一种单晶硅片厚蜡涂抹装置制造方法及图纸

一种单晶硅片厚蜡涂抹装置，涉及硅片技术领域，包括提手、盖体、盛放体、把持部、第一卡槽、第一限位块、第二卡槽和第二限位块，在盛放体上设有盖体，盖体上分别设有提手、第一卡槽和第二卡槽，盛放体上还分别设有把持部、第一限位块和第二限位块；本实用新型专利技术结构简单、实用性强，不但可以在快速完成硅片的涂蜡工作，而且有效保证了硅片涂蜡的准确性和稳定性，大大提高了工作效率。

A Thick Wax Coating Device for Single Crystal Silicon Wafers

The invention relates to a thick wax coating device for single crystal silicon wax, which relates to the technical field of silicon wax, including a handle, a cover, a holding body, a holding part, a first chuck, a first limiting block, a second chuck and a second limiting block. A cover body is arranged on the holding body, and a lifting hand, a first chuck and a second chute are arranged on the cover body, respectively, and a holding part, a first limiting block and a second limiting block are arranged on the holding body. The utility model has simple structure and strong practicability. It can not only finish the wax coating work quickly, but also ensure the accuracy and stability of wax coating effectively, and greatly improve the working efficiency.

【技术实现步骤摘要】
一种单晶硅片厚蜡涂抹装置
本技术涉及硅片
，尤其是涉及一种单晶硅片厚蜡涂抹装置。
技术介绍
公知的，有蜡贴片是硅片加工过程中的关键程序，在进行有蜡贴片之前需要先对硅片进行涂蜡，现有技术中涂蜡工序有使用机械设备涂蜡和手工涂蜡两种方法，但是这两种方法都非常的麻烦，在操作过程中一方面要防止硅片被颗粒污染，否则粘蜡的时候就会出现粘不实的情况，另一方面还要严格控制供蜡量的多少，一旦供蜡量超出，蜡就会堆积在硅片中心，蜡边缘呈现锯齿状，导致贴片后又会有较多的蜡被从硅片和载体之间挤出，这种情况由于蜡膜较厚，蜡中的有机成分在后续的烘烤过程中不能被充分挥发，硅片不能被牢固粘接，最终会使得硅片在抛光过程中容易脱落导致整车碎片报废的问题，而供蜡量不足的情况会使得蜡膜呈放射状，只有硅片中心一定范围内是涂满蜡的，由于边缘粘接力不足，抛光过程中同样出现硅片脱落导致整车碎片报废的问题，而且蜡膜不均匀还会导致集合参数变差，由此可见涂蜡的精确直接影响了后续工序的操作。
技术实现思路
为了克服
技术介绍
中的不足，本技术公开了一种单晶硅片厚蜡涂抹装置，本技术通过在盖体上设置第一卡槽和第二卡槽，在盛放体上设置第一限位块和第二限位块，以此来达到快速、准确完成对硅片进行涂蜡的目的。为了实现所述技术目的，本技术采用如下技术方案：一种单晶硅片厚蜡涂抹装置，包括提手、盖体、盛放体、把持部、第一卡槽、第一限位块、第二卡槽和第二限位块，在盛放体上设有盖体，盖体上分别设有提手、第一卡槽和第二卡槽，盛放体上还分别设有把持部、第一限位块和第二限位块。所述盛放体为圆管状结构，盛放体的外侧面上设有把持部。所述把持部为圆环型或椭圆型结构，把持部设置在盛放体外侧壁的中部或中部靠上的位置，把持部以盛放体的中心线为轴线呈左右对称结构设置。所述盛放体的内壁上分别设有第一限位块和第二限位块，第一限位块和第二限位块结构相同，第一限位块和第二限位块分别设置在盛放体内壁的两侧，第一限位块和第二限位块的一个面分别与盛放体的内壁连接，第一限位块和第二限位块的另一个面相向设置，第一限位块和第二限位块位于同一水平面上。所述盖体为圆型结构，盖体的底面直径小于等于盛放体内壁的直径，盖体的顶部面上设有提手，提手的两端均与盖体的顶部面相连接。所述第一卡槽和第二卡槽设置在盖体底部面的两侧，第一卡槽和第二卡槽结构相同，第一卡槽和第二卡槽的凹槽形状分别与第一限位块和第二限位块相吻合，第一卡槽和第二卡槽呈对称结构设置在盖体底部的两侧。