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本发明涉及一种薄膜晶体管,其包括:一绝缘基底;一栅极,所述栅极设置于所述绝缘基底的表面;一栅极绝缘层,所述栅极绝缘层设置于所述栅极远离绝缘基底的表面;一碳纳米管结构,该碳纳米管结构设置于所述栅极绝缘层远离栅极的表面;其中,该碳纳米管结构包括...该专利属于清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司授权不得商用。
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本发明涉及一种薄膜晶体管,其包括:一绝缘基底;一栅极,所述栅极设置于所述绝缘基底的表面;一栅极绝缘层,所述栅极绝缘层设置于所述栅极远离绝缘基底的表面;一碳纳米管结构,该碳纳米管结构设置于所述栅极绝缘层远离栅极的表面;其中,该碳纳米管结构包括...