The invention discloses a method for processing thin film structure by oblique evaporation, which belongs to the technical field of thin film structure processing, including cleaning steps, gluing steps, exposure steps, developing steps, coating steps and stripping steps. It is a method for treating thin film structure by oblique evaporation, in order to realize evaporation of side thin film with specific micro-nano size and controllable parameters, and meet the requirements of reality. The method of evaporating and evaporating the side film structure of micro-nano column according to the demand.
【技术实现步骤摘要】
一种利用斜蒸发加工薄膜结构的方法
本专利技术属于薄膜结构处理
,具体涉及一种利用斜蒸发加工薄膜结构的方法。
技术介绍
突飞猛进的半导体技术带来了芯片、MEMS等产业的发展,在单位面积及单位体积内集成的功能结构越来越多,而能够在更微小结构的加工制造是整个半导体工艺领域的追求。而微纳器件的立体结构加工是实现器件体积压缩的一种有效途径,目前,常用的技术方案为通过外延生长特定的多层立体柱结构,或者通过top-down设计刻蚀外延层形成所需的柱状结构,再将特定的功能结构集成在多层柱状微小结构上,从而有效节省空间;在此技术基础上,在这些微纳柱状结构的侧面蒸镀特定的侧面电极或者功能薄膜,能更加有效的对柱状结构进行合理调控和性质、功能改善,提高可控性,拓展其功能应用。但是现有技术中采用蒸镀方法加工侧边膜结构的过程中,存在以下问题:1、采用垂直蒸发方法只能加工包覆式的结构,难以实现特定微纳形状以及参数可控的侧面薄膜的蒸镀;2、采用普通的斜蒸发工艺无法解决微纳柱侧壁靠近顶端部分(包括柱顶面边缘)会暴露在蒸镀束流中而被蒸镀上金属的问题,因此也不能实现薄膜结构上端的图形化,从而使得在侧壁上加工任意形状膜结构不能完全实现。因此,寻找避免柱顶附近侧壁在斜蒸发过程中镀上金属的方法,从而实现微纳尺寸特定、参数可控的任意形状侧面薄膜的制备,是目前本领域技术人员亟待解决的问题。在薄膜制备中,悬胶蒸发方法是一种重要的工艺手段,如在现有技术中公开号为CN103869637A,公开时间为2014年6月18日,名称为“采用光刻胶剥离制备斜坡状边缘金属膜的工艺方法”的中国专利技术专利文献,公开了 ...
【技术保护点】
1.一种利用斜蒸发加工薄膜结构的方法,其特征在于,包括如下步骤:清洗步骤,清洗带有微纳柱结构的基片;覆胶步骤,在经过清洗步骤的基片上旋涂一层能通过低剂量电子束进行曝光的光刻胶Ⅰ,然后进行烘烤使光刻胶Ⅰ覆在基片表面,然后再旋涂一层能通过高剂量电子束进行曝光的光刻胶Ⅱ,然后进行烘烤使光刻胶Ⅱ覆在光刻胶Ⅰ表面;曝光步骤,通过控制电子束的剂量对经过覆胶步骤后的基片上的光刻胶Ⅰ和光刻胶Ⅱ按照设计形状进行曝光形成掩膜结构图形,掩膜结构图形中间位置采用高剂量电子束进行曝光,使得中间位置的光刻胶Ⅰ和光刻胶Ⅱ均被曝光,靠近基片的微纳柱结构侧壁的位置则采用低剂量电子束进行曝光,仅有下层的光刻胶Ⅰ被曝光去除掉,而上层光刻胶Ⅱ形成悬胶结构阻挡层;显影步骤,将经过曝光步骤的基片放入显影液中进行显影,在曝光步骤中被高剂量电子束曝光过的光刻胶Ⅰ和光刻胶Ⅱ以及被低剂量电子束曝光过的光刻胶Ⅰ部分被显影液溶解,使基片上的光刻胶Ⅰ和光刻胶Ⅱ按照掩膜结构图形显影出图像窗口,图像窗口底部露出基片上表面;镀膜步骤,将经过显影步骤的基片贴在蒸镀盘上,用电子束蒸发或者热蒸发蒸镀的方法、通过基片的图像窗口处根据需求向基片的微纳柱结构镀 ...
【技术特征摘要】
1.一种利用斜蒸发加工薄膜结构的方法,其特征在于,包括如下步骤:清洗步骤,清洗带有微纳柱结构的基片;覆胶步骤,在经过清洗步骤的基片上旋涂一层能通过低剂量电子束进行曝光的光刻胶Ⅰ,然后进行烘烤使光刻胶Ⅰ覆在基片表面,然后再旋涂一层能通过高剂量电子束进行曝光的光刻胶Ⅱ,然后进行烘烤使光刻胶Ⅱ覆在光刻胶Ⅰ表面;曝光步骤,通过控制电子束的剂量对经过覆胶步骤后的基片上的光刻胶Ⅰ和光刻胶Ⅱ按照设计形状进行曝光形成掩膜结构图形,掩膜结构图形中间位置采用高剂量电子束进行曝光,使得中间位置的光刻胶Ⅰ和光刻胶Ⅱ均被曝光,靠近基片的微纳柱结构侧壁的位置则采用低剂量电子束进行曝光,仅有下层的光刻胶Ⅰ被曝光去除掉,而上层光刻胶Ⅱ形成悬胶结构阻挡层;显影步骤,将经过曝光步骤的基片放入显影液中进行显影,在曝光步骤中被高剂量电子束曝光过的光刻胶Ⅰ和光刻胶Ⅱ以及被低剂量电子束曝光过的光刻胶Ⅰ部分被显影液溶解,使基片上的光刻胶Ⅰ和光刻胶Ⅱ按照掩膜结构图形显影出图像窗口,图像窗口底部露出基片上表面;镀膜步骤,将经过显影步骤的基片贴在蒸镀盘上,用电子束蒸发或者热蒸发蒸镀的方法、通过基片的图像窗口处根据需求向基片的微纳柱结构镀上薄膜材料,且镀膜过...
【专利技术属性】
技术研发人员:王文杰,李舒啸,谢武泽,安宁,李倩,曾建平,
申请(专利权)人:中国工程物理研究院电子工程研究所,
类型:发明
国别省市:四川,51
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