掩膜版、液晶面板和液晶显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种掩膜版、液晶面板和液晶显示装置，其中，掩膜版包括：遮光区域、全透光区域、以及半透光区域；全透光区域邻近遮光区域设置；半透光区域邻近遮光区域设置，且半透光区域包括第一区及第二区，第一区还邻近全透光区域设置，第二区围设于第一区及遮光区域之间；第二区开设有透光狭缝，透光狭缝的宽度小于曝光机的曝光精度。本发明专利技术掩膜版通过在被半透光区域的第一区及遮光区域围设的第二区上开设透光狭缝，使得透光狭缝的宽度小于曝光机的曝光精度，则在不会曝光处细小的缝隙的情况下增加第二区的进光量，如此，能够减轻第二区曝光时候的失焦现象，提升工艺良品率。

【技术实现步骤摘要】
掩膜版、液晶面板和液晶显示装置
本专利技术涉及液晶显示领域，特别涉及一种掩膜版、液晶面板和液晶显示装置。
技术介绍
这里的陈述仅提供与本申请有关的背景信息，而不必然地构成现有技术。液晶显示器在平面显示器中占据越来越重要的位置。目前有在TwistedNematic(TN，扭曲向列型)或VerticalAlignment(VA，垂直对齐)类型的液晶面板生产中使用四次光刻技术(4Mask)，四次光刻是指将五次光刻(5Mask)中非金属层非晶硅与n+非晶硅的光刻和漏极与源极的光刻合并在一起，把IndiumTinOxides(铟锡氧化物)膜制作放在最后，通过在保护膜上打接触孔的方法，实现ITO膜与源极的相连。4Mask工艺与原来的5Mask工艺相比减少了一次光刻工艺，大大缩短了生产时间，提高生产效率，降低生产成本，减少设备投资。其中，4Mask工艺中每一道光刻制程，都会经过曝光、显影、刻蚀、光阻胶剥离步骤。在实际生产过程中，由于沟道半透膜圆弧区域周围都是不透光区域和半透膜区域，而直线区域与透光区域相邻，这样因为光线具有一定的散射作用，在制程中，保证直线区能完成半透膜曝光时，弧形区会存在一定几率的defocus(失焦)，导致半透膜的圆弧形的沟道无法完全曝光，使得光阻胶完全留下，没办法进行起到半保护效果，致使金属的源极和漏极被连接在一起，ThinFilmTransistor(TFT，薄膜晶体管)失去开关作用。
技术实现思路
本专利技术的主要目的是提出一种掩膜版、液晶面板和液晶显示装置，能够减轻沟道处曝光时发生的失焦问题，进而提升工艺良率。为实现上述目的，本专利技术提出的掩膜版，包括：遮光区域；全透光区域，邻近所述遮光区域设置；以及半透光区域，所述半透光区域包括第一区及第二区，所述第一区邻近所述全透光区域设置，所述第二区围设于所述第一区及所述遮光区域之间；所述第二区开设有透光狭缝，所述透光狭缝的宽度小于曝光机的曝光精度。本专利技术实施例中，掩膜版的第二区被半透光区域的第一区及遮光区域围住，由于光的散射作用，在制程中，使得第二区上会发生一定几率的失焦现象，通过在第二区上开设透光狭缝，使得透光狭缝的宽度小于曝光机的曝光精度，则在不会曝光处细小的缝隙的情况下增加第二区的进光量，如此，能够减轻第二区曝光时候的失焦现象，避免源极与漏极发生短路，提升工艺良品率。可选地，所述遮光区域包括第一遮光区和部分包围所述第一遮光区的第二遮光区，所述第二遮光区与所述第一遮光区呈间隔设置，所述半透光区域设于所述第二遮光区与所述第一遮光区之间；所述第一遮光区具有伸出所述半透光区域的凸出区域，所述全透光区域邻所述凸出区域一侧设置。可选地，所述第二区呈圆弧形设置，所述第二区的两端分别连接一所述第一区，所述第一区呈直线状设置。可选地，所述透光狭缝自所述第二区的一端延伸至另一端，所述透光狭缝的延伸路径与所述第二区的圆弧状相对应。可选地，所述透光狭缝的宽度为0.1～0.2um。可选地，所述透光狭缝为一条，所述透光狭缝位于所述第二区的中部。可选地，所述透光狭缝为多条，多条所述透光狭缝沿所述第二区的宽度方向依次排列。可选地，多条所述透光狭缝的宽度相等。本专利技术还提出一种液晶面板，包括阵列基板，所述阵列基板的图案由掩膜版曝光而成，其中该掩膜版包括：遮光区域；全透光区域，邻近所述遮光区域设置；以及半透光区域，所述半透光区域包括第一区及第二区，所述第一区邻近所述全透光区域设置，所述第二区围设于所述第一区及所述遮光区域之间；所述第二区开设有透光狭缝，所述透光狭缝的宽度小于曝光机的曝光精度。