动态随机存取存储器及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种动态随机存取存储器(dynamic random access memory；DRAM)及其制造方法。所述动态随机存取存储器包括基底、多个隔离结构、多条字线、多个位线触点以及多条埋入式位线。所述隔离结构位于基底中且定义出沿着第一方向延伸的多个主动区域。所述字线位于基底中并沿着第二方向延伸，且第二方向与第一方向相交。所述位线触点位于隔离结构上，其中每一位线触点具有定义出位线侧面触点的扩散区域。埋入式位线位于位线触点上，其中每一埋入式位线通过位线侧面触点以与主动区域连接，所述埋入式位线沿着第一方向延伸且与多个主动区域平行设置。

Dynamic Random Access Memory and Its Manufacturing Method

The invention provides a dynamic random access memory (DRAM) and a manufacturing method thereof. The dynamic random access memory includes a base, a plurality of isolation structures, a plurality of word lines, a plurality of bit line contacts and a plurality of embedded bit lines. The isolation structure is located in the base and defines a plurality of active regions extending in the first direction. The zigzag line is located in the base and extends in the second direction, and the second direction intersects with the first direction. The bitline contacts are located on the isolation structure, in which each bitline contact has a diffusion region defining the side contacts of the bitline. The buried position line is located at the contact point of the position line, in which each buried position line is connected with the active area through the side contact point of the position line. The buried position line extends in the first direction and is set parallel to multiple active areas.

