一种晶圆蚀刻制程中的电浆清洗制造技术

本发明专利技术公开了一种晶圆蚀刻制程中的电浆清洗，包括以下步骤：(1)在集成电路芯片表面溅镀金属膜；(2)用光阻涂布机在芯片表面涂覆厚度为15‑40微米的光阻；(3)用曝光机，对无需生长金凸块位置的光阻进行曝光；(4)用显影机和显影液去除掉未曝光区的光阻，将需要生长金凸块的位置打开开窗；(5)在芯片上光阻开窗区镀10‑15微米高度的金凸块；(6)用光阻清洗液对晶圆进行光阻去除；(7)含有水溶性金属缓蚀剂的金属保护液，对光阻清洗液处理后的晶圆进行清洗，之后在氮气环境下进行甩干处理。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆蚀刻制程中的电浆清洗
本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种晶圆蚀刻制程中的电浆清洗。
技术介绍
集成电路制造技术随着摩尔定律而快速向着微小化方向发展，晶片尺寸因集成度提高而不断缩小以增加晶片单位面积的元件数量。生产线上使用的线宽(criticaldimension，CD)已由次微米进入纳米领域，并且变得越来越重要，因此对于光刻工艺的要求也越来越高，所使用的曝光光源已由248nm逐步向193nm的波长发展，甚至更小的波长也在进一步研究之中。现有光刻工艺中，通常会因为显影不充分而造成光阻残留，进而影响后续半导体器件的质量；为了评估显影机台的显影能力及显影光阻的效果，一般要在形成的半导体器件后进行切片，制作成电子扫描电镜样品，观察光阻是否有残留，使成本增加且影响半导体器件的成品率。在某晶圆显影工艺中，当光罩的透射率小于2％时，在显影后的检查中会发现光阻残渣，造成这种残渣出现的原因是当光罩的透射率很低，甚至小于2％时，由于未曝光区的光阻不溶解于水，晶圆表面的亲水性很低，导致曝光区的光阻因为表面张力效果而不能完全的溶解掉，从而会导致晶圆表面图形区的光阻残渣降低了显影效果。由于光阻本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆蚀刻制程中的电浆清洗，其特征在于，包括以下步骤：(1)在集成电路芯片表面溅镀金属膜；(2)用光阻涂布机在芯片表面涂覆厚度为15‑40微米的光阻；(3)用曝光机，对无需生长金凸块位置的光阻进行曝光；(4)用显影机和显影液去除掉未曝光区的光阻，将需要生长金凸块的位置打开开窗；(5)在芯片上光阻开窗区镀10‑15微米高度的金凸块；(6)用光阻清洗液对晶圆进行光阻去除；(7)含有水溶性金属缓蚀剂的金属保护液，对光阻清洗液处理后的晶圆进行清洗，之后在氮气环境下进行甩干处理。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆蚀刻制程中的电浆清洗，其特征在于，包括以下步骤：(1)在集成电路芯片表面溅镀金属膜；(2)用光阻涂布机在芯片表面涂覆厚度为15-40微米的光阻；(3)用曝光机，对无需生长金凸块位置的光阻进行曝光；(4)用显影机和显影液去除掉未曝光区的光阻，将需要生长金凸块的位置打开开窗；(5)在芯片上光阻开窗区镀10-15微米高度的金凸块；(6)用光阻清洗液对晶圆进行光阻去除；(7)含有水溶性金属缓蚀剂的金属保护液，对光阻清洗液处理后的晶圆进行清洗，之后在氮气环境下进行甩干处理。2.根据权利要求1所述的一种晶圆蚀刻制程中的电浆清洗，其特征在于：所述水溶性金属缓蚀剂是含羧基的均聚物及/或共聚物，其中，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：程玉霞，
申请(专利权)人：合肥新汇成微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34