由于采用了上述技术方案，本技术具有如下有益效果：本技术所述的一种单晶硅片厚蜡涂抹装置，包括提手、盖体、盛放体、把持部、第一卡槽、第一限位块、第二卡槽和第二限位块，通过在盖体上设置第一卡槽和第二卡槽，在盛放体上设置第一限位块和第二限位块，以此来达到快速、准确完成对硅片进行涂蜡的目的；本技术结构简单、实用性强，不但可以在快速完成硅片的涂蜡工作，而且有效保证了硅片涂蜡的准确性和稳定性，大大提高了工作效率。附图说明图1为本技术的结构示意图；图2为本技术的侧视结构示意图；图中：1、提手；2、盖体；3、盛放体；4、把持部；5、第一卡槽；6、第一限位块；7、第二卡槽；8、第二限位块。具体实施方式通过下面的实施例可以详细的解释本技术，公开本技术的目的旨在保护本技术范围内的一切技术改进。结合附图1~2所述的一种单晶硅片厚蜡涂抹装置，包括提手1、盖体2、盛放体3、把持部4、第一卡槽5、第一限位块6、第二卡槽7和第二限位块8，在盛放体3上设有盖体2，盖体2上分别设有提手1、第一卡槽5和第二卡槽7，盛放体3上还分别设有把持部4、第一限位块6和第二限位块8。所述盛放体3为圆管状结构，盛放体3的外侧面上设有把持部4。所述把持部4为圆环型或椭圆型结构，把持部4设置在盛放体3外侧壁的中部或中部靠上的位置，把持部4以盛放体3的中心线为轴线呈左右对称结构设置。所述盛放体3的内壁上分别设有第一限位块6和第二限位块8，第一限位块6和第二限位块8结构相同，第一限位块6和第二限位块8分别设置在盛放体3内壁的两侧，第一限位块6和第二限位块8的一个面分别与盛放体3的内壁连接，第一限位块6和第二限位块8的另一个面相向设置，第一限位块6和第二限位块8位于同一水平面上。所述盖体2为圆型结构，盖体2的底面直径小于等于盛放体3内壁的直径，盖体2的顶部面上设有提手1，提手1的两端均与盖体2的顶部面相连接。所述第一卡槽5和第二卡槽7设置在盖体2底部面的两侧，第一卡槽5和第二卡槽7结构相同，第一卡槽5和第二卡槽7的凹槽形状分别与第一限位块6和第二限位块8相吻合，第一卡槽5和第二卡槽7呈对称结构设置在盖体2底部的两侧。实施例1，所述的一种单晶硅片厚蜡涂抹装置，在使用的时候，先将盖体2移开，通过操作把持部4来实现盛放体3的移动和翻转，将硅片放置在操作平台上，把盛放体3的底部套在硅片上，使得硅片的周边与盛放体3的内壁连接，提前将蜡液装在定量投放的容器里，将硅片和盛放体3放置好之后，将蜡液定量通过从盛放体3顶部的口投放在硅片上部面的中心，然后使用提手1将盖体2提起，将盖体2底部的第一卡槽5和第二卡槽7分别对准第一限位块6和第二限位块8，把盖体2向下压，盖体2进入到盛放体3的内部，第一限位块6卡在第一卡槽5里，第二限位块8卡在第二卡槽7里，将盖体2压实，使得硅片上的蜡液与盖体2的底部面充分接触，将硅片上的蜡液压实，第一限位块6和第二限位块8使得蜡液在与盖体2的底部面接触时不会被压得过轻或过重，保证了蜡膜厚度的精确性和稳定性，涂蜡完成之后通过把持部4将盛放体3移开就完成了硅片的涂蜡工作了。本技术未详述部分为现有技术，尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本技术，具体实现该技术方案方法和途径很多，以上所述仅是本技术的优选实施方式，但所属领域的技术人员应该明白，在不脱离所附权利要求书所限定的本技术的精神和范围内，在形式上和细节上可以对本技术做出各种变化，均为本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单晶硅片厚蜡涂抹装置，包括提手、盖体、盛放体、把持部、第一卡槽、第一限位块、第二卡槽和第二限位块，其特征是：在盛放体上设有盖体，盖体上分别设有提手、第一卡槽和第二卡槽，盛放体上还分别设有把持部、第一限位块和第二限位块。

【技术特征摘要】
1.一种单晶硅片厚蜡涂抹装置，包括提手、盖体、盛放体、把持部、第一卡槽、第一限位块、第二卡槽和第二限位块，其特征是：在盛放体上设有盖体，盖体上分别设有提手、第一卡槽和第二卡槽，盛放体上还分别设有把持部、第一限位块和第二限位块。2.根据权利要求1所述的一种单晶硅片厚蜡涂抹装置，其特征是：所述盛放体为圆管状结构，盛放体的外侧面上设有把持部。3.根据权利要求1所述的一种单晶硅片厚蜡涂抹装置，其特征是：所述把持部为圆环型或椭圆型结构，把持部设置在盛放体外侧壁的中部或中部靠上的位置，把持部以盛放体的中心线为轴线呈左右对称结构设置。4.根据权利要求1所述的一种单晶硅片厚蜡涂抹装置，其特征是：所述盛放体的内壁上分别设有第一限位块和第二限位块，第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐信富，郭金娥，章云杰，赵世印，王建伟，徐茂圣，苗战彪，袁大双，
申请(专利权)人：洛阳市鼎晶电子材料有限公司，
类型：新型
国别省市：河南,41