有机半导体组合物及包含其的有机薄膜、与其用途制造技术

技术编号:19247796 阅读:37 留言:0更新日期:2018-10-24 09:30
本发明专利技术的含有选自由下述式(1)至(4)所表示的化合物所组成的群中的2种噻吩并噻吩化合物的组合物,能够在大范围内形成均质的有机薄膜,且含有该有机薄膜的有机半导体装置可以表现出高迁移率,

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有机半导体组合物及包含其的有机薄膜、与其用途
本专利技术是关于一种包含多种有机半导体性低分子化合物的组合物、使用该组合物而获得的均质性较高的有机薄膜、及包含该有机薄膜的有机半导体装置。更详细而言,本专利技术是关于一种可以用在印刷、涂布等简便的方法的在大范围内适合均质的有机薄膜的形成的组合物,此外本专利技术是关于一种使用这些的有机半导体装置。
技术介绍
近年来,可以制造使用不适合在需要高温工艺的制造工艺的塑料材料的软性有机半导体装置,再加上能够使装置的制造工艺本身大幅度效率化,因此盛行研究开发涉及使用印刷技术的有机半导体装置的构筑(印刷型电子产品)。此类有机半导体装置中,较为重要的是能够通过印刷技术形成均质的有机半导体薄膜。而且,例如为了将利用有机半导体薄膜作为半导体层的有机电晶体应用于软性装置等,需要在低电压下将能够高速动作的电晶体制作于软性基板上。因此,要求有机薄膜具有能高载子迁移率或低电压驱动的载子注入特性、对低温下的成膜工艺的适应性等各种特性,此外,为了获得足以实用的装置,如何能够抑制这些的各特性的值的偏差变得极其重要。作为表示高载子迁移率的有机半导体化合物,已知有具有[1]苯本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种组合物,其含有选自由下述式(1)至(4)所表示的化合物所组成的群中的2种噻吩并噻吩化合物:[化1]

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.02.29 JP 2016-0372131.一种组合物,其含有选自由下述式(1)至(4)所表示的化合物所组成的群中的2种噻吩并噻吩化合物:[化1](式(1)至(4)中,R1及R2的任一个表示烷基、具有烷基的芳香族烃基或具有烷基的杂环基,另一个表示氢原子、芳香族烃基、杂环基或下述式(5)所表示的取代基,[化2](式(5)中,R3表示芳香族烃基或杂环基))。2.根据权利要求1所述的组合物,其含有通过自R1的末端碳原子至R2的末端碳原子的碳原子彼此的直接键结而连续地连结的碳数的最小值不同的2种噻吩并噻吩化合物(其中,在R1或R2表示烷基、具有烷基的芳香族烃基或具有烷基的杂环基的情况下的末端碳原子为烷基的主链末端的碳原子,在R1或R2表示氢原子的情况下的末端碳原子为R1或R2所取代的苯并噻吩环上的6位或萘并噻吩环上的7位的碳原子,在R1或R2表示芳香族烃基或杂环基的情况下的末端碳原子为距离苯并噻吩环或萘并噻吩环上的R1或R2所取代的碳原子最远的R1或R2上的碳原子)。3.根据权利要求2所述的组合物,其中2种噻吩并噻吩化合物的通过自R1的末端碳原子至R2的末端碳原子的碳原子彼此的直接键结而连续地连结的碳数的最小值的差为2以上18以下。4.根据权利要求3所述的组合物,其中2种噻吩并噻吩化合物的通过自R1的末端碳原子至R2的末端碳原子的碳原子彼此的直接键结而连续地连结的碳数的最小值的差为2以上12以下。5.根据权利要求1所述的组合物,其中2种噻吩并噻吩化合物的其中一种为下述式(6)至(9)的任一式所表示的噻吩并噻吩化合物:[化3](式(6)至(9)中,R4表示烷基、具有烷基的芳香族烃基或具有烷基的杂环基,R5及R6的任一个表示氢原子,另一个表示芳香族烃基)。6.根据权利要求5所述的组合物,其中2种噻吩并噻吩化合物的两个为式(6)至(9)的任一式所表示的噻吩并噻吩化合物。7.根据权利要求1所述的组合物,其是包含取代基R1或R2的任一个所表示的烷基、具有烷基的芳香族烃基或具有烷基的...

【专利技术属性】
技术研发人员:荒井俊人长谷川达生井上悟
申请(专利权)人:国立研究开发法人产业技术综合研究所日本化药株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

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