薄膜晶体管制造技术

本发明专利技术涉及一种薄膜晶体管，其包括：一绝缘基底；一栅极，所述栅极设置于所述绝缘基底的表面；一栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置于所述栅极远离绝缘基底的表面；一碳纳米管结构，该碳纳米管结构设置于所述栅极绝缘层远离栅极的表面；其中，该碳纳米管结构包括至少一根碳纳米管，该碳纳米管包括一半导体性碳纳米管片段以及分别与该半导体性碳纳米管片段的两端连接的两个金属性碳纳米管片段，该两个金属性碳纳米管片段分别作为源极、漏极，该半导体性碳纳米管片段作为沟道。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管
本专利技术涉及碳纳米管的
，特别涉及一种采用碳纳米管制备的薄膜晶体管。
技术介绍
碳纳米管由于具有高的杨氏模量和抗拉强度、高的热导率等优良的特性而受到广泛的关注。传统的化学气相沉积方法制备出的单壁碳纳米管中，金属性碳纳米管和半导体性碳纳米管所占比例约为1：2。为了能够得到纯度更高的半导体性碳纳米管，在过去的二十年中，经过不断研究碳纳米管的热力学和动力学理论，人们已经能够通过CVD法生长出纯度达到97％的半导体性碳纳米管。然而，想要直接生长出纯度更高的半导体性碳纳米管仍无法实现。同时，现有技术中碳纳米管在生长时无法任意改变碳纳米管的手性，即碳纳米管无法在生长过程中根据需要形成半导体性碳纳米管片段和金属性碳纳米管片段交替的碳纳米管。同时，要想将上述半导体性碳纳米管片段和金属性碳纳米管片段交替的碳纳米管应用于碳纳米管结构及碳纳米管结构的应用中也无法实现，如薄膜晶体管、光电探测器、光电转换模组等。
技术实现思路
有鉴于此，确有必要提供一种具有较大开关电流比的薄膜晶体管。一种薄膜晶体管，其包括：一绝缘基底；一栅极，所述栅极设置于所述绝缘基底的表面；一栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，其包括：一绝缘基底；一栅极，所述栅极设置于所述绝缘基底的表面；一栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置于所述栅极远离绝缘基底的表面；一碳纳米管结构，该碳纳米管结构设置于所述栅极绝缘层远离栅极的表面；其特征在于，该碳纳米管结构包括至少一根碳纳米管，该碳纳米管包括一半导体性碳纳米管片段以及分别与该半导体性碳纳米管片段的两端连接的两个金属性碳纳米管片段，该两个金属性碳纳米管片段分别作为源极、漏极，该半导体性碳纳米管片段作为沟道。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其包括：一绝缘基底；一栅极，所述栅极设置于所述绝缘基底的表面；一栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置于所述栅极远离绝缘基底的表面；一碳纳米管结构，该碳纳米管结构设置于所述栅极绝缘层远离栅极的表面；其特征在于，该碳纳米管结构包括至少一根碳纳米管，该碳纳米管包括一半导体性碳纳米管片段以及分别与该半导体性碳纳米管片段的两端连接的两个金属性碳纳米管片段，该两个金属性碳纳米管片段分别作为源极、漏极，该半导体性碳纳米管片段作为沟道。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，进一步包括两个金属电极，所述两个金属电极分别设置于所述金属性碳纳米管片段的表面，以共同作为源极、漏极。3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述碳纳米管结构包括多根碳纳米管，该多根碳纳米管之间通过范德华力紧密结合，且该多根碳纳米管沿同一方向延伸。4.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，相邻的碳纳米管中金属性碳纳米管片段的长度一致，相邻碳纳米管中半导体性碳纳米管片段的长度一致。5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体性碳纳米管片段和金属性碳纳米管片段通过肖特基势垒连接。6.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述碳纳米管为单壁碳纳米管，该单壁碳纳米管...

【专利技术属性】
技术研发人员：王江涛，柳鹏，姜开利，范守善，
申请(专利权)人：清华大学，鸿富锦精密工业深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11