【技术实现步骤摘要】
一种多晶硅还原炉电极绝缘结构
本技术涉及多晶硅制备
，具体涉及一种多晶硅还原炉电极绝缘结构。
技术介绍
目前，国内外大多都是采用改良西门子法生产多晶硅。该方法中的还原工序主要流程为：采用8000～10000伏的高电压将硅芯击穿启动，然后将一定配比的三氯氢硅和氢气的混合气体通入还原炉，混合气在通电硅芯表面发生气相沉积反应，形成多晶硅。为保证安全、稳定生产，必须对其导电元器件——电极做好相应的绝缘措施。现有的电极结构一般都是采用氧化铝/氮化硅绝缘瓷环7，以及四氟套2组合绝缘，该种结构在生产中，硅粉比较容易进入四氟套2内部，覆盖绝缘瓷环7表面，由于硅粉在高温下是导体，所以一旦其在四氟套内部空隙，或在绝缘瓷环外表形成“通路”，就会引发接地电流超载而调停，对还原生产影响非常大，且四氟套内部的硅粉难以清理，对下炉次的多晶硅造成二次污染。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述不足，提供了一种多晶硅还原炉电极绝缘结构，在不改变现有电极、底盘结构的前提下，有效避免硅粉对绝缘效果的影响，避免掉相，保证还原产能，同时避免四氟套内部间隙积累硅粉，引发二次污染。本技术的目的是这样实现的：一种多晶硅还原炉电极绝缘结构，包括底盘、四氟套、第一绝缘磁环、第二绝缘磁环、第三绝缘磁环和铜电极，所述铜电极的外圆与四氟套套装，并通过四氟套与底盘紧密配合，所述第一绝缘磁环设置在底盘的上表面，所述第三绝缘磁环套装在铜电极的头部，所述第三绝缘磁环设有台阶，所述台阶压在第一绝缘磁环的上表面，所述第二绝缘磁环位于第三绝缘磁环的外侧。优选的，所述第三绝缘磁环采用氮化硅材质。优选的，所述第二绝缘磁环材质为不透...
【技术保护点】
1.一种多晶硅还原炉电极绝缘结构，其特征在于：包括底盘（1）、四氟套（2）、第一绝缘磁环（3）、第二绝缘磁环（4）、第三绝缘磁环（5）和铜电极（6），所述铜电极（6）的外圆与四氟套（2）套装，并通过四氟套（2）与底盘（1）紧密配合，所述第一绝缘磁环（3）设置在底盘（1）的上表面，所述第三绝缘磁环（5）套装在铜电极（6）的头部，所述第三绝缘磁环（5）设有台阶，所述台阶压在第一绝缘磁环（3）的上表面，所述第二绝缘磁环（4）位于第三绝缘磁环（5）的外侧。
【技术特征摘要】
1.一种多晶硅还原炉电极绝缘结构，其特征在于：包括底盘（1）、四氟套（2）、第一绝缘磁环（3）、第二绝缘磁环（4）、第三绝缘磁环（5）和铜电极（6），所述铜电极（6）的外圆与四氟套（2）套装，并通过四氟套（2）与底盘（1）紧密配合，所述第一绝缘磁环（3）设置在底盘（1）的上表面，所述第三绝缘磁环（5）套装在铜电极（6）的头部，所述第三绝缘磁环（5）设有台阶，所述台阶压在第一绝缘磁环（3）的上表面，所述第二绝缘磁环（4）位于第三绝缘磁环（5）的外侧。2.根据权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：盛斌，陈丞浩，殷亚军，
申请(专利权)人：江苏双良新能源装备有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。