面板显示阵列制程用新型草酸系ITO蚀刻液制造技术

本发明专利技术涉及面板显示阵列制程用新型草酸系ITO蚀刻液，以重量百分比计算，包括3.2‑3.6％的草酸、5ppm‑900ppm的表面活性剂和余量的超纯水。本发明专利技术选用新型的表面活性剂，该表面活性剂降低了表面张力以达到对微晶的控制；同时没有其他任何负面作用，微观细节的控制也更优；同时无稳定泡沫存在，3‑10s完全自消泡，消除了泡沫对蚀刻的影响，提高了产品良率。

【技术实现步骤摘要】
面板显示阵列制程用新型草酸系ITO蚀刻液
本专利技术涉及一种金属氧化物材料用的化学蚀刻液
，特别涉及一种面板显示阵列制程用新型草酸系ITO蚀刻液。
技术介绍
ITO导电玻璃是在钠钙基或硅硼基、铝硅基基片玻璃的基础上，利用溅射、蒸发等多种方法镀上一层氧化铟锡(俗称ITO)膜加工制作成的，ITO导电膜广泛地用于面板显示、光电子和各种光学领域，通常采用蚀刻液将导电的线路蚀刻出来。公开(公告)号为CN104388090A的专利：一种草酸系ITO蚀刻液及其制备方法和应用中公开了一种草酸系ITO蚀刻液，以重量百分比计，包含0.5-10％的草酸、0.1-0.5％的烷基酚聚氧乙烯醚系列表面活性剂、0.1-5％的有机多元膦酸和余量的水，制备方法如下：常温常压下，将去离子水加入配料罐中；搅拌下，加入配方量的草酸、烷基酚聚氧乙烯醚系列表面活性剂和有机多元膦酸；搅拌至完全溶解均匀，过滤，出料；采用该专利所公开的原料及工艺生产的蚀刻液，在蚀刻过程中，由于表面活性剂的加入产生大量泡沫，影响产品良率，泡沫的存在阻碍了基板与蚀刻液的接触，引起蚀刻精度差、微观结构上有较为明显的微晶颗粒物存在，蚀刻面粗糙等缺陷。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.面板显示阵列制程用新型草酸系ITO蚀刻液，其特征在于，以重量百分比计算，包括3.2‑3.6％的草酸、5ppm‑900ppm的表面活性剂和余量的超纯水。

【技术特征摘要】
1.面板显示阵列制程用新型草酸系ITO蚀刻液，其特征在于，以重量百分比计算，包括3.2-3.6％的草酸、5ppm-900ppm的表面活性剂和余量的超纯水。2.根据权利要求1所述的面板显示阵列制程用新型草酸系ITO蚀刻液，其特征在于，所述草酸的重量百分比为3.3-3.5％。3.根据权利要求1所述的面板显示阵列制程用新型草酸系ITO蚀刻液，其特征在于，所述表面活性剂选用异构醇醚系列表面活性剂、无规聚醚系列表面活性剂或改良型的聚氧乙烯型非离子表面活性剂。4.根据权利要求3所述的面板显示阵列制程用新型草酸系ITO蚀刻液，其特征在于，所述改良型的聚氧乙烯型非离子表面活性剂的改良方式为用短链烷烃CH3-C4H9将表活活性剂末端羟基封端。5.根据权利要求1所述的面板显示阵列制程用新型草酸系ITO蚀刻液，其特征在于，所述超纯水使用1...

【专利技术属性】
技术研发人员：王润杰，郑李辉，卢洪庆，李华平，陈文波，
申请(专利权)人：苏州博洋化学股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32