【技术实现步骤摘要】
动态随机存取存储器及其制造方法
本专利技术实施例涉及一种动态随机存取存储器及其制造方法。
技术介绍
随着动态随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory；DRAM)的设计尺寸变得越来越小，半导体装置也不断地发展成为具有更高的密度。一般而言，传统的动态随机存取存储器单元需要具斜角的主动区域布局(angledactivearealayout)，这是因为电容必须连接到主动区域且同时不与位线短路。基于具斜角的主动区域布局，主动区域之间的间距会被紧缩，进而容易造成微影制程的困难、高位线寄生电容的产生以及较差的位线感测幅度等问题。有鉴于此，如何改善动态随机存取存储器的性能和设计为现有技术中的重要课题。
技术实现思路
本专利技术提供一种动态随机存取存储器及其制造方法，可用以解决微影制程的困难、存储节点接触的主动接触面积小、较差的写入恢复时间特性、高位线寄生电容的产生以及较差的位线感测幅度等问题。本专利技术的一实施例提供一种动态随机存取存储器，包括基底、多个隔离结构、多条字线、多个位线触点以及多条埋入式位线。多个隔离结构位于基底中且定义出沿着第一方向延伸的多个主动区域。多个位线触点位于多个隔离结构上，其中每一位线触点具有定义出位线侧面触点的扩散区域。多条埋入式位线位于多个位线触点上，其中每一埋入式位线通过位线侧面触点以与主动区域连接，埋入式位线沿着第一方向延伸且与多个主动区域平行设置。本专利技术的一实施例进一步提供一种动态随机存取存储器的制造方法，包括以下步骤。提供基底，且在基底中定义出沟槽。在所述基底的沟槽中形成多个隔离结构，且所述多个隔离结构定义出沿着第一方向延伸的多个主动区域。通过斜角离子注入步骤在所述隔离结构上方与所述沟槽中的一侧壁上形成衬垫以及间隙物。多条字线是形成于基底中且沿着第二方向延伸，且第二方向与第一方向相交。于多个隔离结构上方形成多个位线触点，其中每一所述位线触点具有定义出位线侧面触点的扩散区域，且衬垫以及间隙物覆盖每一位线触点的一侧边。在多个位线触点上方形成多条埋入式位线，其中每一埋入式位线通过所述位线侧面触点与主动区域连接，所述埋入式位线沿着第一方向延伸且与多个主动区域平行设置。基于上述，本专利技术的动态随机存取存储器是形成有平行于主动区域的埋入式位线，且埋入式位线是以位线侧面触点连接至主动区域。因此，主动区域之间的间距被松弛，且较大的主动区域可以被用来达到更友善的光(微影制程)过程。此外，由于动态随机存取存储器结构具有位线侧面触点与埋入式位线，因此，可减少位线寄生电容以及改善位线感测幅度。总体而言，本专利技术可制造出具有较佳的设计与性能的动态随机存取存储器。附图说明接合附图阅读以下详细说明，会最佳地理解本专利技术实施例的各个实施方式。应注意的是，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。图1是根据本专利技术实施例的动态随机存取存储器的上视示意图。图2A至图20是根据本专利技术实施例的动态随机存取存储器的制造流程图。附图标记说明10：动态随机存取存储器101：基底102：遮罩层104：隔离结构106A：衬垫106B：间隙物108：第一氧化物层110：遮罩112：第二氧化物层112a：经蚀刻第二氧化物层114：闸氧化物116：字线116A：第一导电层116B：第二导电层118：氮化硅层118a：经蚀刻氮化硅层120、124：图案化遮罩层122：掺杂多晶硅层122a：位线触点122b：位线侧面触点126：位线侧壁128：导电材料128’：位线128A：第一导电层128B：第二导电层130：氮化硅层132：氧化硅模134：电容触点136：电容AR：主动区域D1：第一方向D2：第二方向T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8：沟槽X1：磷离子S1：第一侧壁S2：第二侧壁Y1：位线触点的一侧Y2：位线触点的另一侧具体实施方式以下将详尽参考本专利技术的较佳实施例，其示例在附图中示出。尽可能地，在附图和说明书中将使用相同的元件符号来表示相同或相似的元件。如图1所示，本专利技术实施例的动态随机存取存储器10包括多个主动区域AR、多条字线116、多条埋入式位线128’、多个位线触点(具有侧面触点122b)、多个电容触点134以及多个电容136。在本实施例中，隔离结构(未显示)定义出多个主动区域AR，且主动区域AR沿着第一方向D1延伸。多条字线116是沿着第二方向D2延伸，其中第二方向D2与第一方向D1相交。特别是，第一方向D1与第二方向D2正相交。多个位线触点位于隔离结构(未显示)上，且每一位线触点具有定义出位线侧面触点122b的扩散区域。多条埋入式位线128’位于多个位线触点上，且每一埋入式位线128’通过位线侧面触点122b以与主动区域AR连接。在本实施例中，多个主动区域AR与多条埋入式位线128’分别形成沿着第一方向D1延伸的直线。通过此直线型的主动区域布局，电容136与主动区域AR之间的界面电阻会减小。如此一来，主动区域AR之间的间距会被松弛，且较大的主动区域AR可以被用来达到更友善的光(微影制程)过程。此外，埋入式位线128’是通过位线侧面触点122b以与主动区域AR连接。在此架构下，位线128与电容触点134之间的距离会较传统结构的距离增加。因此，位线寄生电容可减小且位线感测幅度可得到改善。具有直线型的主动区域布局、埋入式位线128’与位线侧面触点122b的实施例的动态随机存取存储器10的制造方法将参照图2A至图20来进行说明。图2A至图20分别是图1的动态随机存取存储器10在不同阶段的制造过程中的顶视图与剖视图。在这些图中，会先呈现一顶视图，其后将呈现沿顶视图中的线A-A’、线B-B’、线C-C’或线D-D’的剖视图。举例来说，图2A是图1的动态随机存取存储器10在一个阶段的制造过程中的顶视图。图2B是沿图2A中的线A-A’的剖视图。图2C是沿图2A中的线B-B’的剖视图。与前述相同概念的顶视图与剖视图将应用于呈现图3A-图3C至图19A-图19E。首先，请参照图2A至图2C，提供基底101，并在基底101上形成遮罩层102。形成遮罩层102后，在基底101与遮罩层102中通过蚀刻定义出沟槽T1，使得后续可定义出主动区域AR。接着，在基底101中的沟槽T1形成多个隔离结构104。特别是，隔离结构104的形成可定义出主动区域AR，其中所述主动区域AR形成沿着第一方向D1延伸的直线。再来，请参照图3A至图3C，在形成隔离结构104后，是在隔离结构104上方与沟槽T1的侧壁上形成衬垫106A以及间隙物106B。在本实施例中，是预先形成填充至沟槽T1中以及覆盖沟槽T1的两个相对侧壁的衬垫106A。衬垫106A例如是被形成在遮罩层102顶部以覆盖遮罩层102，并且，是在后续流程中通过回蚀刻的方式使衬垫106A与遮罩层102共平面。衬垫106A例如是通过临场蒸气产生氧化程序(in-situsteamgenerationoxidationprocess；ISSGoxidationprocess)形成。在形成衬垫106A后，是在沟槽T1中形成间隙物106B以覆盖衬垫106A，其中间隙物106B也位于沟槽T1的两个相对侧壁上。在部分实施例中，间隙物106B的材本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种动态随机存取存储器，其特征在于，包括：基底；多个隔离结构位于所述基底中，其中所述多个隔离结构定义出沿着第一方向延伸的多个主动区域；多条字线位于所述基底中，其中所述多条字线沿着第二方向延伸，且所述第二方向与所述第一方向相交；多个位线触点位于所述多个隔离结构上方，其中每一所述位线触点具有定义出位线侧面触点的扩散区域；以及多条埋入式位线位于所述多个位线触点上方，其中每一所述埋入式位线通过所述位线侧面触点以与所述主动区域连接，所述多条埋入式位线沿着所述第一方向延伸且与所述多个主动区域平行设置。

