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本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：至少一个半导体激光器，其具有垂直发射器和至少一个泵浦辐射源，它们并排单片地集成到共同的衬底上，所述衬底是由绝缘材料和导电材料共同构成的复合体，以及导电元件，所述导电元件与所述半导体...
该专利属于北京航天情报与信息研究所所有，仅供学习研究参考，未经过北京航天情报与信息研究所授权不得商用。

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