面板显示阵列制程用新型草酸系ITO蚀刻液制造技术

本发明专利技术涉及面板显示阵列制程用新型草酸系ITO蚀刻液，以重量百分比计算，包括3.2‑3.6％的草酸、5ppm‑900ppm的表面活性剂和余量的超纯水。本发明专利技术选用新型的表面活性剂，该表面活性剂降低了表面张力以达到对微晶的控制；同时没有其他任何负面作用，微观细节的控制也更优；同时无稳定泡沫存在，3‑10s完全自消泡，消除了泡沫对蚀刻的影响，提高了产品良率。

【技术实现步骤摘要】
面板显示阵列制程用新型草酸系ITO蚀刻液
本专利技术涉及一种金属氧化物材料用的化学蚀刻液
，特别涉及一种面板显示阵列制程用新型草酸系ITO蚀刻液。
技术介绍
ITO导电玻璃是在钠钙基或硅硼基、铝硅基基片玻璃的基础上，利用溅射、蒸发等多种方法镀上一层氧化铟锡(俗称ITO)膜加工制作成的，ITO导电膜广泛地用于面板显示、光电子和各种光学领域，通常采用蚀刻液将导电的线路蚀刻出来。公开(公告)号为CN104388090A的专利：一种草酸系ITO蚀刻液及其制备方法和应用中公开了一种草酸系ITO蚀刻液，以重量百分比计，包含0.5-10％的草酸、0.1-0.5％的烷基酚聚氧乙烯醚系列表面活性剂、0.1-5％的有机多元膦酸和余量的水，制备方法如下：常温常压下，将去离子水加入配料罐中；搅拌下，加入配方量的草酸、烷基酚聚氧乙烯醚系列表面活性剂和有机多元膦酸；搅拌至完全溶解均匀，过滤，出料；采用该专利所公开的原料及工艺生产的蚀刻液，在蚀刻过程中，由于表面活性剂的加入产生大量泡沫，影响产品良率，泡沫的存在阻碍了基板与蚀刻液的接触，引起蚀刻精度差、微观结构上有较为明显的微晶颗粒物存在，蚀刻面粗糙等缺陷。公开(公告)号为CN102382657A的专利：一种透明导电膜用蚀刻液及其制备方法公开了由草酸、邻氟苯甲酸(简称OFBA)、烷基酚聚氧乙烯醚、消泡剂和水混合得到的蚀刻液，该蚀刻液体系减少了泡沫的产生，但泡沫仍极为明显，没有彻底解决泡沫对蚀刻的负面影响；目前的产品对蚀刻精度的要求很高，该蚀刻液使用中仍存在一定缺陷；想要改善此类缺陷，要选用新型的表面活性剂，既能消除泡沫的产生，又能降低表面张力，提高蚀刻的精度。
技术实现思路
为了克服现有技术的缺陷，本专利技术提供一种面板显示阵列制程用新型草酸系ITO蚀刻液。为了实现上述目的，本专利技术提供以下技术方案：面板显示阵列制程用新型草酸系ITO蚀刻液，以重量百分比计算，包括3.2-3.6％的草酸、5ppm-900ppm的表面活性剂和余量的超纯水。优选的，所述草酸的重量百分比为3.3-3.5％。优选的，所述表面活性剂选用异构醇醚系列表面活性剂、无规聚醚系列表面活性剂或改良型的聚氧乙烯型非离子表面活性剂。优选的，所述改良型的聚氧乙烯型非离子表面活性剂的改良方式为用短链烷烃CH3-C4H9将表活活性剂末端羟基取代，在保持表面活性的同时降低其发泡能力！优选的，所述超纯水使用15MΩ·cm超纯水，所述草酸选用99.5％以上纯度的草酸粉。优选的，所述超纯水优选18MΩ·cm超纯水。面板显示阵列制程用新型草酸系ITO蚀刻液，包括以下步骤：常温常压下，通过质量流量计将超纯水加入固体溶解搅拌釜中；开启搅拌，搅拌速度为30-120rpm，加入配方量的草酸和表面活性剂，搅拌至完全溶解均匀；过滤，然后灌装到指定的包装容器中。优选的，过滤优选采用孔径0.5um和0.2um的两级过滤。面板显示阵列制程用新型草酸系ITO蚀刻液的用途，所述蚀刻液应用于面板显示上ITO阵列制程时刻，应用工艺采用自动线喷淋模式，温度控制在35-45℃。本专利技术所带来的有益效果是：本专利技术采用新型的表面活性剂，该表面活性剂降低了表面张力以达到对微晶的控制；同时没有其他任何负面作用，微观细节的控制也更优；蚀刻过程中无泡沫的产生，提高产品良率；对比
技术介绍
中提到的生产工艺，配方更加简单，工艺更简单易控，可很好的替代现有配方。附图说明图1是对照组微结晶的观察图。图2是实施例一微结晶的观察图。图3是对照组微观结构光刻胶溶解观察图。图4是实施例一微观结构光刻胶溶解观察图。具体实施方式下面对本专利技术的较佳实施例进行详细阐述，以使本专利技术的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本专利技术的保护范围做出更为清楚明确的界定。实施例一：各原料配比为：3.4％草酸、100ppm异构醇醚系列表面活性剂(如异构十醇醚XL-70)和余量18MΩ·cm超纯水。具体制备方法：常温常压下，通过质量流量计将超纯水加入固体溶解搅拌釜中；开启搅拌，搅拌速度为60rpm，加入配方量的草酸和表面活性剂，搅拌至完全溶解均匀；采用孔径为0.5um和0.2um的过滤器进行过滤，然后灌装到指定的包装容器中。实施例二：各原料配比为：3.2％草酸、100ppm无规聚醚系列表面活性剂(如丁醇无规聚醚BPE1500)和余量18MΩ·cm超纯水。具体制备方法：常温常压下，通过质量流量计将超纯水加入固体溶解搅拌釜中；开启搅拌，搅拌速度为100rpm，加入配方量的草酸和表面活性剂，搅拌至完全溶解均匀；采用孔径为0.5um和0.2um的过滤器进行过滤，然后灌装到指定的包装容器中。实施例三：各原料配比为：3.6％草酸、500ppm改良型的聚氧乙烯型非离子表面活性剂(如改性异构醇醚HNF3-8)和余量18MΩ·cm超纯水。具体制备方法：常温常压下，通过质量流量计将超纯水加入固体溶解搅拌釜中；开启搅拌，搅拌速度为40rpm，加入配方量的草酸和表面活性剂，搅拌至完全溶解均匀；采用孔径为0.5um和0.2um的过滤器进行过滤，然后灌装到指定的包装容器中。测试方法：1)泡沫测量：将50ml蚀刻液导入100ml具塞量筒中，上下倒置20次，静置5s观察泡沫情况；2)微结晶：采用SEM(扫描电子显微镜)观察蚀刻后的微观结构上的微晶颗粒物；3)对光刻胶的影响：采用SEM(扫描电子显微镜)观察蚀刻后的微观结构上的光刻胶溶解的现象。采用实施例一～三配置的蚀刻液与现有的蚀刻液做对比，现有蚀刻液为对照组，使两者分别作用于相同的样品上，并在同样的检测条件下测试，实验结果如表1所示：表1对照实验结果(对照组为现有蚀刻液实验组)。由上述实验数据结合附图1-4可知，本专利技术已明显改善泡沫现象，对微观细节的控制也更优异。以上所述，仅为本专利技术的具体实施方式，但本专利技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本领域的技术人员在本专利技术所揭露的技术范围内，可不经过创造性劳动想到的变化或替换，都应涵盖在本专利技术的保护范围之内。因此，本专利技术的保护范围应该以权利要求书所限定的保护范围为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.面板显示阵列制程用新型草酸系ITO蚀刻液，其特征在于，以重量百分比计算，包括3.2‑3.6％的草酸、5ppm‑900ppm的表面活性剂和余量的超纯水。

【技术特征摘要】
1.面板显示阵列制程用新型草酸系ITO蚀刻液，其特征在于，以重量百分比计算，包括3.2-3.6％的草酸、5ppm-900ppm的表面活性剂和余量的超纯水。2.根据权利要求1所述的面板显示阵列制程用新型草酸系ITO蚀刻液，其特征在于，所述草酸的重量百分比为3.3-3.5％。3.根据权利要求1所述的面板显示阵列制程用新型草酸系ITO蚀刻液，其特征在于，所述表面活性剂选用异构醇醚系列表面活性剂、无规聚醚系列表面活性剂或改良型的聚氧乙烯型非离子表面活性剂。4.根据权利要求3所述的面板显示阵列制程用新型草酸系ITO蚀刻液，其特征在于，所述改良型的聚氧乙烯型非离子表面活性剂的改良方式为用短链烷烃CH3-C4H9将表活活性剂末端羟基封端。5.根据权利要求1所述的面板显示阵列制程用新型草酸系ITO蚀刻液，其特征在于，所述超纯水使用1...

【专利技术属性】
技术研发人员：王润杰，郑李辉，卢洪庆，李华平，陈文波，
申请(专利权)人：苏州博洋化学股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32