The invention provides a cleaning device for detecting abnormal position of silicon wafers and a cleaning method thereof. The cleaning device comprises a cleaning drum and at least two rollers on one side of the cleaning drum. The roller is provided with a support part which supports the silicon wafer and rotates the silicon wafer through the co-rotating of the rollers. The support part is provided with a pressure sensor and a buffer structure. The sensor detects the torsion perpendicular to the surface of the silicon wafer, and the buffer structure adjusts the support of the silicon wafer by stretching. In the cleaning equipment and method for detecting the abnormal position of silicon wafer provided by the invention, the buffer structure arranged on the support part of the wafer can adjust the abnormal position of the silicon wafer to improve the adaptability of the equipment during the cleaning process, and the torsion perpendicular to the surface of the silicon wafer can be detected by the pressure sensor arranged on the support part, so that the silicon wafer can be detected in time. Abnormal position to prevent silicon damage and debris.
【技术实现步骤摘要】
检测硅片位置异常的清洗设备及其清洗方法
本专利技术涉及半导体
,特别涉及一种检测硅片位置异常的清洗设备及其清洗方法。
技术介绍
在半导体
中,随着技术的不断发展,对于半导体器件的要求也越来越高。其中涉及到多道清洗工艺,例如在CMP工艺后的洗净清洗中,会采用到刷洗滚筒及滚轴对硅片进行清洗,通过刷洗滚筒的两个滚筒夹住硅片并通过反向转动进行清洗,而滚轴通过同向转动使硅片转动从而实现整片硅片不断的循环刷清,达到所需的清洗效果。然而现有的设备在洗净过程中,随着设备使用时间的增加以及部件的磨损等,滚轴在转运过程中可能会使硅片产生相对位移差,即对硅片产生一个扭矩,可能导致硅片损伤,甚至会发生碎片。因此,如何解决硅片在清洗过程中出现硅片位置异常的问题是本领域技术人员努力的方向。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种检测硅片位置异常的清洗设备及其清洗方法,以解决硅片在清洗过程中出现位置异常的问题。为解决上述技术问题,本专利技术提供一种检测硅片位置异常的清洗设备,所述检测硅片位置异常的清洗设备包括刷洗滚筒和位于所述刷洗滚筒一侧的至少两个滚轴,所述刷洗滚筒包括平行设置的两 ...
【技术保护点】
1.一种检测硅片位置异常的清洗设备,其特征在于,所述检测硅片位置异常的清洗设备包括:刷洗滚筒,所述刷洗滚筒包括平行设置的两个滚筒,两个所述滚筒用于夹住硅片并通过反向转动进行清洗;位于所述刷洗滚筒一侧的至少两个滚轴,所述滚轴上设置有支撑部,所述支撑部为硅片提供支撑并通过所述滚轴的同向转动使硅片转动,所述支撑部设置有压力传感器和缓冲结构,所述压力传感器检测垂直于硅片表面的扭力,所述缓冲结构通过伸缩调节对硅片的支撑。
【技术特征摘要】
1.一种检测硅片位置异常的清洗设备,其特征在于,所述检测硅片位置异常的清洗设备包括:刷洗滚筒,所述刷洗滚筒包括平行设置的两个滚筒,两个所述滚筒用于夹住硅片并通过反向转动进行清洗;位于所述刷洗滚筒一侧的至少两个滚轴,所述滚轴上设置有支撑部,所述支撑部为硅片提供支撑并通过所述滚轴的同向转动使硅片转动,所述支撑部设置有压力传感器和缓冲结构,所述压力传感器检测垂直于硅片表面的扭力,所述缓冲结构通过伸缩调节对硅片的支撑。2.根据权利要求1所述检测硅片位置异常的清洗设备,其特征在于,所述压力传感器的数量为两个,两个所述压力传感器分别设置在所述支撑部的两端。3.根据权利要求1或2所述检测硅片位置异常的清洗设备,其特征在于,所述缓冲结构的数量为两个,两个所述缓冲结构分别设置在所述支撑部的两端。4.根据权利要求1或2所述检测硅片位置异常的清洗设备,其特征在于,所述缓冲结构包括弹簧或橡胶。5.根据权利要求1或2所述检测硅片位置异常的清洗设备,其...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴建荣,
申请(专利权)人:上海华虹宏力半导体制造有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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