本专利技术还提出一种液晶显示装置，该液晶显示装置包括一种液晶面板，该液晶面板包括阵列基板，阵列基板的图案由一种掩膜版曝光而成，该掩膜版包括：遮光区域；全透光区域，邻近所述遮光区域设置；以及半透光区域，所述半透光区域包括第一区及第二区，所述第一区邻近所述全透光区域设置，所述第二区围设于所述第一区及所述遮光区域之间；所述第二区开设有透光狭缝，所述透光狭缝的宽度小于曝光机的曝光精度。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。图1为本专利技术掩膜版一实施例的结构示意图；图2为本专利技术掩膜版另一实施例的结构示意图；图3为本专利技术掩膜版的曝光原理示意图；图4为本专利技术掩膜版的显影后效果图；图5为本专利技术液晶面板一实施例的结构示意图；图6为本专利技术液晶显示装置一实施例的结构示意图。附图标号说明：标号名称标号名称标号名称10掩膜版12第二遮光区221透光狭缝1遮光区域2全透光区域3半透光区域11第一遮光区21第一区100液晶面板111凸出区域22第二区200液晶显示装置本专利技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。需要说明，若本专利技术实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。另外，若本专利技术实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，全文中出现的“和/或”的含义为，包括三个并列的方案，以“A和/或B”为例，包括A方案，或B方案，或A和B同时满足的方案。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本专利技术要求的保护范围之内。本专利技术提出一种掩膜版。在本专利技术实施例中，如图1及图2所示，该掩膜版10，包括：遮光区域1；全透光区域2，邻近所述遮光区域1设置；以及半透光区域3，邻近所述遮光区域1，所述半透光区域3包括第一区21及第二区22，所述第一区21还邻近所述全透光区域2设置，所述第二区22围设于所述第一区21及所述遮光区域1之间；所述第二区22开设有透光狭缝221，所述透光狭缝221的宽度小于曝光机的曝光精度。本专利技术提供的掩膜版10，具体可以为单狭缝掩膜版10、半色调掩膜版10(HalfToneMask)或灰阶掩膜版10。本实施例以半色调掩膜版10为例进行说明，半透光区域3为半透膜区域，其利用了光栅的部分透光性，可以将光阻胶不完全曝光，半透膜区域按所需要钝化层的高度差来决定光线透过的多少，一般的半透膜透光率在30％～70％之间。以下请一并参照图3及图4，简要介绍制程工艺中的曝光和显影的过程，利用构图工艺制备完栅极和栅极绝缘层后，直接在基板上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种掩膜版，其特征在于，包括：遮光区域；全透光区域，邻近所述遮光区域设置；以及半透光区域，邻近所述遮光区域设置，所述半透光区域包括第一区及第二区，所述第一区还邻近所述全透光区域设置，所述第二区围设于所述第一区及所述遮光区域之间；所述第二区开设有透光狭缝，所述透光狭缝的宽度小于曝光机的曝光精度。

【技术特征摘要】
1.一种掩膜版，其特征在于，包括：遮光区域；全透光区域，邻近所述遮光区域设置；以及半透光区域，邻近所述遮光区域设置，所述半透光区域包括第一区及第二区，所述第一区还邻近所述全透光区域设置，所述第二区围设于所述第一区及所述遮光区域之间；所述第二区开设有透光狭缝，所述透光狭缝的宽度小于曝光机的曝光精度。2.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述遮光区域包括第一遮光区和部分包围所述第一遮光区的第二遮光区，所述第二遮光区与所述第一遮光区呈间隔设置，所述半透光区域设于所述第二遮光区与所述第一遮光区之间；所述第一遮光区具有伸出所述半透光区域的凸出区域，所述全透光区域邻所述凸出区域一侧设置。3.如权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述第二区呈圆弧形设置，所述第二区的两端分别连接一所述第一区，所述第一区呈直线状设置...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴川，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44