半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。要解决的课题为提高在衬底上形成的膜的阶梯被覆性。将于第二温度以上且低于第一温度的温度下对衬底供给不含卤素的原料从而形成第一层的工序实施规定次数，所述不含卤素的原料具有利用基于第一温度的热能而被切断的第一化学键、和利用基于比第一温度低的第二温度的热能而被切断的第二化学键，并且一分子中的第一化学键的数量相对于第二化学键的数量的比率为3以上。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质
本专利技术涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。
技术介绍
作为半导体器件的制造工序的一个工序，有时进行对衬底供给原料从而在衬底上形成膜的处理(例如，参见专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2010-153776号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题本专利技术的目的在于提高在衬底上形成的膜的阶梯被覆性。用于解决课题的手段根据本专利技术的一个方式，提供一种技术，其中，通过将于所述第二温度以上且低于所述第一温度的温度下对衬底供给不含卤素的原料从而形成第一层的工序实施规定次数，从而在所述衬底上形成膜，其中，所述不含卤素的原料具有利用基于第一温度的热能而被切断的第一化学键、和利用比基于所述第一温度低的第二温度的热能而被切断的第二化学键，并且一分子中的所述第一化学键的数量相对于所述第二化学键的数量的比率为3以上。专利技术效果根据本专利技术，可提高在衬底上形成的膜的阶梯被覆性。附图说明图1为本专利技术的一个实施方式中适合使用的衬底处理装置的立式处理炉的概略构成图，并且是以纵剖面图示出处理炉部分的图。图2为本专利技术的一个本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.半导体器件的制造方法，其具有通过将于第二温度以上且低于第一温度的温度下对衬底供给不含卤素的原料从而形成第一层的工序实施规定次数从而在所述衬底上形成膜的工序，所述不含卤素的原料具有利用基于所述第一温度的热能而被切断的第一化学键、和利用基于比所述第一温度低的所述第二温度的热能而被切断的第二化学键，并且一分子中的所述第一化学键的数量相对于所述第二化学键的数量的比率为3以上。

【技术特征摘要】
2017.09.26 JP 2017-1852121.半导体器件的制造方法，其具有通过将于第二温度以上且低于第一温度的温度下对衬底供给不含卤素的原料从而形成第一层的工序实施规定次数从而在所述衬底上形成膜的工序，所述不含卤素的原料具有利用基于所述第一温度的热能而被切断的第一化学键、和利用基于比所述第一温度低的所述第二温度的热能而被切断的第二化学键，并且一分子中的所述第一化学键的数量相对于所述第二化学键的数量的比率为3以上。2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在形成所述第一层的工序中，保持所述第一化学键而不将其切断，将所述第二化学键切断。3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在形成所述第一层的工序中，使包含所述第一化学键且通过所述原料分解而生成的中间体吸附在所述衬底上。4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在形成所述第一层的工序中，在表面反应限速较之供给限速而言处于优势的条件下，供给所述原料。5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在形成所述第一层的工序中，在包含所述第一化学键且通过所述原料分解而生成的中间体的表面反应限速较之包含所述第一化学键且通过所述原料分解而生成的中间体的供给限速而言处于优势的条件下，供给所述原料。6.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在形成所述第一层的工序中，在成为表面反应限速的条件下，供给所述原料。7.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在形成所述第一层的工序中，在成为包含所述第一化学键且通过所述原料分解而生成的中间体的表面反应限速的条件下，供给所述原料。8.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第一化学键包含硅与烷基的键中的Si-C键、及硅与烷氧基的键中的Si-O键中的至少任意一者。9.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第二化学键包含Si-O-Si键中的Si-O键、Si-NH-Si键中的Si-N键、硅与氨基的键中的Si-N键、Si-H键、及Si-Si键中的至少任意一者。10.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其还具有通过对所述衬底供给反应体从而将所述第一层改质而形成第二层的工序，形成所述膜的工序包括：将非同时地实施形成所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：中谷公彦，龟田贤治，佐野敦，松冈树，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：日本,JP