合金，但且不限于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种金属陶瓷复合料带结构，其特征在于：包含一基板，该基板包含有一金属基层、以及设置于该金属基层外侧的陶瓷层，该基板上具有多个经由该基板加工形成并与该基板一体成形的芯片承载座。

【技术特征摘要】
1.一种金属陶瓷复合料带结构，其特征在于：包含一基板，该基板包含有一金属基层、以及设置于该金属基层外侧的陶瓷层，该基板上具有多个经由该基板加工形成并与该基板一体成形的芯片承载座。2.根据权利要求1所述的金属陶瓷复合料带结构，其特征在于：该基板经由加工形成多个围绕于该芯片承载座周侧的缝隙，并在该缝隙之间具有连接该芯片承载座及该基板之间的连接单元。3.根据权利要求1或2所述的金属陶瓷复合料带结构，其特征在于：该芯片承载座为经由冲压形成的封闭凸起单元。4.根据权利要求1或2所述的金属陶瓷复合料带结构，其特征在于：该芯片承载座上具有一个或多个贯孔、以及一个或多个分别设置于该贯孔上的导接单元。5.根据权利要求1或2所述的金属陶瓷复合料带结构，其特征在于：该芯片承载座的陶瓷层上具有一个或多个用以连接芯片的金属线路。6.一种金属陶瓷复合料带的制造方法，其特征在于：包含...

【专利技术属性】
技术研发人员：李宜臻，
申请(专利权)人：李宜臻，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71