制造半导体装置的方法制造方法及图纸

一种制造半导体装置的方法包含：在第一绝缘区域和紧邻所述第一绝缘区域的第一金属区域上形成第一金属膜，其中所述第一金属膜包括不同于所述第一金属区域的所述金属的金属；在第二绝缘区域和紧邻所述第二绝缘区域的第二金属区域上形成第二金属膜，其中所述第二金属膜包括不同于所述第二金属区域的所述金属的金属；使所述第一金属膜与所述第二金属膜相互接触；和热处理所述第一衬底与所述第二衬底，且由此将所述第一金属区域与所述第二金属区域相互电连接且同时在所述第一绝缘区域与所述第二绝缘区域之间形成绝缘界面膜。

Method of Manufacturing Semiconductor Devices

A method for manufacturing a semiconductor device includes: forming a first metal film on the first insulating region and the first metal region adjacent to the first insulating region, wherein the first metal film comprises metal different from the metal in the first metal region, and forming a second metal film on the second insulating region and the second metal region adjacent to the second insulating region. The second metal film includes metals different from the metal in the second metal region; contacts the first metal film with the second metal film; and heat treats the first and second substrates, thereby electrically connecting the first metal region with the second metal region and simultaneously connecting the first and second insulating regions with the second insulating region. Form an insulation mask.

【技术实现步骤摘要】
制造半导体装置的方法相关申请的交叉引用本申请是基于且要求来自2017年9月15日提交的日本专利申请第2017-178257号的优先权，所述申请的全部内容被以引用的方式并入本文中。
本文中所描述的实施例大体涉及一种制造半导体装置的方法。
技术介绍
已开发了接合多个半导体晶片和结合形成于相应半导体晶片的表面上的电极的技术(晶片到晶片(W2W)金属结合)。在此技术中，半导体晶片的表面上的电极内埋于绝缘膜中，并且然后在将其接合前暴露。因此，对准多个半导体晶片使得相应电极相互结合。然而，在所述半导体晶片上，邻近电极可经由结合界面而短路连接，或电极之间的时间相关介电击穿(TDDB)可恶化。这导致电特性和可靠性的恶化问题。另外，在即将执行结合之前的半导体晶片的表面上，暴露多种不同材料，例如，Cu电极和绝缘膜。因此，当执行等离子体处理、清洁等以便使绝缘膜的表面到适合于结合的状态中时，出现通过清洁而氧化电极表面或通过等离子体处理再溅镀电极材料的问题。
技术实现思路
实施例提供一种半导体装置的制造方法，其能够防止在接合多个半导体晶片时半导体装置的电特性和可靠性的恶化，且允许有助于适用于将装置接合在一起的对装本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造半导体装置的方法，其包括：提供包括第一表面的第一衬底，所述第一衬底包含第一绝缘区域和紧邻所述第一绝缘区域的至少一个第一金属区域；在所述第一绝缘区域和所述第一金属区域上形成第一金属膜，其中所述第一金属膜包括不同于所述第一金属区域的金属的金属；提供包括第二表面的第二衬底，所述第二衬底包含第二绝缘区域和紧邻所述第二绝缘区域的至少一个第二金属区域；在所述第二绝缘区域和所述第二金属区域上形成第二金属膜，其中所述第二金属膜包括不同于所述第二金属区域的金属的金属；使所述第一金属膜与所述第二金属膜相互接触，使得所述第一衬底的所述第一表面面向所述第二衬底的所述第二表面；以及热处理所述第一衬底和所述第...

【技术特征摘要】
2017.09.15 JP 2017-1782571.一种制造半导体装置的方法，其包括：提供包括第一表面的第一衬底，所述第一衬底包含第一绝缘区域和紧邻所述第一绝缘区域的至少一个第一金属区域；在所述第一绝缘区域和所述第一金属区域上形成第一金属膜，其中所述第一金属膜包括不同于所述第一金属区域的金属的金属；提供包括第二表面的第二衬底，所述第二衬底包含第二绝缘区域和紧邻所述第二绝缘区域的至少一个第二金属区域；在所述第二绝缘区域和所述第二金属区域上形成第二金属膜，其中所述第二金属膜包括不同于所述第二金属区域的金属的金属；使所述第一金属膜与所述第二金属膜相互接触，使得所述第一衬底的所述第一表面面向所述第二衬底的所述第二表面；以及热处理所述第一衬底和所述第二衬底，且由此将所述第一金属区域与所述第二金属区域相互电连接且同时在所述第一绝缘区域与所述第二绝缘区域之间形成绝缘界面膜。2.根据权利要求1所述的制造所述半导体装置的方法，其中所述第一金属区域的一部分面向所述第二绝缘区域。3.根据权利要求2所述的制造所述半导体装置的方法，其中第一阻挡层插入于所述第一金属区域与所述第一绝缘区域之间，且所述第一阻挡层的一部分延伸到在所述第一金属区域的相对侧上的所述第一衬底的所述第一表面；以及所述绝缘界面膜跨所述第一阻挡层的邻近所述第一金属区域的面向所述第二绝缘区域的所述部分的所述部分延伸。4.根据权利要求3所述的制造所述半导体装置的方法，其中所述第一阻挡层的延伸到所述第一衬底的所述第一表面、邻近所述第一金属区域的不面向所述第二绝缘区域的部分的所述部分不由所述绝缘膜覆盖。5.根据权利要求1所述的制造所述半导体装置的方法，进一步包括在使所述第一金属膜与所述第二金属膜相互接触前将第一金属膜和所述第二金属膜中的至少一个暴露于等离子体。6.根据权利要求1所述的制造所述半导体装置的方法，进一步包括在使所述第一金属膜与所述第二金属膜相互接触前清洁第一金属膜和所述第二金属膜中的至少一个或对第一金属膜和所述第二金属膜中的至少一个执行等离子体处理。7.根据权利要求1所述的制造所述半导体装置的方法，其中所述第一金属膜由比所述第一金属区域的所述金属易于氧化的金属形成；且所述第二金属膜由比所述第二金属区域的所述金属易于氧化的金属形成。8.根据权利要求1所述的制造所述半导体装置的方法，其中所述绝缘界面膜包括由所述第一和第二金属膜以及所述第一和第二绝缘区域的材料形成的化合物。9.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中所述电连接第一金属区域与所述第二金属区域包含在其中的所述第一和第二金属膜的材料。10.根据权利要求1所述的制造所述半导体装置的方法，其中所述第一金属膜和第二金属膜中的至少一个包括金属氧化物。11.根据权利要求1所述的制造所述半导体装置的方法，其中所述第一金属膜含有选自由Mn、Al、V、Zn、Nb、Zr、Cr、Y、Tc和Re组成的群组的至少一种金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：津村一道，东和幸，
申请(专利权)人：东芝存储器株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP