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本发明公开了一种高平坦度的硅腐蚀片加工工艺。其步骤是：A.采用平均粒径为7.2±0.6μm的平板状氧化铝进行晶片的双面研磨，去除40μm以上；B.采用硝酸：氢氟酸：冰乙酸的混合的酸性腐蚀液在常温下进行硅片腐蚀，去除25.0±2.0μm；C....
该专利属于中国电子科技集团公司第四十六研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第四十六研究所授权不得商用。

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