图形匹配方法及其匹配系统技术方案

一种图形匹配方法及其匹配系统，所述匹配方法包括：对匹配版图进行划区处理，将匹配版图划分为多个分区域，各个分区域分别包括多个比较区域；进行匹配处理，在待匹配版图上获取匹配区域，匹配区域与匹配版图上所有的比较区域相匹配；根据所述匹配区域在所述待匹配版图中获取等同区域，所述等同区域包括所述匹配区域，所述等同区域边缘与所述匹配版图边缘全等，所述匹配区域在所述等同区域中的位置为第一位置，所述比较区域在所述匹配版图中的位置为第二位置，所述第一位置与第二位置相同。所述划区处理用于将所述匹配版图划分为多个分区域，通过对每个分区域中的比较区域进行匹配处理能够简化图形匹配的复杂度，从而节约计算时间。

【技术实现步骤摘要】
图形匹配方法及其匹配系统
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种图形匹配方法及其匹配系统。
技术介绍
随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件朝着更高的元件密度，以及更高集成度的方向发展。随着半导体器件的元件密度和集成度的提高，晶体管的尺寸也越来越小，芯片上集成的晶体管越来越多。随着芯片上集成的晶体管数量的增加，使得芯片的制造工艺越来越复杂。特别是在光刻技术中，为了减小光的衍射和干涉引起的光刻图形的畸变，业界引入光学邻近效应修正(OPC)方法对掩膜版图形进行修正。由于光学邻近效应修正的时间较长，产生的文件大小呈指数级增长，使掩膜版的制造成本成倍增加。由于芯片中的晶体管数量较大，芯片版图包含大量的相同的图形，例如芯片中往往具有多个相同的CPU或GPU，多个相同的CPU或GPU具有相同的掩膜版图形。为了降低掩膜版的制造成本，业界往往将经过光学邻近效应修正的掩膜版修正图形和对应的芯片版图进行保存，建立规则库。在制造新的芯片时，将新的芯片版图与规则库中的芯片图形进行匹配，在新的芯片图形中获取与规则库中的芯片图形相同的图形，从而可以直接利用规则库中的掩膜版修正图形。然而，由于规则库中的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图形匹配方法，其特征在于，包括：提供匹配版图和待匹配版图，所述匹配版图包括多个匹配图形，所述待匹配版图包括多个待匹配图形；对所述匹配版图进行划区处理，将所述匹配版图划分为多个分区域，各个分区域分别包括多个比较区域；进行匹配处理，在所述待匹配版图上获取匹配区域，所述匹配区域与匹配版图上所有的比较区域相匹配；根据所述匹配区域在所述待匹配版图中获取等同区域，所述等同区域包括所述匹配区域，所述等同区域边缘与所述匹配版图边缘全等，所述匹配区域在所述等同区域中的位置为第一位置，所有比较区域在所述匹配版图中的位置为第二位置，所述第一位置与第二位置相同。

【技术特征摘要】
1.一种图形匹配方法，其特征在于，包括：提供匹配版图和待匹配版图，所述匹配版图包括多个匹配图形，所述待匹配版图包括多个待匹配图形；对所述匹配版图进行划区处理，将所述匹配版图划分为多个分区域，各个分区域分别包括多个比较区域；进行匹配处理，在所述待匹配版图上获取匹配区域，所述匹配区域与匹配版图上所有的比较区域相匹配；根据所述匹配区域在所述待匹配版图中获取等同区域，所述等同区域包括所述匹配区域，所述等同区域边缘与所述匹配版图边缘全等，所述匹配区域在所述等同区域中的位置为第一位置，所有比较区域在所述匹配版图中的位置为第二位置，所述第一位置与第二位置相同。2.如权利要求1所述的图形匹配方法，其特征在于，所述匹配处理的步骤包括：在各分区域中分别选取任意一个比较区域作为第一起始区域，第一起始区域之外的比较区域为循环比较区域；根据所述第一起始区域对所述待匹配版图进行查询处理，在所述待匹配版图中获取第二起始区域，所述第二起始区域与所述第一起始区域匹配；获取自所述第一起始区域指向任一循环比较区域的起始位移；根据所述起始位移在所述待匹配版图中获取循环匹配区域，自所述第二起始区域指向循环匹配区域的位移等于所述起始位移，所述循环匹配区域边缘与所述起始位移指向的循环比较区域边缘全等；对所述循环匹配区域与所述起始位移指向的循环比较区域进行比较处理。3.如权利要求2所述的图形匹配方法，其特征在于，所述匹配处理的步骤还包括：如果所述比较处理成功，获取自上次进行比较处理的循环比较区域指向另一循环比较区域的比较位移；根据所述比较位移在所述待匹配版图中获取循环匹配区域，本次获取的循环匹配区域边缘与所述比较位移指向的循环比较区域边缘全等，自上次获取的循环匹配区域指向本次获取的循环匹配区域的位移等于所述比较位移；对最近一次获取的次获取的循环匹配区域与所述比较位移指向的循环比较区域进行比较处理；如果所述比较处理成功，获取所述循环匹配区域，并重复所述获取比较位移、获取循环匹配区域和比较处理的步骤直至所有比较区域都经过所述查询处理或比较处理。4.如权利要求1或3所述的图形匹配方法，其特征在于，各分区域包括中心区域和包围所述中心区域的外围区域；多个所述比较区域中包括位于所述外围区域的外围比较区域。5.如权利要求4所述的图形匹配方法，其特征在于，所述外围比较区域的个数为多个，所述外围比较区域的边缘分别与分区域边缘重合，且相邻外围比较区域中心之间的距离相等。6.如权利要求5所述的图形匹配方法，其特征在于，所述外围比较区域边缘形状与所述分区域边缘形状为相似图形，且每个所述外围比较区域具有一个顶角与所述分区域的一个顶角重合。7.如权利要求4所述的图形匹配方法，其特征在于，与所述外围比较区域中心距离最小的分区域边缘为邻近边，所述外围比较区域中心到所述邻近边的距离为第一距离，所述分区域中心到所述邻近边的距离为第二距离，所述第二距离为第一距离的2倍。8.如权利要求4所述的图形匹配方法，其特征在于，多个分区域的边缘全等；多个外围比较区域的边缘全等。9.如权利要求4所述的图形匹配方法，其特征在于，所述分区域为正多边形，所述外围比较区域的个数与所述分区域的边数相同。10.如权利要求4所述的图形匹配方法，其特征在于，多个比较区域中包括位于所述中心区域的中心比较区域，所述中心比较区域的中心与所述分区域的中心重合。11.如权利要求10所述的图形匹配方法，其特征在于，所述中心比较区域与所述分区域边缘形状为相似图形；所述外围比较区域与所述分区域边缘形状为相似图形。12.如权利要求11所述的图形匹配方法，其特征在于，所述中心比较区域、外围比较区域和所述分区域为正方形；所述外围比较区域的个数为4个；4个外围比较区域按顺时针或逆时针排列分别为第一外围比较区域、第二外围比较区域、第三外围比较区域和第四外围比较区域。13.如权利要求12所述的图形匹配方法，其特征在于，所述第一外围比较区域为第一起始区域，第二外围比较区域、第三外围比较区域、第四外围比较区域和中心比较区域为循环比较区域；所述匹配处理的步骤包括：获取自所述第一外围比较区域指向第二外围比较区域的起始位移；根据所述起始位移在所述待匹配版图中获取第七循环匹配区域，所述第七循环匹配区域边缘与所述第二外围比较区域边缘全等，自所述第二起始区域指向第七循环匹配区域的位移等于所述起始位移；对所述第七循环匹配区域与所述第二外围比较区域进行比较处理，如果所述第七循环匹配区域与所述第二外围比较区域匹配，获取所述第七循环匹配区域；获取自所述第二外围比较区域中心指向所述第三外围比较区域中心的第一比较位移；根据所述第一比较位移在所述待形成版图中获取第一循环匹配区域，所述第一循环匹配区域边缘与所述第三外围比较区域边缘全等，自所述第一循环匹配区域指向所述第七循环匹配区域的位移等于所述第一比较位移；对所述第一循环匹配区域与所述第三外围比较区域进行比较处理，如果所述第一循环匹配区域与所述第三外围比较区域匹配，获取所述第一循环匹配区域；获取自所述第三外围比较区域中心指向所述第四外围比较区域中心的第二比较位移；根据所述第二比较位移在所述待形成版图中获取第二循环匹配区域，所述第二循环匹配区域边缘与所述第四外围比较区域边缘全等；对所述第二循环比较区域与所述第四外围比较区域进行比较处理，如果所述第二循环比较区域与所述第四外围比较区域匹配，获取所述第二循环比较区域；获取自所述第四外围比较区域中心指向所述中心比较区域中心的第三比较位移；根据所述第三...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜杳隽，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31