蚀刻液制造技术

本发明专利技术提供一种蚀刻液，该蚀刻液对铟的溶解度大，可抑制草酸与铟的盐的析出，能够长期使用，并且残渣除去性和消泡性也优异，适用于氧化铟系膜的蚀刻。本发明专利技术的蚀刻液的特征在于，其含有(A)草酸、(B)聚乙烯吡咯烷酮以及(C)水，被用于氧化铟系膜的蚀刻。

【技术实现步骤摘要】
蚀刻液
本专利技术涉及在氧化铟系膜的蚀刻中使用的蚀刻液。
技术介绍
在液晶显示屏(LCD)或电致发光(EL)显示屏等显示装置中，将透明导电膜用于像素的显示电极等中。作为该透明导电膜，广泛使用氧化铟系透明导电膜(例如氧化铟锡(ITO)膜)。ITO膜是利用例如溅射法等成膜工艺而形成在玻璃等基板上的。通过以抗蚀剂等为掩模对ITO膜进行蚀刻，从而在基板上形成电极图案。该蚀刻工序有湿式蚀刻和干式蚀刻，在湿式蚀刻中使用蚀刻液。以往，在多晶ITO膜的湿式蚀刻中，通常使用盐酸系的强酸，但在蚀刻时会发生铝配线等的腐蚀，此外，由于蚀刻从ITO的晶界选择地进行，因而难以加工精度良好地进行图案化。于是，近年来，尝试了使用非晶态ITO膜作为透明导电膜并使用弱酸、特别是草酸水溶液进行蚀刻的方法。但是，在使用草酸水溶液对ITO膜进行蚀刻的情况下，具有蚀刻残渣残留在基板上这样的问题。另外，在为了解决该问题而向蚀刻液中添加十二烷基苯磺酸等表面活性剂时，则不容易产生蚀刻残渣，但具有蚀刻液的起泡变得显著的问题。若起泡显著，则泡沫会将基板拱起，另外，若在基板上产生泡沫，则会妨碍基板与蚀刻液的接触从而妨碍蚀刻，在上述任一种情本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蚀刻液，其特征在于，该蚀刻液含有(A)草酸、(B)聚乙烯吡咯烷酮以及(C)水，被用于氧化铟系膜的蚀刻。

【技术特征摘要】
2016.05.31 JP 2016-1089081.一种蚀刻液，其特征在于，该蚀刻液含有(A)草酸、(B)聚乙烯吡咯烷酮以及(C)水，被用于氧化铟系膜的蚀刻。2.如权利要求1所述的蚀刻液，其中，(B)聚乙烯吡咯烷酮的含量为0.01重量％～1重量％。3.如权利要求1或2所述的蚀刻液，其进一步含有(D)萘磺酸缩合物。4.如权利要求3所述的蚀刻液，其中，(...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉崎了，向喜广，
申请(专利权)人：长濑化成株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP