有机半导体器件制造用组合物制造技术

本发明专利技术提供可形成稳定而具有高的载流子迁移率的有机半导体器件的有机半导体器件制造用组合物。有机半导体器件制造用组合物，其含有作为溶剂的2,3‑二氢苯并呋喃及下述有机半导体材料，溶剂的含水率为0.25重量％以下。有机半导体材料：选自下组中的至少一种化合物：下述式(1‑1)所示的化合物、下述式(1‑2)所示的化合物、下述式(1‑3)所示的化合物、下述式(1‑4)所示的化合物、下述式(1‑5)所示的化合物及下述式(1‑6)所示的化合物(式中，X

Compositions for Manufacturing Organic Semiconductor Devices

The invention provides an organic semiconductor device manufacturing composition capable of forming a stable and high carrier mobility organic semiconductor device. Compositions for the manufacture of organic semiconductor devices, which contain 2,3-dihydrobenzofuran as a solvent and the following organic semiconductor materials, have a water content of less than 0.25 wt% of the solvent. Organic Semiconductor Materials: At least one compound selected from the following group: the compound shown in formula (1 1), the compound shown in formula (1 2), the compound shown in formula (1 3), the compound shown in formula (1 4), the compound shown in formula (1 5) and the compound shown in formula (1 6) (formula, X)

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有机半导体器件制造用组合物
本专利技术涉及以溶解于溶剂的状态含有作为有机半导体材料的稠环π共轭类分子、且用于通过印刷法制造有机半导体器件的用途的组合物。
技术介绍
晶体管是显示器、计算机设备中包含的重要的半导体器件，目前是使用多晶硅、非晶硅等无机半导体材料而制造的。使用无机半导体材料的薄膜晶体管的制造，通过等离子体化学气相沉积法(PECVD)、溅射法等进行，存在制造工艺温度高、制造装置昂贵且成本高、在形成大面积的薄膜晶体管时容易导致特性不均一的问题。另外，可使用的基板受到制造工艺温度的限制，主要使用的是玻璃基板。但是，玻璃基板虽然耐热性高，但不耐冲击、难以轻量化、缺乏柔软性，因此在使用玻璃基板的情况下，难以形成轻质而柔性的晶体管。为此，近年来，有关利用有机半导体材料的有机半导体器件的研究开发得到了广泛进行。这是由于使用有机半导体材料时，能够通过涂布法等简便的方法在较低的制造工艺温度下制造有机半导体器件，因此可以使用耐热性低的塑料基板，能够实现显示器等电子设备的轻质化、柔性化、低成本化。在专利文献1中，作为载流子迁移率优异的有机半导体材料而记载了N字型稠环π共轭类分子。另外，作为溶解上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.有机半导体器件制造用组合物，其含有作为溶剂的2,3‑二氢苯并呋喃及下述有机半导体材料，溶剂的含水率为0.25重量％以下，有机半导体材料选自下组中的至少一种化合物：下述式(1‑1)所示的化合物、下述式(1‑2)所示的化合物、下述式(1‑3)所示的化合物、下述式(1‑4)所示的化合物、下述式(1‑5)所示的化合物及下述式(1‑6)所示的化合物，式中，X1、X2相同或不同，为氧原子、硫原子或硒原子，m为0或1，n1、n2相同或不同，为0或1，R1、R2相同或不同，为氟原子、C1‑20烷基、C6‑13芳基、吡啶基、呋喃基、噻吩基或噻唑基，其中，所述烷基含有的氢原子中的1个或2个以上任选被氟原子取代...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.06.09 JP 2016-1156591.有机半导体器件制造用组合物，其含有作为溶剂的2,3-二氢苯并呋喃及下述有机半导体材料，溶剂的含水率为0.25重量％以下，有机半导体材料选自下组中的至少一种化合物：下述式(1-1)所示的化合物、下述式(1-2)所示的化合物、下述式(1-3)所示的化合物、下述式(1-4)所示的化合物、下述式(1-5)所示的化合物及下述式(1-6)所示的化合物，式中，X1、X2相同或不同，为氧原子、硫原子或硒原子，m为0或1，n1、n2相同或不同，为0或1，R1、R2相同或不同，为氟原子、C1-20烷基、C6-13芳基、吡啶基、呋喃基、噻吩基或噻唑基，其中，所述烷基含有的氢原子中的1个或2个以上任选被氟原子取代，所述芳基、吡啶基、呋喃基、噻吩基及噻唑基含有的氢原子中的1个或2个以上任选被氟原子或碳原子数1～10的烷基取代，2.根据权利要求1所述的有机半导体器件制造用组合物，其中，有机半导体材料为选自下组中的至少一种化合物：下述式(1-7)所示的化合物、下述式(1-8)所示的化合物、下述式(1...

【专利技术属性】
技术研发人员：横尾健，铃木阳二，赤井泰之，
申请(专利权)人：株式会社大赛璐，
类型：发明
国别省市：日本,JP