图像传感器及其形成方法技术

一种图像传感器及其形成方法，所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底内具有光电二极管；介质层，位于在所述半导体衬底的表面；多个具有不同滤光颜色的滤光器，设置于所述介质层的表面，所述多个具有不同滤光颜色的滤光器包括红色滤光器；其中，所述介质层被所述红色滤光器覆盖的部分内具有光折射薄膜，所述光折射薄膜的折射率小于所述介质层的折射率，且所述光折射薄膜的透光率大于预设阈值。本发明专利技术方案可以提高红光的量子效率，增强红光的光电转换效果。

Image Sensor and Its Formation Method

An image sensor and its forming method include: a semiconductor substrate with photodiodes in the semiconductor substrate; a dielectric layer located on the surface of the semiconductor substrate; a plurality of filters with different filter colors, arranged on the surface of the dielectric layer, and the plurality of filters with different filter colors, including a red filter; In the medium layer covered by the red filter, there is a light refractive film, the refractive index of the light refractive film is less than the refractive index of the medium layer, and the light transmittance of the light refractive film is larger than the preset threshold. The scheme of the invention can improve the quantum efficiency of red light and enhance the photoelectric conversion effect of red light.

【技术实现步骤摘要】
图像传感器及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种图像传感器及其形成方法。
技术介绍
图像传感器是摄像设备的核心部件，通过将光信号转换成电信号实现图像拍摄功能。以CMOS图像传感器(CMOSImageSensors，简称CIS)器件为例，由于其具有低功耗和高信噪比的优点，因此在各种领域内得到了广泛应用。以背照式(Back-sideIllumination，简称BSI)CIS为例，在现有的制造工艺中，先在半导体衬底内形成逻辑器件、像素器件以及金属互连结构，然后采用承载晶圆与所述半导体衬底的正面键合，进而对半导体衬底的背部进行减薄，进而在半导体衬底的背面形成CIS的后续工艺，例如在所述像素器件的半导体衬底背面形成介质层，进而在介质层的表面形成滤光器(ColorFilter)等。其中，滤光器通常包括多个最小重复单元，以拜耳(Bayer)滤光器阵列为例，所述最小重复单元中通常包括绿色滤光器、红色滤光器以及蓝色滤光器。具体而言，红色光线的波长大于绿色光线的波长，绿色光线的波长大于蓝色光线的波长。然而，由于红光的波长更长，导致在红光穿过光电二极管的过程中，光吸收更少，难以产生本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底内具有光电二极管；介质层，位于在所述半导体衬底的表面；多个具有不同滤光颜色的滤光器，设置于所述介质层的表面，所述多个具有不同滤光颜色的滤光器包括红色滤光器；其中，所述介质层被所述红色滤光器覆盖的部分内具有光折射薄膜，所述光折射薄膜的折射率小于所述介质层的折射率，且所述光折射薄膜的透光率大于预设阈值。

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底内具有光电二极管；介质层，位于在所述半导体衬底的表面；多个具有不同滤光颜色的滤光器，设置于所述介质层的表面，所述多个具有不同滤光颜色的滤光器包括红色滤光器；其中，所述介质层被所述红色滤光器覆盖的部分内具有光折射薄膜，所述光折射薄膜的折射率小于所述介质层的折射率，且所述光折射薄膜的透光率大于预设阈值。2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述光折射薄膜的面积小于所述红色滤光器的覆盖面积，且所述光折射薄膜在所述介质层被所述红色滤光器覆盖的部分内的位置偏向所述半导体衬底的中心。3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述光折射薄膜的上表面与所述介质层的上表面齐平和/或所述光折射薄膜的下表面与所述介质层的下表面齐平。4.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述介质层的材料选自：氧化钛，氧化钽、氧化铪以及氮化物。5.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述光折射薄膜的材料选自：氧化硅、氧化铪以及氮氧化硅。6.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内具有光电二极管；在所述半导体衬底的表面形成介质层；在所述介质层的表面形成多个具有不同滤光颜色...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁琦，陈世杰，黄晓橹，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32