蚀刻液组合物以及利用它的薄膜晶体管显示板的制造方法技术

本发明专利技术公开一种蚀刻液组合物以及利用它的薄膜晶体管显示板的制造方法。根据本发明专利技术的一实施例的蚀刻液组合物可以包含5重量％以上且20重量％以下的硝酸、1重量％以上且15重量％以下的醋酸、0.1重量％以上且5重量％以下的醋酸盐、0.1重量％以上且4重量％以下的含卤化合物及使全部组合物的总重量成为100重量％的水。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种蚀刻液组合物及利用它的薄膜晶体管显示板的制造方法。
技术介绍

技术实现思路
通常，显示装置中使用的显示基板包括作为用于驱动各个像素区域的开关元件的薄膜晶体管、与所述薄膜晶体管连接的信号配线以及像素电极。所述信号配线包括：栅极配线，传递栅极驱动信号；数据配线，与所述栅极配线交叉并且传递数据驱动信号。薄膜晶体管由作为栅极配线的一部分的栅电极和形成沟道的半导体层、以及作为数据配线的一部分的源电极以及漏电极组成。薄膜晶体管是根据通过栅极配线传递的栅极信号，把通过数据配线传递的数据电压传递到像素电极或者切断的开关元件。在制造薄膜晶体管时，首先在基板上利用栅电极或者源电极/漏电极用配线材料层积金属层，随后进行蚀刻步骤，在蚀刻过程中利用具有腐蚀性的气体或者溶液刮掉这些金属层，由此实现所需要的电路的线路。并且，需要进行如下步骤：在源电极、漏电极层上利用像素电极材料来层积透明物质后，通过蚀刻这样的透明物质而形成像素电极。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种能够防止环境污染的同时具有优秀的蚀刻特性的蚀刻液组合物及利用该组合物的薄膜晶体管显示板的制造方法。为了实现上述目的，根据本专利技术的实施例的蚀刻液组合物包含：相对于蚀刻液组合物总重量，5重量％以上且20重量％以下的硝酸、1重量％以上且15重量％以下的醋酸、0.1重量％以上且5重量％以下的醋酸盐、0.1重量％以上且4重量％以下的含卤化合物及使全部组合物的总重量成为100重量％的水。所述醋酸盐为B(CH3COO)n结构的化学式，并且所述B可以是氢离子(H+)、铵离子(NH4+)、铁离子(Fe2+、Fe3+)、铝离子(Al3+)、氧化数为1至3的烷基金属离子中的至少一个离子。所述含卤化合物可以是由氯化氢(HCl)、氯化铝(AlCl3)、氟化铵(NH4F)、碘化钾(KI)、氯化钾(KCl)及氯化铵(NH4Cl)组成的群中选择的一个以上。所述蚀刻液组合物可蚀刻透明导电性氧化物。所述透明导电性氧化物为铟锡氧化物或铟锌氧化物。根据本专利技术的一实施例的薄膜晶体管显示板的制造方法包括如下步骤：在基板上形成数据导体；在所述数据导体上沉积透明导电性氧化物；及利用蚀刻液组合物蚀刻所述透明导电性氧化物，其中，所述蚀刻液组合物包含5重量％以上且20重量％以下的硝酸、1重量％以上且15重量％以下的醋酸、0.1重量％以上且5重量％以下的醋酸盐、0.1重量％以上且4重量％以下的含卤化合物及使全部组合物的总重量成为100重量％的水。所述醋酸盐为B(CH3COO)n结构的化学式，并且所述B可以是氢离子(H+)、铵离子(NH4+)、铁离子(Fe2+、Fe3+)、铝离子(Al3+)、氧化数为1至3的烷基金属离子中的至少一个离子。所述含卤化合物可以是由氯化氢(HCl)、氯化铝(AlCl3)、氟化铵(NH4F)、碘化钾(KI)、氯化钾(KCl)及氯化铵(NH4Cl)组成的群中选择的一个以上。所述透明导电性氧化物为铟锡氧化物或铟锌氧化物。通过利用蚀刻液组合物蚀刻所述透明导电性氧化物的步骤来形成像素电极，并且所述像素电极具有多个切开部。如上文所述，根据本专利技术的一实施例的蚀刻液组合物用醋酸、醋酸盐、含卤化合物代替了硫酸，从而在预防环境污染并解决发热问题的同时，保留了优秀的蚀刻能力。附图说明图1为示出对根据本专利技术的一实施例的蚀刻液和根据比较例的蚀刻液进行蚀刻轮廓(profile)实验的结果的图。图2为示出对根据本专利技术的一实施例的蚀刻液和根据比较例的蚀刻液进行PRcracktest的结果的图。图3为示出根据本专利技术的一实施例的薄膜晶体管显示板的平面图。图4为图3中的薄膜晶体管显示板的沿IV-IV线截取的剖面图。图5至图9为示出根据本专利技术的一实施例的薄膜晶体管显示板的制造工序的工序剖面图及布置图。符号说明110：绝缘基板3：液晶层121：栅极线124：栅电极140：栅极绝缘膜154：半导体层171：数据线173：源电极175：漏电极180：保护膜191：像素电极270：共同电极具体实施方式为了使本专利技术所述
