【技术实现步骤摘要】
一种有机阻变存储器
本专利技术属于有机电子学、微电子技术以及存储器器件
，具体涉及一种有机阻变存储器。
技术介绍
随着数字高科技的飞速发展，消费市场对于非挥发性存储器的性能提出了更高的要求，如高速度、高密度、低功耗、长寿命和更小的尺寸等。作为目前非挥发性半导体存储器市场中的主流产品和代表性技术，浮栅存储器（Flash）由于其编程电压较高、读写速度较慢、功耗较大，及隧穿氧化层厚度减小会引起漏电流增加等问题，随着半导体技术工艺节点的不断提升，其在可缩小性、功耗、可靠性等方面遇到的技术瓶颈更加严峻。近年来半导体业界、科研界和学术界，采用基于电阻值变化作为信息存储方式，实现了以磁存储器（MRAM）、相变存储器（PRAM）和阻变存储器（RRAM）等为代表的新型非挥发性存储器。其中，阻变存储器具有可缩小性好、功耗低、操作速度快、非破坏性读取以及与CMOS工艺兼容等优点，因此备受半导体产业界的关注。RRAM器件作为一种新型的非挥发性存储器，是以薄膜材料的电阻可在高阻态（HRS）和低阻态（LRS）之间实现可逆转换为基本工作原理并作为记忆的方式。阻变存储器的材料体系多种多样，...
【技术保护点】
1.一种有机阻变存储器，包括衬底和衬底上的上电极和下电极，所述上电极与下电极之间设有阻变功能层，其特征在于：所述上电极（104）和下电极（102）均由掺杂金属纳米线或掺杂金属量子点的有机导电聚合物组成。
【技术特征摘要】
1.一种有机阻变存储器，包括衬底和衬底上的上电极和下电极，所述上电极与下电极之间设有阻变功能层，其特征在于：所述上电极（104）和下电极（102）均由掺杂金属纳米线或掺杂金属量子点的有机导电聚合物组成。2.根据权利要求1所述的一种有机阻变存储器，其特征在于：所述上电极（104）和下电极（102）的厚度均为10nm至200nm。3.根据权利要求1或2所述的一种有机阻变存储器，其特征在于：所述阻变功能层（103）为聚(9-乙烯基咔唑)PVK、聚-3己基噻吩P3HT、Ag与四氰基对苯醌二甲烷TCNQ形成的金属有机络合物AgTCNQ、Cu与四氰基对苯醌二甲烷TCNQ形成的金属有机络合物CuTCNQ、聚2-(9-咔唑基)乙基甲基丙烯酸酯PCEM、聚3,4-乙烯二氧噻吩和...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。