一种单晶硅片双片单面腐蚀装置制造方法及图纸

一种单晶硅片双片单面腐蚀装置，涉及硅片技术领域，包括操作杆、旋钮、固定圈、第一卡槽、第二卡槽、固定柱和螺纹，在操作杆上设有固定圈，固定圈上分别设有第一卡槽、第二卡槽和固定柱，固定柱上设有旋钮和螺纹；本实用新型专利技术结构简单、实用性强，不但可以在快速完成双硅片的单面腐蚀工作，而且在降低生产成本的同时提高了生产效率。

【技术实现步骤摘要】
一种单晶硅片双片单面腐蚀装置
本技术涉及硅片
，尤其是涉及一种单晶硅片双片单面腐蚀装置。
技术介绍
公知的，硅片腐蚀是利用氢氧化钠对多晶硅腐蚀作用，去除硅片在多线切割锯切片时产生的表面损伤层，同时利用氢氧化钠对硅腐蚀的各向异性，争取表面较低反射率较低的表面织构，目前硅片在进行腐蚀处理的时候通常是将硅片直接投放到腐蚀液中去，然而有些程序中硅片的使用和后续的工艺中只需要硅片的单面处理，例如研制各种微型传感器、微执行器和微机械结构等，因此，在腐蚀这一步骤中只需要进行单面腐蚀就可以满足硅片的使用，并且双面腐蚀降低了硅片的厚度、浪费了化学品药液，最终导致了整个生产工艺的能耗高、效率低。
技术实现思路
为了克服
技术介绍
中的不足，本技术公开了一种单晶硅片双片单面腐蚀装置，本技术通过在固定圈的内壁上设置第一卡槽和第二卡槽，以此来达到进行双片硅片的单面腐蚀的目的。为了实现所述技术目的，本技术采用如下技术方案：一种单晶硅片双片单面腐蚀装置，包括操作杆、旋钮、固定圈、第一卡槽、第二卡槽、固定柱和螺纹，在操作杆上设有固定圈，固定圈上分别设有第一卡槽、第二卡槽和固定柱，固定柱上设有旋钮和螺纹。所述操作杆为圆柱型或棱柱型结构，操作杆的一端设有固定圈。所述固定圈为圆环型结构，固定圈的外壁与操作杆呈垂直结构设置，固定圈的外壁上设有开口，开口处设有固定柱。所述固定柱为圆柱型结构，固定柱设置在固定圈外壁开口处的中线上，固定柱的一端与操作杆连接，固定柱的另一端与固定圈连接，固定柱与操作杆为固定连接结构，固定柱和操作杆处于同一直线上，固定柱的两个端面和操作杆的两个端面呈平行结构，固定柱的外壁上设有螺纹。所述旋钮为圆型结构，旋钮的中部设有孔，固定柱穿过旋钮上的孔与旋钮相连接，旋钮上的孔的内部设有螺纹，孔内的螺纹与固定柱外壁上的螺纹相匹配。所述固定圈的内壁上设有第一卡槽和第二卡槽，第一卡槽和第二卡槽均为圆型结构，第一卡槽和第二卡槽呈平行结构设置在固定圈的内壁上，第一卡槽和第二卡槽与固定圈的顶边和底边均呈平行结构设置。由于采用了上述技术方案，本技术具有如下有益效果：本技术所述的一种单晶硅片双片单面腐蚀装置，包括操作杆、旋钮、固定圈、第一卡槽、第二卡槽、固定柱和螺纹，通过在固定圈的内壁上设置第一卡槽和第二卡槽，以此来达到进行双片硅片的单面腐蚀的目的；本技术结构简单、实用性强，不但可以在快速完成双硅片的单面腐蚀工作，而且在降低生产成本的同时提高了生产效率。附图说明图1为本技术的结构示意图；图2为本技术的固定圈的内壁结构示意图；图3为本技术固定圈与旋钮的连接结构示意图；图4为本技术固定柱与旋钮的连接结构示意图；图中：1、操作杆；2、旋钮；3、固定圈；4、第一卡槽；5、第二卡槽；6、固定柱；7、螺纹。具体实施方式通过下面的实施例可以详细的解释本技术，公开本技术的目的旨在保护本技术范围内的一切技术改进。结合附图1~4所述的一种单晶硅片双片单面腐蚀装置，包括操作杆1、旋钮2、固定圈3、第一卡槽4、第二卡槽5、固定柱6和螺纹7，在操作杆1上设有固定圈3，固定圈3上分别设有第一卡槽4、第二卡槽5和固定柱6，固定柱6上设有旋钮2和螺纹7。所述操作杆1为圆柱型或棱柱型结构，操作杆1的一端设有固定圈3。所述固定圈3为圆环型结构，固定圈3的外壁与操作杆1呈垂直结构设置，固定圈3的外壁上设有开口，开口处设有固定柱6。所述固定柱6为圆柱型结构，固定柱6设置在固定圈3外壁开口处的中线上，固定柱6的一端与操作杆1连接，固定柱6的另一端与固定圈3连接，固定柱6与操作杆1为固定连接结构，固定柱6和操作杆1处于同一直线上，固定柱6的两个端面和操作杆1的两个端面呈平行结构，固定柱6的外壁上设有螺纹7。所述旋钮2为圆型结构，旋钮2的中部设有孔，固定柱6穿过旋钮2上的孔与旋钮2相连接，旋钮2上的孔的内部设有螺纹，孔内的螺纹与固定柱6外壁上的螺纹7相匹配。所述固定圈3的内壁上设有第一卡槽4和第二卡槽5，第一卡槽4和第二卡槽5均为圆型结构，第一卡槽4和第二卡槽5呈平行结构设置在固定圈3的内壁上，第一卡槽4和第二卡槽5与固定圈3的顶边和底边均呈平行结构设置。实施例1，所述的一种单晶硅片双片单面腐蚀装置，在使用的时候，先在固定圈3的外部设置固定柱6，在固定柱6上设置旋钮2，旋钮2通过固定柱6外壁上的螺纹7与固定柱6连接，在固定柱6上设置操作杆1，然后将两个硅片分别放置在固定圈3内壁上的第一卡槽4和第二卡槽5内，使得两个硅片的边缘分别卡在第一卡槽4和第二卡槽5的内部，然后在固定圈3的开口处将旋钮2拧紧，使得两个硅片固定在第一卡槽4和第二卡槽5的内部，此时两个硅片相向的两个面与固定圈3的内壁共同形成了一个封闭的空间，然后通过操作杆1来实现整个装置的移动和翻转就可以了，将固定圈3浸入腐蚀液中，使得两个硅片分别裸露在固定圈3顶部和底部的两个面与腐蚀液发生化学反应即可，这样就完成了双硅片的单面腐蚀操作了。本技术未详述部分为现有技术，尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本技术，具体实现该技术方案方法和途径很多，以上所述仅是本技术的优选实施方式，但所属领域的技术人员应该明白，在不脱离所附权利要求书所限定的本技术的精神和范围内，在形式上和细节上可以对本技术做出各种变化，均为本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单晶硅片双片单面腐蚀装置，包括操作杆、旋钮、固定圈、第一卡槽、第二卡槽、固定柱和螺纹，其特征是：在操作杆上设有固定圈，固定圈上分别设有第一卡槽、第二卡槽和固定柱，固定柱上设有旋钮和螺纹。

【技术特征摘要】
1.一种单晶硅片双片单面腐蚀装置，包括操作杆、旋钮、固定圈、第一卡槽、第二卡槽、固定柱和螺纹，其特征是：在操作杆上设有固定圈，固定圈上分别设有第一卡槽、第二卡槽和固定柱，固定柱上设有旋钮和螺纹。2.根据权利要求1所述的一种单晶硅片双片单面腐蚀装置，其特征是：所述操作杆为圆柱型或棱柱型结构，操作杆的一端设有固定圈。3.根据权利要求1所述的一种单晶硅片双片单面腐蚀装置，其特征是：所述固定圈为圆环型结构，固定圈的外壁与操作杆呈垂直结构设置，固定圈的外壁上设有开口，开口处设有固定柱。4.根据权利要求1所述的一种单晶硅片双片单面腐蚀装置，其特征是：所述固定柱为圆柱型结构，固定柱设置在固定圈外壁开口处的中线上，固定柱的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭金娥，徐信富，章云杰，马利利，袁大双，王建伟，徐茂圣，苗战彪，
申请(专利权)人：洛阳市鼎晶电子材料有限公司，
类型：新型
国别省市：河南,41