中具有一般知识的人可以容易地实施，参考附图对本专利技术的实施例进行详细的说明。但是本专利技术可以以多种不同的形态实现，所以不限于本说明书中说明的实施例。附图中为了更明确地表现多个层以及区域，放大示出了其厚度。在说明书全文中，对相似的部分附加了相同的附图符号。当提到层、膜、区域、板等部分位于其他部分“上”时，不仅包括位于其他部分“紧上方”的情况，还包括其中间夹设另外的其他部分的情况。相反地，当提到某个部分位于其他部分“仅上方”时，意味着中间没有其他部分。以下，参考附图对根据本专利技术的实施例的蚀刻液组合物以及薄膜晶体管显示板的制造方法进行详细的说明。根据本专利技术的一实施例的蚀刻液组合物可以蚀刻层积于基板上的透明导电性氧化物。特别是，根据本实施例的蚀刻液可以蚀刻由铟锡氧化物或者铟锌氧化物组成的电极。根据本专利技术的一实施例的蚀刻液组合物包含硝酸、醋酸、醋酸盐以及含卤化合物。含卤化合物指的是包含卤素的化合物。更具体地，根据本专利技术的一实施例的蚀刻液组合物包含：5重量％以上且20重量％以下的硝酸；1重量％以上且15重量％以下的醋酸；0.1重量％以上且5重量％以下的醋酸盐；0.1重量％以上且4重量％以下的含卤化合物以及使整体组合物的总重量成为100重量％的水。根据本专利技术的一实施例的蚀刻液组合物为用于蚀刻像素电极，即透明导电性氧化物的蚀刻液，其因为蚀刻氧化物所以不需要专门的氧化剂。即，可以在没有专门的氧化剂的情况下由硝酸进行蚀刻，其反应过程如下：In2O3+6HNO3→In2(NO3)6+3H2OSnO2+4HNO3→Sn(NO3)4+2H2OZnO+2HNO3→Zn(NO3)2+2H2O根据本专利技术的一实施例的蚀刻液组合物不包含硫酸。通常使用的透明导电性氧化物的蚀刻液中为了调节pH包含硫酸。但是根据本专利技术的一实施例的蚀刻液组合物用醋酸代替硫酸调节pH。即，蚀刻液中包含硫酸时，使用后的废液可能引起环境污染。但是根据本专利技术的一实施例的蚀刻液组合物用醋酸代替硫酸，从而可以解决这样的环境污染问题。根据本专利技术的一实施例的蚀刻液组合物包含：5重量％至20重量％的硝酸。根据本专利技术的一实施例的蚀刻液组合物中所包含的硝酸为蚀刻剂(etchingagent)。即，如下文所述，通过硝酸和铟氧化物、锡氧化物或者锌氧化物的反应而蚀刻铟锌氧化物或铟锡氧化物等的透明导电性氧化物。In2O3+6HNO3→In2(NO3)6+3H2OSnO2+4HNO3→Sn(NO3)4+2H2OZnO+2HNO3→Zn(NO3)2+2H2O所述硝酸的含量优选为5重量％至20重量％之间。硝酸的含量未达到5重量％时，导致蚀刻率降低而可能无法充分地进行蚀刻。并且因为蚀刻液的氧化力低下，可能得到不均的蚀刻轮廓并且减少蚀刻液的寿命。并且，所述硝酸的含量超过20重量％时，导致蚀刻率过快而难以控制蚀刻程度，可能导致过度蚀刻。并且，有可能得到不均的蚀刻轮廓，有可能因硝酸挥发产生烟雾(fume)而污染作业环境。并且，根据本专利技术的一实施例的蚀刻液组合物包括1重量％以上且15重量％以下的醋酸。本实施例中醋酸为pH调节剂。即，醋酸的作用为调节蚀刻反应的速度，并且降低蚀刻液的粘度。透明导电性氧化物膜中包本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蚀刻液组合物，包含：相对于蚀刻液组合物总重量，5重量％以上且20重量％以下的硝酸、1重量％以上且15重量％以下的醋酸、0.1重量％以上且5重量％以下的醋酸盐、0.1重量％以上且4重量％以下的含卤化合物及使全部组合物的总重量成为100重量％的水。

【技术特征摘要】
2015.09.02 KR 10-2015-01243281.一种蚀刻液组合物，包含：相对于蚀刻液组合物总重量，5重量％以上且20重量％以下的硝酸、1重量％以上且15重量％以下的醋酸、0.1重量％以上且5重量％以下的醋酸盐、0.1重量％以上且4重量％以下的含卤化合物及使全部组合物的总重量成为100重量％的水。2.如权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，所述醋酸盐为B(CH3COO)n结构的化学式，所述B是氢离子、铵离子、铁离子、铝离子、氧化数为1至3的烷基金属离子中的至少一个离子。3.如权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，所述含卤化合物是由氯化氢、氯化铝、氟化铵、碘化钾、氯化钾及氯化铵组成的群中选择的一个以上。4.如权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，所述蚀刻液组合物用于蚀刻透明导电性氧化物。5.如权利要求4所述的蚀刻液组合物，其中，所述透明导电性氧化物为铟锡氧化物或铟锌氧化物。6.一种薄膜晶体管显示板的制造方法，包括如下步骤：在基板上形成数据...

【专利技术属性】
技术研发人员：金荣濬，安守民，郑在祐，朴弘植，孙桢翊，吴晞诚，林廷训，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，秀博瑞殷株式公社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR