一种基于卤素钙钛矿材料的闪速存储器及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种基于卤素钙钛矿材料的闪速存储器及其制备方法，其中，所述闪速存储器包括从下至上依次设置的刚性基底电极、介电层、卤素钙钛矿层、聚合物层、半导体层以及金属薄膜顶电极，所述卤素钙钛矿层的材料为甲胺铅碘盐，甲胺铅溴盐，甲脒铅碘盐和甲脒铅溴盐中的一种或多种。本发明专利技术将卤素钙钛矿层和聚合物层作为闪速存储器的浮栅层，使得基于卤素钙钛矿材料的闪速存储器具有优秀的光响应和光调控特性；同时旋涂在卤素钙钛矿层之上的聚合物层能保护卤素钙钛矿材料，提高了器件的稳定性。因此，本发明专利技术基于卤素钙钛矿材料的闪速存储器不仅提供了高效的累积光记录可编程功能以及电擦除模式过程，而且具有精准稳定的光可调控性能。

【技术实现步骤摘要】
一种基于卤素钙钛矿材料的闪速存储器及其制备方法
本专利技术涉及存储器领域，尤其涉及一种基于卤素钙钛矿材料的闪速存储器及其制备方法。
技术介绍
闪存是一种基于场效应晶体管制作的存储器，主要是利用晶体管中浮栅层对载流子的捕获和释放来存储信息。它具有非易失性、可靠性高、功耗小、密度大、成本低等特点，并且其中存储的内容是电可擦除、可重写的，因此闪存技术获得了迅猛的发展，同时在U盘等便携性存储器中具有广泛的应用前景。闪速存储器的结构在简单晶体管的栅极/介电层/半导体层/源极—漏极结构的基础上，在介电层/半导体层中额外增加了浮栅层和超薄绝缘层，从而实现闪存的非易失性。但是，目前闪存仍然存在一些明显的缺陷，如写入速度较慢，以及光调控性较差，同时基于冯·诺依曼体系的传统主存与中央计算单元之间的数据通信速率有其固有的局限性。因此，现有技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种基于卤素钙钛矿材料的闪速存储器及其制备方法，从而解决现有闪速存储器读写速度较慢，光调控性较差以及稳定性较差的问题。本专利技术的技术方案如下：一种基于卤素钙钛矿材料的闪速存储器，其中，包本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于卤素钙钛矿材料的闪速存储器，其特征在于，包括从下至上依次设置的刚性基底电极、介电层、卤素钙钛矿层、聚合物层、半导体层以及金属薄膜顶电极，所述卤素钙钛矿层的材料为甲胺铅碘盐，甲胺铅溴盐，甲脒铅碘盐和甲脒铅溴盐中的一种或多种。

【技术特征摘要】
1.一种基于卤素钙钛矿材料的闪速存储器，其特征在于，包括从下至上依次设置的刚性基底电极、介电层、卤素钙钛矿层、聚合物层、半导体层以及金属薄膜顶电极，所述卤素钙钛矿层的材料为甲胺铅碘盐，甲胺铅溴盐，甲脒铅碘盐和甲脒铅溴盐中的一种或多种。2.根据权利要求1所述的基于卤素钙钛矿材料的闪速存储器，其特征在于，所述介电层的材料为二氧化硅；和/或所述介电层的厚度为80-120nm。3.根据权利要求1所述的基于卤素钙钛矿材料的闪速存储器，其特征在于，所述聚合物层的材料为聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯和聚乙烯基吡啶中的一种或多种。4.根据权利要求1所述的基于卤素钙钛矿材料的闪速存储器，其特征在于，所述半导体层的材料为并五苯；和/或所述半导体层的厚度为25-50nm。5.根据权利要求1所述的基于卤素钙钛矿材料的闪速存储器，其特征在于，所述金属薄膜顶电极包括源极和漏极，所述源极和漏极之间沟道的长为800-1200μm，所述源极和漏极之间沟道的宽为40-60μm。6.一种基于卤素钙钛矿材料的闪速存储器的制备方法，其特征在于，包括步骤：提供一种卤素钙钛矿溶液和一种聚合物氯苯溶液；在表面掺杂有二氧化硅的硅片上沉积所述卤素钙钛矿溶液，形成卤素钙钛矿层，所述钙钛矿层的材料为甲胺铅碘盐，甲胺铅溴盐，甲脒铅碘盐和甲脒铅溴盐中的一种或多种；在所述卤素钙钛矿层表面沉积所述聚合物氯苯溶液，形成聚合物层；在所述聚...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩素婷，周晔，王燕，王展鹏，陈锦锐，
申请(专利权)人：深圳大学，
类型：发明
国别省市：广东,44