【技术特征摘要】
2017.08.18 US 15/680,2171.一种动态随机存取存储器，其特征在于，包括：基底；多个隔离结构位于所述基底中，其中所述多个隔离结构定义出沿着第一方向延伸的多个主动区域；多条字线位于所述基底中，其中所述多条字线沿着第二方向延伸，且所述第二方向与所述第一方向相交；多个位线触点位于所述多个隔离结构上方，其中每一所述位线触点具有定义出位线侧面触点的扩散区域；以及多条埋入式位线位于所述多个位线触点上方，其中每一所述埋入式位线通过所述位线侧面触点以与所述主动区域连接，所述多条埋入式位线沿着所述第一方向延伸且与所述多个主动区域平行设置。2.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器，还包括衬垫以及间隙物覆盖每一所述位线触点的侧边，其中所述衬垫以及所述间隙物位于定义出所述位线侧面触点的一侧的相对位置上。3.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器，其中所述多个主动区域以及所述多条埋入式位线分别形成沿着所述第一方向延伸的直线。4.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器，其中所述第一方向与所述第二方向正相交。5.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器，还包括：多个电容触点，其中每一所述电容触点位于两条所述埋入式位线之间，且所述埋入式位线的下表面位于较所述电容触点的下表面更高的位置；以及多个电容，位于所述多个电容触点上。6.根据权利要求5所述的动态随机存取存储器，其中所述多个电容为堆叠式电容。7.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器，其中所述主动区域以及所述埋入式位线位于同一高度。8.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器，其中所述动态随机存取存储器为6F2动态随机存取存储器单元或是8F2动态随机存取存储器单元。9.一种动态随机存取存储器的制造方法，其特征在于，包括：提供基底，且在所述基底中定义出沟槽；在所述基底的所述沟槽中形成多个隔离结构，所述多个隔离结构定义出沿着第一方向延伸的多个主动区域；通过斜角离子注入步骤在所述隔离结构上方与所述沟槽中的侧壁上形成衬垫以及间隙物；在所述基底中形成多条字线，其中所述多条字线沿着第二方向延伸，且所述第二方向与所述第一方向相交；在所述多个隔离结构上方形成多个位线触...

【专利技术属性】
技术研发人员：池田典昭，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71