晶舟基座及炉管装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶舟基座及炉管装置。所述晶舟基座，包括盖体、控制组件、固定柱和至少一调节柱；所述盖体的上表面用于承载晶舟；所述固定柱与所述调节柱均与所述盖体的下表面连接，用于共同支撑所述盖体；所述控制组件，连接所述调节柱，用于检测所述盖体的上表面是否与水平面平行，若否，则控制所述调节柱在与所述水平面垂直的竖直面内进行升降运动。本实用新型专利技术实现了对晶舟基座的自动化调节，避免了人工调节的繁琐操作，提高了调节的可靠性，改善了晶圆表面膜层生长的均匀性，确保了半导体制程持续、稳定的进行。

【技术实现步骤摘要】
晶舟基座及炉管装置
本技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种晶舟基座及炉管装置。
技术介绍
随着智能手机、平板电脑等移动终端向小型化、智能化、节能化的方向发展，芯片的高性能、集成化趋势明显，促使芯片制造企业积极采用先进工艺，对制造出更快、更省电的芯片的追求愈演愈烈。尤其是许多无线通讯设备的主要元件需用40nm以下先进半导体技术和工艺，因此对先进工艺产能的需求较之以往显著上升，带动集成电路厂商不断提升工艺技术水平，通过缩小晶圆水平和垂直方向上的特征尺寸以提高芯片性能和可靠性，以及通过3D结构改造等非几何工艺技术和新材料的运用来影响晶圆的电性能等方式，实现硅集成的提高，以迎合市场需求。然而，这些技术的革新或改进都是以晶圆的生产、制造为基础。晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。在硅晶片上可加工、制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能的集成电路产品。在半导体的制造工艺中，为了设置分立器件和集成电路，需要在晶圆表面沉积不同的膜层。而在各种沉积薄膜的方法中，低压化学气相沉积(LowPressureChemicalVaporDeposition，LPCV本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶舟基座，其特征在于，包括盖体、控制组件、固定柱和至少一调节柱；所述盖体的上表面用于承载晶舟；所述固定柱与所述调节柱均与所述盖体的下表面连接，用于共同支撑所述盖体；所述控制组件连接所述调节柱，用于检测所述盖体的上表面是否与水平面平行，若否，则控制所述调节柱在与所述水平面垂直的竖直面内进行升降运动。

【技术特征摘要】
1.一种晶舟基座，其特征在于，包括盖体、控制组件、固定柱和至少一调节柱；所述盖体的上表面用于承载晶舟；所述固定柱与所述调节柱均与所述盖体的下表面连接，用于共同支撑所述盖体；所述控制组件连接所述调节柱，用于检测所述盖体的上表面是否与水平面平行，若否，则控制所述调节柱在与所述水平面垂直的竖直面内进行升降运动。2.根据权利要求1所述的晶舟基座，其特征在于，至少一调节柱包括三根调节柱，所述固定柱与三根所述调节柱共同关于所述盖体的中心对称分布。3.根据权利要求2所述的晶舟基座，其特征在于，所述控制组件包括控制器和水平仪；所述水平仪用于分别检测与每一所述调节柱对应的盖体下表面区域与所述水平面之间的夹角；所述控制器连接所述水平仪，用于根据所述夹角分别控制相应的调节柱在所述竖直面内进行升降运动。4.根据权利要求3所述的晶舟基座，其特征在于，所述水平仪安装于所述盖体下表面的中心位置。5.根据权利要求1所述的晶舟基座，其特征在于，还包括与所述盖体相对设置的底座；所述调节柱包括驱动器、弹簧、螺杆和螺孔；所述螺孔自所述盖体的下表面朝向所述底座延伸；所述弹簧的两端分别连接所述盖体下表面与所述底座；所述螺杆的第一端连接所述驱动器、与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈城，周冬成，吴宗祐，林宗贤，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32