薄膜元件制造技术

技术编号:20791642 阅读:31 留言:0更新日期:2019-04-06 07:12
本实用新型专利技术涉及薄膜元件。薄膜元件(101)具备:基材(1);布线导体膜(2),形成在基材(1)的表面;保护膜(3),至少覆盖在布线导体膜(2)的表面;外部电极(4);以及第一抗蚀剂膜(11)及第二抗蚀剂膜(12),覆盖在保护膜(3)的表面。保护膜(3)在从(Z)方向观察时与布线导体膜(2)重叠的位置具有接触孔(CH1),外部电极(4)形成在接触孔(CH1)内且形成在布线导体膜(2)的表面。外部电极(4)比保护膜(3)厚,具有侧面(S1)。第一抗蚀剂膜(11)与外部电极(4)的侧面(S1)的整周接触,第二抗蚀剂膜(12)与外部电极(4)的侧面(S1)及第一抗蚀剂膜(11)分离地配置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】薄膜元件
本技术涉及薄膜元件,特别是涉及例如具有基材、形成在基材上的布线导体膜以及形成在布线导体膜上的外部电极的薄膜元件。另外,涉及该薄膜元件的制造方法。
技术介绍
以往,已知有具备基材、形成在基材上的布线导体膜、形成在布线导体膜的表面的外部电极、覆盖在基材的表面以及布线导体膜的表面的抗蚀剂膜以及形成在外部电极的表面的焊料凸点的端子结构(专利文献1)。另外,如专利文献1所公开的那样,为了防止在将焊料等导电性接合材料与外部电极接合时,形成在基材上的布线导体膜、外部电极从基材剥离,一般使用在布线导体膜、外部电极的外缘覆盖抗蚀剂膜的方法(过抗蚀剂(overresist)处理)。但是,构成外部电极的Au容易被焊料润湿,在将焊料与外部电极接合时,有焊料浸入外部电极的表面与抗蚀剂层的界面,而外部电极的表面成为过抗蚀剂处理后的抗蚀剂层的剥离的起点的担心。另一方面,为了抑制这样的抗蚀剂层的剥离,也有在抗蚀剂层与外部电极之间设置规定间隔(间隙)的间隙抗蚀剂型的端子结构(专利文献2)。专利文献1:日本特开2012-74487号公报专利文献2:日本特开2013-98507号公报但是,在抗蚀剂层与外部电极之本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜元件,其特征在于,具备:基材;布线导体膜,形成在所述基材的表面;保护膜,至少覆盖在所述布线导体膜的表面,并且在俯视时与所述布线导体膜重叠的位置具有接触孔;外部电极,形成在所述接触孔内并且形成在所述布线导体膜的表面,比所述保护膜厚,具有侧面;以及第一抗蚀剂膜以及第二抗蚀剂膜,覆盖在所述保护膜的表面,所述第一抗蚀剂膜与所述外部电极的所述侧面的整周接触,所述第二抗蚀剂膜与所述外部电极的所述侧面以及所述第一抗蚀剂膜分离地配置,所述外部电极具有沿着所述侧面的整周而形成的檐部,所述第一抗蚀剂膜在俯视时与所述檐部重叠。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.10.30 JP 2015-2141821.一种薄膜元件,其特征在于,具备:基材;布线导体膜,形成在所述基材的表面;保护膜,至少覆盖在所述布线导体膜的表面,并且在俯视时与所述布线导体膜重叠的位置具有接触孔;外部电极,形成在所述接触孔内并且形成在所述布线导体膜的表面,比所述保护膜厚,具有侧面;以及第一抗蚀剂膜以及第二抗蚀剂膜,覆盖在所述保护膜的表面,所述第一抗蚀剂膜与所述外部电极的所述侧面的整周接触,所述第二抗蚀剂膜与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:中矶俊幸
申请(专利权)人:株式会社村田制作所
类型:新型
国别省市:日本,JP

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