【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种存储器组件的操作方法，尤其涉及一种反及型闪存(nand flashmemory)组件的写入方法。
技术介绍
1、闪存属于非易失性存储器，且可容许多次写入、读取与抹除数据。特别来说，反及(nand)型闪存具有高存储密度的优点，而被广泛地应用于各种大容量的存储器产品中。随着电子产业的快速发展，不断缩短反及型闪存的存储单元间距，以提升存储密度。然而，此导致相邻存储单元之间的干扰变得更为严重，使得反及型闪存的可靠度受到影响。
技术实现思路
1、本揭露的一实施例提供一种存储器组件的操作方法。所述存储器组件的一存储器区块包括存储单元阵列，所述存储单元阵列具有多个存储单元串以及多个存储单元页，依照编号排列的多条位线连接至所述多个存储单元串，依照编号排列的多条字线连接至所述多个存储单元页，且所述操作方法包括：对各存储单元页进行分批写入，使得各存储单元页中的多个存储单元依据对应位线的编号为偶数或奇数分为先写入存储单元与后写入存储单元，而有各自的写入顺序，其中对于各存储单元页在所述写入顺序方...
【技术保护点】
1.一种存储器组件的操作方法，其中所述存储器组件的一存储器区块包括存储单元阵列，所述存储单元阵列具有多个存储单元串以及多个存储单元页，依照编号排列的多条位线连接至所述多个存储单元串，依照编号排列的多条字线连接至所述多个存储单元页，且所述操作方法包括：
2.根据权利要求1所述的存储器组件的操作方法，其中分类为所述先写入存储单元的各存储单元的8个最邻近的存储单元中，同样分类为所述先写入存储单元的其他存储单元的数量为3个。
3.根据权利要求1所述的存储器组件的操作方法，其中各存储单元串在所述先写入存储单元的数量上与其他存储单元串的差异不超过1个。p>
4.根据权...
【技术特征摘要】
1.一种存储器组件的操作方法，其中所述存储器组件的一存储器区块包括存储单元阵列，所述存储单元阵列具有多个存储单元串以及多个存储单元页，依照编号排列的多条位线连接至所述多个存储单元串，依照编号排列的多条字线连接至所述多个存储单元页，且所述操作方法包括：
2.根据权利要求1所述的存储器组件的操作方法，其中分类为所述先写入存储单元的各存储单元的8个最邻近的存储单元中，同样分类为所述先写入存储单元的其他存储单元的数量为3个。
3.根据权利要求1所述的存储器组件的操作方法，其中各存储单元串在所述先写入存储单元的数量上与其他存储单元串的差异不超过1个。
4.根据权利要求3所述的存储器组件的操作方法，其中各存储单元串在所述先写入存储单元的数量上与其他存储单元串相同。
5.根据权利要求1所述的存储器组件的操作方法，其中所述多个存储单元页依据所连接的所述多条字线的编号而依序排列，且在所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：范亦辰，王杰彦，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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