金属配线的形成方法技术

实施方式提供一种能够以低成本形成金属配线的金属配线的形成方法。实施方式的金属配线的形成方法是在基板上形成第1绝缘层，使第1绝缘层的表面与包含具有三嗪骨架、硅烷醇基及烷氧基硅烷基中的任一个第1官能基、以及选自由氨基、硫醇基、羧基及叠氮基所组成的群中的至少一个第2官能基的化合物的溶液接触而形成催化剂吸附层，在催化剂吸附层上形成与第1绝缘层不同的第2绝缘层，使第2绝缘层图案化而形成掩模图案，以掩模图案为掩模，通过湿式蚀刻法对第1绝缘层进行蚀刻，选择性地在第1绝缘层被蚀刻的区域形成催化剂层，在催化剂层上通过无电镀法形成金属层。

【技术实现步骤摘要】
金属配线的形成方法[相关申请案]本申请享有以日本专利申请2017-180292号(申请日：2017年9月20日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。
本专利技术的实施方式涉及一种金属配线的形成方法。
技术介绍
在半导体装置中，为了获得例如晶体管、二极管等元件间的电连接而使用金属配线。又，存在为了半导体装置的多功能化或高集成化而使用基板贴合的情况。基板贴合是通过使形成在不同基板上的半导体装置积层并贴合而一体化。例如，通过使具有不同功能的半导体装置贴合，能够实现半导体装置的多功能化。又，例如，通过使具有同种功能的半导体装置贴合，能够实现半导体装置的高集成化。在基板贴合中，例如通过使形成在各基板的表面上的金属配线彼此直接接合，来获得积层的半导体装置间的电连接。为了半导体装置的低成本化，期望以低成本形成金属配线。又，期望能够以低成本实现基板贴合的金属配线的形成方法。
技术实现思路
本专利技术的实施方式提供一种能够以低成本形成金属配线的金属配线的形成方法。实施方式的金属配线的形成方法是在基板上形成第1绝缘层，使所述第1绝缘层的表面与包含具有三嗪骨架、硅烷醇基及烷氧本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种金属配线的形成方法，是在基板上形成第1绝缘层，使所述第1绝缘层的表面与包含具有三嗪骨架、硅烷醇基及烷氧基硅烷基中的任一个第1官能基、以及选自由氨基、硫醇基、羧基及叠氮基所组成的群中的至少一个第2官能基的化合物的溶液接触而形成催化剂吸附层，在所述催化剂吸附层上形成与所述第1绝缘层不同的第2绝缘层，使所述第2绝缘层图案化而形成掩模图案，以所述掩模图案为掩模，通过湿式蚀刻法对所述第1绝缘层进行蚀刻，选择性地在所述第1绝缘层被蚀刻的区域形成催化剂层，在所述催化剂层上通过无电镀法形成金属层。

【技术特征摘要】
2017.09.20 JP 2017-1802921.一种金属配线的形成方法，是在基板上形成第1绝缘层，使所述第1绝缘层的表面与包含具有三嗪骨架、硅烷醇基及烷氧基硅烷基中的任一个第1官能基、以及选自由氨基、硫醇基、羧基及叠氮基所组成的群中的至少一个第2官能基的化合物的溶液接触而形成催化剂吸附层，在所述催化剂吸附层上形成与所述第1绝缘层不同的第2绝缘层，使所述第2绝缘层图案化而形成掩模图案，以所述掩模图案为掩模，通过湿式蚀刻法对所述第1绝缘层进行蚀刻，选择性地在所述第1绝缘层被蚀刻的区域形成催化剂层，在所述催化剂层上通过无电镀法形成金属层。2.根据权利要求1所述的金属配线的形成方法，其中在形成所述金属层后，将所述掩模图案去除。3.根据权利要求1或2所述的金属配线的形成方法，其中所述化合物为下述式(1)所表示的化合物，式(1)中，A、B、C中的至少一个为所述第1官能基，至少一个为所述第2官能基，R1、R2、R3为任意存在的连接基，4.根据权利要求1或2所述的金属配线的形成方法，其中所述第2绝缘层为树脂。5.根据权利要求1或2所述的金属配线的形成方法，其中所述第2绝缘层为光致抗蚀剂。6.根据权利要求1或2所述的金属配线的形成方法，其中所述第1绝缘层为氧化物、氮化物、或氮氧化物。7.根据权利要求1或2所述的金属配线的形成方法，其中所述催化剂吸附层的膜厚为2nm以下。8.根据权利要求1或2所述的金属配线的形成方法，其中用于所述湿式蚀刻法的药液包含氟化氢、氟化铵、或磷酸。9.一种金属配线的形成方法，是在第1基板上形成第1绝缘层，使所述第1绝缘层的表面与包含具有三嗪骨架、硅烷醇基及烷氧基硅烷基中的任一个第1官能基、以及选自由氨基、硫醇基、羧基及叠氮基所组成的群中的至少一个第2官能基的化合物的溶液接触而形成催化剂吸附层，在所述催化剂吸附层上形成与所述第1绝缘层不同的第2绝缘层，使所述第2绝缘层图案化而形成掩模图案，以所述掩模图案为掩模，通过湿式蚀刻法对所述第1绝缘层进行蚀刻，选择性地在所述第1绝缘层被蚀刻的区域形成催化剂层，在所述催化剂层上通过无电镀法形成第1金属层，形成所述第1金属层后，将所述掩模图案去除，将所述第1基板...

【专利技术属性】
技术研发人员：日恵野敦，中西务，田中裕介，吉水康人，八甫谷明彦，
申请(专利权)人：东芝存储器株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP