一种半导体器件及其制造方法技术

技术编号:20549062 阅读:39 留言:0更新日期:2019-03-09 21:29
本申请公开了一种半导体器件及其制造方法,所述半导体器件包括:至少一个半导体激光器,其具有垂直发射器和至少一个泵浦辐射源,它们并排单片地集成到共同的衬底上,所述衬底是由绝缘材料和导电材料共同构成的复合体,以及导电元件,所述导电元件与所述半导体激光器进行接触,并且具有安装面,所述安装面设置在支承体上。本发明专利技术的优点是:实现简单,可以将所有衬底制成统一的标准件,制备工艺极大简化,制作过程只需两步,物料种类少,封装夹具要求低,因此物料成本及人工成本节约显著。能增强产品的抗疲劳能力和热稳定性,最终提高产品的寿命和可靠性,最终提高激光器封装的成品率。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制造方法
本专利技术涉及一种半导体器件及其制造方法。
技术介绍
CN107749561A公开了一种半导体激光器封装结构及其制备方法,其中结构包括热沉,形成在热沉第一表面上的焊料层,以及通过焊料层焊接在第一表面上的半导体激光器管芯,半导体激光器管芯的脊区靠近焊料层设置;其中,第一表面上开设有一凹槽,凹槽长度方向与脊区长度方向平行;且脊区设置在凹槽的垂直上方。通过在热沉的一个表面上开设一个凹槽,半导体激光器管芯通过焊料与热沉焊接固定,且半导体激光器管芯的脊区在凹槽的垂直上方,采用这种半导体激光器封装结构,能防止焊料因受热熔化而污染管芯,同时保证镜面良好的散热。但是其显著缺点是:工艺复杂,成本高,对封装设备及操作人员要求极高,整个过程人工及设备投入高。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述不足,提供一种半导体器件及其制造方法,其使结构简单,可以有效解决现有结构方案中器件合格率低、工艺复杂的技术问题。为了实现上述目的,本专利技术采用的技术方案为:一种半导体器件,其特征在于,包括:至少一个半导体激光器,其具有垂直发射器和至少一个泵浦辐射源,它们并排单片地集成到共同的衬底上,本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件,其特征在于,包括:至少一个半导体激光器,其具有垂直发射器和至少一个泵浦辐射源,它们并排单片地集成到共同的衬底上,所述衬底是由绝缘材料和导电材料共同构成的复合体,以及导电元件,所述导电元件与所述半导体激光器进行接触,并且具有安装面,所述安装面设置在支承体上。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件,其特征在于,包括:至少一个半导体激光器,其具有垂直发射器和至少一个泵浦辐射源,它们并排单片地集成到共同的衬底上,所述衬底是由绝缘材料和导电材料共同构成的复合体,以及导电元件,所述导电元件与所述半导体激光器进行接触,并且具有安装面,所述安装面设置在支承体上。2.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述复合体的底部为绝缘材料。3.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述复合体由多层绝缘材料和多层导电材料以间隔层叠的形式构成。4.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述导电材料为铜、钨、钼、金、银、铝、铜钨、钼铜、铜钼铜或者金刚石铜复合材料;绝缘材料为氮化铝、金刚石、氧化铍或者氧化铝。5.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述导电材料的结构形式是:设置于绝缘导热块顶部和/或绝缘...

【专利技术属性】
技术研发人员:张国虹葛鹏谭隽
申请(专利权)人:北京航天情报与信息研究所
类型:发明
国别省市:北京,11

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