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本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。要解决的课题为提高在衬底上形成的膜的阶梯被覆性。将于第二温度以上且低于第一温度的温度下对衬底供给不含卤素的原料从而形成第一层的工序实施规定次数，所述不含卤素的原料具有利用基于第一温度的...
该专利属于株式会社国际电气所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社国际电气授权不得商用。

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