【技术实现步骤摘要】
本专利技术有关于一种半导体结构及其制造方法，且特别有关于一种动态随机存取存储器的半导体结构及其制造方法。
技术介绍
1、随着动态随机存取存储器装置的制造技术朝向微缩化发展时，许多挑战随之而生。例如，传统对于半导体结构的阵列区与周边区使用多道精密的步骤进行图案制作，以因应缩小的元件尺寸，工艺时间长且成本也相当昂贵。因此，业界仍需要改进动态随机存取存储器装置的制造方法，特别是克服在缩小的元件尺寸下进行图案化工艺所可能产生的各种问题。
技术实现思路
1、本专利技术的一实施例提供一种半导体结构，包括衬底、多个埋入式字线设置于衬底内、位于衬底上的介电材料层、位于介电材料层上的半导体材料层、以及多个接触件。衬底包括多个有源区和环绕此些有源区的多个隔离部件。此些接触件邻近前述的半导体材料层，且延伸穿过前述的半导体材料层、介电材料层和一部分的衬底，且此些接触件分别位于对应的有源区中。半导体结构还包括多个掺杂区，其中此些掺杂区分别位于半导体材料层与各个接触件之间，以使半导体材料层与此些接触件可相隔开来。p>
2、本专利本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该衬底包含一阵列区和一周边区，该半导体材料层延伸于该阵列区和该周边区，其中所述多个有源区和所述多个接触件位于该阵列区，延伸于该周边区的该半导体材料层的部分则为周边导线的一部分。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述多个接触件的顶面与该半导体材料层的顶面位于相同平面。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述多个接触件和该半导体材料层包括相同材料。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，更包括多个掺杂区，其...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该衬底包含一阵列区和一周边区，该半导体材料层延伸于该阵列区和该周边区，其中所述多个有源区和所述多个接触件位于该阵列区，延伸于该周边区的该半导体材料层的部分则为周边导线的一部分。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述多个接触件的顶面与该半导体材料层的顶面位于相同平面。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述多个接触件和该半导体材料层包括相同材料。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，更包括多个掺杂区，其中所述多个掺杂区分别位于该半导体材料层与各个接触件之间，以使该半导体材料层与所述多个接触件相隔开来。
6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，更包括：
7.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：
8.如权利要求7所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，该衬底包含一阵列区和一周...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄子勋，简毅豪，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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