【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质
本专利技术涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。
技术介绍
在立式成膜装置中，当使用多孔喷嘴进行气体供给而进行成膜时，存在下述情况：装填于晶舟上部侧的被处理衬底上的膜厚与装填于晶舟下部侧的被处理衬底上的膜厚产生差异，衬底间的均匀性变差(专利文献1等)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2017-54925号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题本专利技术的目的在于，提供一种对于层叠于处理室内的多个衬底而言、能够对各衬底的面间的膜厚均衡性进行调节的技术。用于解决课题的手段根据本专利技术的一个方式，提供具有下述工序的技术：从第一喷嘴向多个衬底供给原料气体的工序，其中，所述第一喷嘴在层叠并收容有所述多个衬底的处理室内沿上述多个衬底的层叠方向立设；和从第二喷嘴向上述多个衬底供给反应气体，并且在以沿上述多个衬底的层叠方向而成为期望的值的方式对上述反应气体的分压均衡性(balance)进行调节的同时供给上述反应气体的工序，其中，所述第二喷嘴在上述处理室内沿上述多个衬底的层叠方向立设、且具备具有从上游侧向下游侧变大的...
【技术保护点】
1.半导体器件的制造方法，其具有下述工序：从第一喷嘴向多个衬底供给原料气体的工序，其中，所述第一喷嘴在层叠并收容有所述多个衬底的处理室内沿所述多个衬底的层叠方向立设；和从第二喷嘴向所述多个衬底供给反应气体，并且在以沿所述多个衬底的层叠方向而成为期望的值的方式对所述反应气体的分压均衡性进行调节的同时供给所述反应气体的工序，其中，所述第二喷嘴在所述处理室内沿所述多个衬底的层叠方向立设、且具备具有从上游侧朝向下游侧变大的开口面积的开口部。
【技术特征摘要】
2017.09.25 JP 2017-1836021.半导体器件的制造方法，其具有下述工序：从第一喷嘴向多个衬底供给原料气体的工序，其中，所述第一喷嘴在层叠并收容有所述多个衬底的处理室内沿所述多个衬底的层叠方向立设；和从第二喷嘴向所述多个衬底供给反应气体，并且在以沿所述多个衬底的层叠方向而成为期望的值的方式对所述反应气体的分压均衡性进行调节的同时供给所述反应气体的工序，其中，所述第二喷嘴在所述处理室内沿所述多个衬底的层叠方向立设、且具备具有从上游侧朝向下游侧变大的开口面积的开口部。2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在供给所述反应气体的工序中，与非活性气体同时地从所述第二喷嘴供给所述反应气体，根据期望的所述反应气体的分压均衡性对从所述第二喷嘴供给的所述非活性气体的流量进行设定。3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在供给所述反应气体的工序中，根据期望的所述反应气体的分压均衡性对所述反应气体的流量进行设定。4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在供给所述原料气体的工序中，从具备具有从上游侧朝向下游侧变大的开口面积的开口部的所述第一喷嘴，向所述多个衬底供给所述原料气体，在供给所述反应气体的工序中，从所述第二喷嘴供给所述反应气体并且从所述第一喷嘴供给非活性气体，根据期望的所述反应气体的分压均衡性，对从所述第二喷嘴供给的所述非活性气体的流量进行设定。5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在供给所述原料气体的工序中，从具备具有从上游侧朝向下游侧变大的开口面积的开口部的所述第一喷嘴，向所述多个衬底供给所述原料气体，在供给所述反应气体的工序中，从所述第二喷嘴供给所述反应气体并且从所述第一喷嘴供给非活性气体，根据期望的所述反应气体的分压均衡性，对从所述第一喷嘴供给的所述非活性气体的流量进行设定。6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在供给所述原料气体的工序中，从具备具有从上游侧朝向下游侧变大的开口面积的开口部的所述第一喷嘴，向所述多个衬底供给所述原料气体，在供给所述反应气体的工序中，从所述第二喷嘴供给所述反应气体并且从所述第一喷嘴供给非活性气体，根据期望的所述反应气体的分压均衡性，分别对从所述第一喷嘴供给的所述非活性气体...
【专利技术属性】
技术研发人员：吉田怜亮，加我友纪直，竹林雄二，境正宪，平野敦士，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：日本,JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。