一种高平坦度的硅腐蚀片加工工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种高平坦度的硅腐蚀片加工工艺。其步骤是：A.采用平均粒径为7.2±0.6μm的平板状氧化铝进行晶片的双面研磨，去除40μm以上；B.采用硝酸：氢氟酸：冰乙酸的混合的酸性腐蚀液在常温下进行硅片腐蚀，去除25.0±2.0μm；C.采用氢氧化钾溶液的碱性腐蚀液在90℃下进行硅片腐蚀，去除5.0±1.0μm。采用本加工工艺腐蚀后晶片表面均匀光亮，腐蚀坑直径在300±100μm之间，采用显微镜测试平均坑深仅为1~3μm。本加工工艺易于操作，理论原理简单可靠，晶片机械强度高，经过腐蚀的硅腐蚀片表面反射度、腐蚀坑深度均满足后期工艺要求，具有很大的实用和经济价值。

【技术实现步骤摘要】
一种高平坦度的硅腐蚀片加工工艺
本专利技术属于半导体材料领域，特别涉及一种高平坦度的硅腐蚀片加工工艺。
技术介绍
硅单晶片是制作集成电路及分立器件的基础材料。半导体分立器件具有广泛的应用范围和不可替代性，尤其是大功率、大电流、高反压、高频、高速、高灵敏度、低噪声等分立器件由于不易集成或集成成本高，因此具有广阔的发展空间。即使容易集成的小信号晶体管，由于其具有明显的价格和品种优势，因而也具有稳定的市场。随着市场的硅晶片加工技术水平的提高，分立器件厂商为了降低成本，一般采用硅单晶研磨片或腐蚀片作为衬底材料替代抛光片。硅单晶腐蚀片，作为衬底应用于TVS、三极管等分立器件的制造，由于晶片表面腐蚀坑较深，导致在制造器件过程中出现了漏电和渗水问题。由此，本专利技术有待开发一种提高硅片表面平坦度，降低腐蚀坑深度，使硅腐蚀片满足器件对衬底材料要求的加工工艺。
技术实现思路
为了解决现有技术中存在以上技术问题，本专利技术提供一种高平坦度的硅腐蚀片加工工艺。为实现上述目的，本专利技术采取的技术方案是：一种高平坦度的硅腐蚀片加工工艺，其特征在于，选用平板状氧化铝为研磨砂，硅片双面研磨后进行超声清洗，清洗后采用本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高平坦度的硅腐蚀片加工工艺，其特征在于，选用平板状氧化铝为研磨砂，硅片双面研磨后进行超声清洗，清洗后采用由硝酸、氢氟酸和冰乙酸配制的酸性腐蚀液进行腐蚀，然后再采用碱性腐蚀液进行腐蚀；所述酸性腐蚀液的体积比为硝酸：氢氟酸：冰乙酸=5:2:1，腐蚀时间为30±5秒，腐蚀温度为21±1℃。

【技术特征摘要】
1.一种高平坦度的硅腐蚀片加工工艺，其特征在于，选用平板状氧化铝为研磨砂，硅片双面研磨后进行超声清洗，清洗后采用由硝酸、氢氟酸和冰乙酸配制的酸性腐蚀液进行腐蚀，然后再采用碱性腐蚀液进行腐蚀；所述酸性腐蚀液的体积比为硝酸：氢氟酸：冰乙酸=5:2:1，腐蚀时间为30±5秒，腐蚀温度为21±1℃。2.根据权利要求1所述的一种高平坦度的硅腐蚀片加工工艺，其特征在于，平板状氧化铝的平均粒径为7.2±0.6μm。3.根据权利要求2所述的一种高平坦度的硅腐蚀片加工工艺，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：常耀辉，于妍，王云彪，吕菲，武永超，赵权，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十六研究所，
类型：发明
国别省市：天津,12