多层陶瓷电容器及多层陶瓷电容器的制造方法技术

本发明专利技术涉及一种多层陶瓷电容器，包括：多层结构，其中电介质层中的每一个和内部电极层中的每一个交替层叠，电介质层的主要成分是陶瓷，其中：多层结构包括在电介质层和内部电极层的层叠方向上的表面部分和中央部分，表面部分距多层结构的表面具有第一厚度，中央部分在层叠方向上邻近表面部分并且具有第二厚度；并且表面部分的内部电极层的主要成分金属的晶粒的平均长度是中央部分的内部电极层的主要成分金属的晶粒的平均长度的0.8倍以下。

【技术实现步骤摘要】
多层陶瓷电容器及多层陶瓷电容器的制造方法
本专利技术的某一方面涉及多层陶瓷电容器和多层陶瓷电容器的制造方法。
技术介绍
多层陶瓷电容器具有多层结构，其中电介质层中的每一个和内部电极层中的每一个交替层叠，并且在层叠方向上在多层结构的上表面和下表面上设置覆盖片(例如，参见日本专利申请公开第2007-173480号、日本专利申请公开第2013-157593号和日本专利申请公开第2014-22721号)。在多层结构中，其中内部电极层彼此相对的电容区域产生电容。当设置覆盖片时，确保多层陶瓷的可靠性。
技术实现思路
为了减小多层陶瓷电容器的尺寸并且增大多层陶瓷电容器的电容，需要增大电容区域的体积并且减小覆盖片的厚度。然而，当覆盖片的厚度减小时，覆盖片的强度可能较小。在这种情况下，可能发生热冲击开裂。并且，可能难以确保可靠性。所以，想到使内部电极层的晶粒更细，并且使晶粒的数量增大。然而，在这种情况下，ESR(等效串联电阻)可能较大。本专利技术的目的是提供能够抑制ESR并且确保可靠性的多层陶瓷电容器和多层陶瓷电容器的制造方法。根据本专利技术的一方面，提供一种多层陶瓷电容器，包括：多层结构，其中电介质层中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多层陶瓷电容器，包括：多层结构，其中电介质层中的每一个和内部电极层中的每一个交替层叠，所述电介质层的主要成分是陶瓷，其中：所述多层结构包括在所述电介质层和所述内部电极层的层叠方向上的表面部分和中央部分，所述表面部分距所述多层结构的表面具有第一厚度，所述中央部分在所述层叠方向上邻近所述表面部分并且具有第二厚度；并且所述表面部分的内部电极层的主要成分金属的晶粒的平均长度是所述中央部分的内部电极层的主要成分金属的晶粒的平均长度的0.8倍以下。

【技术特征摘要】
2017.08.08 JP 2017-153390;2018.05.07 JP 2018-089091.一种多层陶瓷电容器，包括：多层结构，其中电介质层中的每一个和内部电极层中的每一个交替层叠，所述电介质层的主要成分是陶瓷，其中：所述多层结构包括在所述电介质层和所述内部电极层的层叠方向上的表面部分和中央部分，所述表面部分距所述多层结构的表面具有第一厚度，所述中央部分在所述层叠方向上邻近所述表面部分并且具有第二厚度；并且所述表面部分的内部电极层的主要成分金属的晶粒的平均长度是所述中央部分的内部电极层的主要成分金属的晶粒的平均长度的0.8倍以下。2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中所述第一厚度是所述多层结构在所述层叠方向上的尺寸的1/10。3.根据权利要求1或2所述的多层陶瓷电容器，其中所述中央部分的内部电极层的主要成分金属的晶粒边界的数量在所述内部电极层的延伸方向上是1个/μm以上。4.根据权利要求1至3中任一项所述的多层陶瓷电容器，其中所述中央部分的内部电极层的平均厚度大于所述表面部分的内部电极层的平均厚度。5.根据权利要求4所述的多层陶瓷电容器，其中所述中央部分的内部电极层的平均厚度是所述表面部分的内部电极层的平均厚度的1.2倍以上。6.根据权利要求1所述的多层陶...

【专利技术属性】
技术研发人员：水野高太郎，
申请(专利权)人：太阳诱电株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP