含银膜蚀刻液组合物及利用其的导电图案形成方法技术

本发明专利技术提供一种含银膜蚀刻液组合物及利用其的导电图案形成方法，该含银膜蚀刻液组合物包含蚀刻引发剂、无机酸、有机酸以及余量的水，且对银(Ag)的腐蚀电位为‑0.8V～‑0.2V。通过使用含银膜蚀刻液组合物，能够形成蚀刻不良减少了的微细尺寸的导电图案。

Composition of etching solution containing silver film and method for forming conductive pattern by using it

The invention provides a composition of an etching solution containing silver film and a method for forming a conductive pattern by using the composition. The composition comprises an etching initiator, inorganic acid, organic acid and residual water, and the corrosion potential of silver (Ag) is 0.8V to 0.2V. By using a silver-containing film etching solution composition, a fine size conductive pattern with reduced etching defects can be formed.

【技术实现步骤摘要】
含银膜蚀刻液组合物及利用其的导电图案形成方法
本专利技术涉及含银膜蚀刻液组合物及利用其的导电图案形成方法。更详细而言，涉及包含酸成分的金属膜蚀刻液组合物及利用其的导电图案形成方法。
技术介绍
例如，作为半导体装置和显示装置的驱动电路中的一部分，利用薄膜晶体管(ThinFilmTransistor：TFT)。TFT例如在有机发光显示(OLED)装置或液晶显示装置(LCD)的基板上的按照各个像素排列，像素电极、对电极、源电极、漏电极、数据线、电源线等配线可以与上述TFT电连接。为了形成上述电极或配线，可以在显示器基板上形成金属膜，在上述金属膜上形成光致抗蚀剂后，使用蚀刻液组合物将上述金属膜部分地去除。为了减小配线电阻而防止信号传递延迟，且确保配线的耐化学性、稳定性，上述金属膜可以形成为包含彼此具有不同化学特性的异种金属或异种导电物质的多层膜。例如，为了呈现低电阻特性，可以形成含银(Ag)膜，且为了提高耐化学性、稳定性和透过度，可以追加形成氧化铟锡(IndiumTinOxide：ITO)之类的透明导电性氧化物膜。关于上述蚀刻液组合物，如韩国注册专利公报第10-0579421号中所公开的那样，使用磷酸、硫酸等之类的无机系强酸作为基础成分。但是在使用上述无机系强酸的情况下，可能引发异种导电膜的蚀刻率差异所致的不均匀的蚀刻轮廓、过蚀刻(over-etch)、溢悬(over-hang)等不良，且难以调节用于形成微细图案的蚀刻率。现有技术文献专利文献韩国注册专利公报10-0579421号(2006.05.08.)
技术实现思路
所要解决的课题本专利技术的一课题在于，提供具有提高了的蚀刻均匀性、高分辨率的含银膜蚀刻液组合物。本专利技术的一课题在于，提供使用上述金属膜蚀刻液组合物的导电图案形成方法。本专利技术的一课题在于，提供使用上述金属膜蚀刻液组合物的显示器基板的制造方法。解决课题方法1.一种含银膜蚀刻液组合物，其包含蚀刻引发剂、无机酸、有机酸、以及余量的水，且对银(Ag)的腐蚀电位为-0.8V～-0.2V。2.如1所述的含银膜蚀刻液组合物，上述蚀刻引发剂包含选自由硫化过氧化物、过氧化氢、过硫酸盐和过硝酸盐组成的组中的至少一种。3.如2所述的含银膜蚀刻液组合物，上述蚀刻引发剂包含过硫酸氢钾制剂(oxone)。4.如1所述的含银膜蚀刻液组合物，上述无机酸包含硝酸。5.如1所述的含银膜蚀刻液组合物，上述有机酸包含第一有机酸以及酸性比上述第一有机酸弱的第二有机酸。6.如5所述的含银膜蚀刻液组合物，上述第一有机酸包含乙酸，上述第二有机酸包含选自由亚氨基二乙酸(iminodiaceticacid：IDA)、乙二胺四乙酸(ethylenediaminetetraaceticacid：EDTA)、氨三乙酸(nitrilotriaceticacid：NTA)、甘氨酸(glycine)、水杨酸(salicylicacid)、柠檬酸(citricacid)、甲酸(formicacid)、草酸(oxalicacid)、丙二酸(malonicacid)、琥珀酸(succinicacid)、丁酸(butyricacid)、葡糖酸(gluconicacid)、乙醇酸(glycolicacid)和戊酸(pentanicacid)组成的组中的至少一种。7.如1所述的含银膜蚀刻液组合物，其进一步包含金属盐。8.如7所述的含银膜蚀刻液组合物，上述金属盐包含选自由硝酸铁(ferricnitrate)、硝酸钠(sodiumnitrate)和硝酸钾(potassiumnitrate)组成的组中的至少一种。9.如1所述的含银膜蚀刻液组合物，组合物总重量中，包含：上述蚀刻引发剂1～20重量％；上述无机酸1～15重量％；上述有机酸0.1～20重量％；以及余量的水。10.如9所述的含银膜蚀刻液组合物，其进一步包含金属盐0.1～5重量％。11.如1所述的含银膜蚀刻液组合物，其不包含磷酸或磷酸系化合物。12.一种导电图案形成方法，其包括：在基板上形成金属膜的步骤；以及使用上述1～11中任一项所述的含银膜蚀刻液组合物将上述金属膜蚀刻的步骤。13.如12所述的导电图案形成方法，形成上述金属膜的步骤包括形成含银膜的步骤。14.如13所述的导电图案形成方法，形成上述金属膜的步骤进一步包括形成透明导电性氧化膜的步骤。15.如14所述的导电图案形成方法，上述透明导电性氧化膜包含隔着上述含银膜形成的第一透明导电性氧化膜和第二透明导电性氧化膜。16.如14所述的导电图案形成方法，上述透明导电性氧化膜包含选自由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化镓锌(GZO)和氧化铟镓锌(IGZO)组成的组中的至少一种。17.如12所述的导电图案形成方法，其进一步包括：在上述基板上形成薄膜晶体管的步骤；形成与上述薄膜晶体管电连接的像素电极的步骤；以及在上述像素电极上形成显示层的步骤，上述属膜形成在上述显示层上。18.如17所述的导电图案形成方法，上述导电图案作为图像显示装置的公共电极、反射电极或配线而提供。专利技术效果上述本专利技术的实施例的含银膜蚀刻液组合物包含蚀刻引发剂、无机酸、有机酸和水，且对银的腐蚀电位可以为-0.8V～-0.2V范围。在上述腐蚀电位范围时，能够提高对含银膜的蚀刻率和蚀刻效率，并且防止过蚀刻而提高导电图案的侧壁上的蚀刻均匀性。根据例示性实施例，上述无机酸包含硝酸，由于排除或减少磷酸、硫酸等之类的强酸的含量，因此能够实现用于形成微细图案的蚀刻特性调节。此外，能够抑制银的再析出、残渣现象。此外，在蚀刻对象膜包含上述含银膜和透明导电性氧化膜的情况下，上述蚀刻引发剂能够引发金属氧化物置换反应，从而使上述含银膜和透明导电性氧化膜被同时均匀蚀刻。上述蚀刻液组合物进一步包含金属盐，该情况下，能够进一步提高上述含银膜和上述透明导电性氧化膜的蚀刻均匀性。通过使用上述蚀刻液组合物，能够使例如显示装置的反射电极之类的电极或配线、触摸传感器的感应电极、迹线或焊垫等形成为具有所期望的纵横比和轮廓。附图说明图1和图2为用于说明例示性实施例的导电图案形成方的截面图。图3为示出比较例的导电图案的形状的截面图。图4为用于说明例示性实施例的显示器基板的制造方法的截面图。符号说明100、200：基板110：下部绝缘膜115：下部导电图案120：金属膜120a、140：导电图案121：第一透明导电性氧化膜122、142、262、272：第一透明导电性氧化膜图案123：含银膜124、144、264、274：含银图案125：第二透明导电性氧化膜126、146、266、276：第二透明导电性氧化膜图案210：有源层225：栅电极233：源电极237：漏电极245：像素电极260：对电极270：配线具体实施方式根据本专利技术的实施例，提供一种含银膜蚀刻液组合物(以下，简称为“蚀刻液组合物”)，其包含蚀刻引发剂、无机酸、有机酸和水，且对银的腐蚀电位为-0.8V～-0.2V。此外，提供利用上述含银膜蚀刻液组合物的导电图案形成方法、显示器基板的制造方法。本申请中使用的用语“含银膜”可以指包含银或银合金的膜。此外，上述含银膜也可以包含2层以上的多层结构。例如，上述银合金可以包括：钕(Nd)、铜(Cu)、钯(Pd)、铌(Nb本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种含银膜蚀刻液组合物，其包含蚀刻引发剂、无机酸、有机酸、以及余量的水，且对银(Ag)的腐蚀电位为‑0.8V～‑0.2V。

【技术特征摘要】
2017.08.11 KR 10-2017-01023761.一种含银膜蚀刻液组合物，其包含蚀刻引发剂、无机酸、有机酸、以及余量的水，且对银(Ag)的腐蚀电位为-0.8V～-0.2V。2.根据权利要求1所述的含银膜蚀刻液组合物，所述蚀刻引发剂包含选自由硫化过氧化物、过氧化氢、过硫酸盐和过硝酸盐组成的组中的至少一种。3.根据权利要求2所述的含银膜蚀刻液组合物，所述蚀刻引发剂包含过硫酸氢钾制剂。4.根据权利要求1所述的含银膜蚀刻液组合物，所述无机酸包含硝酸。5.根据权利要求1所述的含银膜蚀刻液组合物，所述有机酸包含第一有机酸以及酸性比所述第一有机酸弱的第二有机酸。6.根据权利要求5所述的含银膜蚀刻液组合物，所述第一有机酸包含乙酸，所述第二有机酸包含选自由亚氨基二乙酸(IDA)、乙二胺四乙酸(EDTA)、氨三乙酸(NTA)、甘氨酸、水杨酸、柠檬酸、甲酸、草酸、丙二酸、琥珀酸、丁酸、葡糖酸、乙醇酸和戊酸组成的组中的至少一种。7.根据权利要求1所述的含银膜蚀刻液组合物，其进一步包含金属盐。8.根据权利要求7所述的含银膜蚀刻液组合物，所述金属盐包含选自由硝酸铁、硝酸钠和硝酸钾组成的组中的至少一种。9.根据权利要求1所述的含银膜蚀刻液组合物，组合物总重量中，包含：所述蚀刻引发剂1～20重量％；所述无机酸1～15重量％；所...

【专利技术属性】
技术研发人员：田玹守，沈庆辅，尹暎晋，
申请(专利权)人：东友精细化工有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR