一种湿法氧化装置及其方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种湿法氧化装置，包括密闭壳体、加热盘、晶圆、恒温水浴、多孔水蒸汽发生器、第一流量控制阀、第二流量控制阀、CCD摄像头和电脑；所述加热盘安装在所述密闭壳体内；所述晶圆设置在所述加热盘上；所述多孔水蒸汽发生器设置在所述恒温水浴内。本发明专利技术质量稳定，制造成本低，避免酸性等腐蚀液体的加入，提高设备安全性和寿命使器件氧化层可以不断扩大，提高加工范围；提高器件的加工生产效率，操作较简单，有效防止多余杂质干扰；具有体积小、圆形输出光斑、单纵模输出、阈值电流小、价格低廉、易集成为大面积阵列等优点。

A wet oxidation device and its method

The invention provides a wet oxidation device, which comprises a closed shell, a heating plate, a wafer, a constant temperature water bath, a porous steam generator, a first flow control valve, a second flow control valve, a CCD camera and a computer; the heating plate is installed in the closed shell; the wafer is arranged on the heating plate; the porous steam generator is arranged in the constant temperature water bath. \u3002 The invention has stable quality, low manufacturing cost, avoiding the addition of corrosive liquids such as acidic liquids, improving the safety and service life of the equipment so that the oxide layer of the device can be continuously expanded and the processing range can be improved; the processing efficiency of the device can be improved, the operation is simple, and the interference of excess impurities can be effectively prevented; the device has small volume, circular output spot, single longitudinal mode output, small threshold current, low price, and so on. It is easy to integrate into large area array.

【技术实现步骤摘要】
一种湿法氧化装置及其方法
本专利技术涉及在半导体
，尤其涉及一种湿法氧化装置及其方法。
技术介绍
1990年美国伊利诺大学的K.Holonyalk等人首先在实验中发现高Al组分的AlxGa1-xAs，在较高温度与水蒸气反应生成化学性质稳定的绝缘性能良好的氧化层。进而出现的AlAs湿氮氧化技术，成为VCSEL(垂直腔面发射激光器)及其阵列研制中最广泛且关键的工艺，其关键技术在于，通过氧化反应限制VCSEL谐振腔中的高铝层，良好适用于与小尺寸，低阈值电流的VCSEL。湿法氧化法是指在VCSEL有源层和上下分布式布拉格反射镜(DBR)层之间插入含有高铝组分的AlGaAs氧化层，利用水蒸汽从侧向氧化生成氧化铝，形成高阻值限制区，用来进行电限制和光限制，可以使VCSEL极低阈值实现连续发射。氧化孔径的精度与氧化工艺的热稳定性，对提高VCSEL的输出功率和光电转换效率至关重要。湿法氧化工艺就是按一定的氧化速率通过氧化时间控制氧化深度，实现氧化限制孔径与出光孔径的精确对准。简单的湿法刻蚀技术：对载流子进行横向限制，最简单的方法就是将器件的谐振腔及上DBR刻蚀成柱型结构。刻蚀空气柱型的湿法湿法本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种湿法氧化装置，其特征在于：包括密闭壳体(1)、加热盘(2)、晶圆(3)、恒温水浴(5)、多孔水蒸汽发生器(6)、第一流量控制阀(7)、第二流量控制阀(8)、CCD摄像头(9)和电脑(10)；所述加热盘(2)安装在所述密闭壳体(1)内；所述晶圆(3)设置在所述加热盘(2)上；所述多孔水蒸汽发生器(6)设置在所述恒温水浴(5)内；所述密闭壳体(1)通过管路与所述多孔水蒸汽发生器(6)连通；所述第一流量控制阀(7)的一端通过管路与所述多孔水蒸汽发生器(6)连通，所述第一流量控制阀(7)的另一端通过管路与第一气罐(13)连通，充入氮气；所述第二流量控制阀(8)的一端通过管路与所述密闭壳体(1)...

【技术特征摘要】
1.一种湿法氧化装置，其特征在于：包括密闭壳体(1)、加热盘(2)、晶圆(3)、恒温水浴(5)、多孔水蒸汽发生器(6)、第一流量控制阀(7)、第二流量控制阀(8)、CCD摄像头(9)和电脑(10)；所述加热盘(2)安装在所述密闭壳体(1)内；所述晶圆(3)设置在所述加热盘(2)上；所述多孔水蒸汽发生器(6)设置在所述恒温水浴(5)内；所述密闭壳体(1)通过管路与所述多孔水蒸汽发生器(6)连通；所述第一流量控制阀(7)的一端通过管路与所述多孔水蒸汽发生器(6)连通，所述第一流量控制阀(7)的另一端通过管路与第一气罐(13)连通，充入氮气；所述第二流量控制阀(8)的一端通过管路与所述密闭壳体(1)连通，所述第二流量控制阀(8)的另一端通过管路与第二气罐(12)连通，充入氮气和氢气的混合气体；所述CCD摄像头(9)设置在所述晶圆(3)的正上方，所述CCD摄像头(9)与所述电脑(10)连接。2.根据权利要求1所述的湿法氧化装置，其特征在于：所述湿法氧化装置还包括干燥器(4)，所述干燥器(4)设置在所述密闭壳体(1)与所述多孔水蒸汽发生器(6)之间的管路上。3.根据权利要求1所述的湿法氧化装置，其特征在于：所述密闭壳体(1)一侧设置有排气孔(11)。4.一种如权利要求1所述的湿法氧化装置的湿法氧化方法，其特征在于，包括如下步骤：S01，安放：做好器件的晶圆(3)放到加热盘(2)上，确保安放好后，关上密闭壳体(1)；S02，清气：充入氮...

【专利技术属性】
技术研发人员：王冲，魏子尧，
申请(专利权)人：宁波润华全芯微电子设备有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33