一种锆掺杂有机薄膜晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种锆掺杂有机薄膜晶体管及其制备方法，该锆掺杂有机薄膜晶体管包括衬底以及在衬底表面依次层叠的栅电极、镧锆氧化物介电薄膜、PαMS薄膜、并五苯有缘层和源漏电极。该制备方法首先在清洗干净的衬底上沉积底栅电极，然后将镧锆氧化物前驱体涂覆在栅电极上后进行热处理，制得镧锆氧化物介电薄膜，接着在介电薄膜上旋涂修饰层，最后制备有源层和源漏电极，即可得到锆掺杂有机薄膜晶体管。本发明专利技术的锆掺杂有机薄膜晶体管具有低工作电压和高迁移率，其制备方法条件温和、操作简单、制备成本低。

【技术实现步骤摘要】
一种锆掺杂有机薄膜晶体管及其制备方法
本专利技术涉及有机电子学领域，尤其涉及一种锆掺杂有机薄膜晶体管及其制备方法。
技术介绍
有机薄膜晶体管(OTFTs)在未来显示、逻辑、存储等器件，尤其是在柔性电子器件中有着广泛的应用前景。介电层作为OTFTs的重要部分，对晶体管性能，如开启电压、半导体生长形貌等有重要影响。目前晶体管普遍以SiO2为介电层，但SiO2的介电常数(K＝3.9)较低，使晶体管的工作电压较大。同时，为满足社会对器件小型化的需求，OTFTs中的SiO2介电层物理厚度越来越薄，出现了器件漏电迅速增大、器件功耗增加的问题。若OTFTs采用高K介电材料作为介电层，则可在相同的物理厚度下提供更大的电容，可降低漏电流以及工作电压，使器件在低压下工作，降低器件的总体功耗。目前大部分的高K介电材料是通过脉冲激光沉积、磁控溅射、原子层沉积等方法进行制备，这些制备方法需要在真空环境或者惰性气体保护下进行，操作复杂、成本高。而利用化学液相法可以实现在空气环境中低成本、大面积制备高K介电薄膜，且与柔性基底展现出良好的匹配性，为进一步的柔性OTFTs的制备提供了高介电常数、低漏电流的介电层薄膜，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种锆掺杂有机薄膜晶体管，其特征在于：包括衬底以及在衬底表面依次层叠的栅电极、镧锆氧化物介电薄膜、PαMS薄膜、并五苯有缘层和源漏电极。

【技术特征摘要】
1.一种锆掺杂有机薄膜晶体管，其特征在于：包括衬底以及在衬底表面依次层叠的栅电极、镧锆氧化物介电薄膜、PαMS薄膜、并五苯有缘层和源漏电极。2.根据权利要求1所述锆掺杂有机薄膜晶体管，其特征在于：所述镧锆氧化物介电薄膜中La与Zr的摩尔比为1:3-3:1。3.根据权利要求2所述锆掺杂有机薄膜晶体管，其特征在于：并五苯有缘层的厚度为30-50nm。4.一种锆掺杂有机薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：S1：制备栅电极：在衬底上沉积底栅电极；S2：制备介电薄膜：将镧锆氧化物前驱体溶液涂覆在栅电极上后进行热处理，制得镧锆氧化物介电薄膜；S3：制备修饰层：在步骤S2得到的镧锆氧化物介电薄膜上旋涂PαMS溶液，再经过热处理得到PαMS薄膜作为修饰层；S4：制备有源层：采用热蒸发法在PαMS薄...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆旭兵，唐乃维，麦嘉盈，
申请(专利权)人：华南师范大学，
类型：发明
国别省市：广东,44