嘧菌酯通道型溶剂化物及其制备方法技术

技术编号:20441158 阅读:35 留言:0更新日期:2019-02-27 00:21
本发明专利技术提供了嘧菌酯通道型溶剂化物及其制备方法。具体地,本发明专利技术涉及(E)‑2‑{2‑[6‑(2‑氰基苯氧基)嘧啶‑4‑基氧基]苯基}‑3‑甲氧基丙烯酸甲酯的通道型溶剂化物、制备方法和用途。

Channel-type solvents of pyrimidine esters and their preparation methods

The invention provides a channel solvents of pyrimidine esters and a preparation method thereof. Specifically, the present invention relates to channel solvation compounds, preparation methods and uses of (E) {2 [6 (2 cyanophenoxy) pyrimidine 4 phenyl] 3 methoxy methyl acrylate.

【技术实现步骤摘要】
嘧菌酯通道型溶剂化物及其制备方法
本专利技术属于农药化学领域,具体地说,本专利技术涉及嘧菌酯通道型溶剂化物、其应用和制备方法。
技术介绍
嘧菌酯(式I化合物),化学名为(E)-2-{2-[6-(2-氰基苯氧基)嘧啶-4-基氧基]苯基}-3-甲氧基丙烯酸甲酯。该化合物是一种全新的β甲氧基丙烯酸脂类杀菌剂,能够抑制病真菌线粒体呼吸,破坏病菌的能量合成,具有保护、治疗和铲除三重功效。对子囊菌、担子菌、半知菌和卵菌纲四大类病真菌所引起的霜霉病、白粉病、炭疽病、叶斑病等大部分病害均有很好的防效。同一种化合物,晶型不同,其溶解度也可能会存在差别,另外其稳定性、流动性、可压缩性、生物利用度也可能会不同。而这些理化性质对该化合物的应用会产生一定的影响。根据原始化合物专利CN101522639A中的制备方法,制备出的晶体形式命名为晶型A,晶型A存在溶解度低、不稳定的情况。因此,本领域亟需研发式I化合物的其它晶型,要求制备方法简单、光热稳定性好、吸湿性低、溶解性高、可规模化生产。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种嘧菌酯的多晶型及其制备方法。本专利技术的第一方面,提供一种式I化合物的溶剂化物,在另一优选例中,所述溶剂化物选自下组:晶型B、晶型C、晶型D、晶型E、晶型F、晶型G、晶型H、晶型I、晶型J、晶型K、晶型L、晶型M。在另一优选例中,所述晶型B的X射线粉末衍射图谱包括3个或3个以上选自下组的2θ值:7.6±0.2°、8.6±0.2°、14.4±0.2°、16.9±0.2°、18.2±0.2°、18.8±0.2°、20.5±0.2°、21.3±0.2°、22.4±0.2°、22.8±0.2°、24.2±0.2°、26.1±0.2°、26.7±0.2°、28.7±0.2°、30.4±0.2°、30.9±0.2°、36.0±0.2°、38.2±0.2°。在另一优选例中,所述晶型B的X射线粉末衍射图谱包括5个或5个以上选自下组的2θ值:7.6±0.2°、8.6±0.2°、14.4±0.2°、16.9±0.2°、18.2±0.2°、18.8±0.2°、20.5±0.2°、21.3±0.2°、22.4±0.2°、22.8±0.2°、24.2±0.2°、26.1±0.2°、26.7±0.2°、28.7±0.2°、30.4±0.2°、30.9±0.2°、36.0±0.2°、38.2±0.2°。在另一优选例中,所述晶型B的X射线粉末衍射图谱包括10个或10个以上选自下组的2θ值:7.6±0.2°、8.6±0.2°、14.4±0.2°、16.9±0.2°、18.2±0.2°、18.8±0.2°、20.5±0.2°、21.3±0.2°、22.4±0.2°、22.8±0.2°、24.2±0.2°、26.1±0.2°、26.7±0.2°、28.7±0.2°、30.4±0.2°、30.9±0.2°、36.0±0.2°、38.2±0.2°。在另一优选例中,所述晶型B的X射线粉末衍射图谱可进一步包括1个或1个以上选自下组的2θ值:11.0±0.2°、12.1±0.2°、13.8±0.2°、15.1±0.2°、25.1±0.2°、25.7±0.2°、27.4±0.2°、32.4±0.2°、33.8±0.2°、36.7±0.2°、40.8±0.2°、43.4±0.2°。在另一优选例中,所述晶型B的X射线粉末衍射图谱基本如图1所表征。在另一优选例中,所述晶型B的TGA图基本如图3所表征。在另一优选例中,所述晶型B的DSC图在62~88℃以及100~125℃范围内具有吸热峰。在另一优选例中,所述晶型B的DSC图基本如图2所表征。在另一优选例中,所述晶型B纯度大于95%。在另一优选例中,所述晶型C的X射线粉末衍射图谱包括3个或3个以上选自下组的2θ值:7.0±0.2°、7.3±0.2°、7.6±0.2°、8.5±0.2°、12.1±0.2°、13.9±0.2°、14.7±0.2°、17.0±0.2°、18.1±0.2°、18.9±0.2°、20.7±0.2°、21.5±0.2°、22.6±0.2°、22.8±0.2°、24.5±0.2°、25.8±0.2°、26.3±0.2°、26.8±0.2°、27.7±0.2°、28.7±0.2°、29.0±0.2°、30.6±0.2°、30.8±0.2°、31.2±0.2°、35.0±0.2°、36.2±0.2°、38.5±0.2°。在另一优选例中,所述晶型C的X射线粉末衍射图谱包括5个或5个以上选自下组的2θ值:7.0±0.2°、7.3±0.2°、7.6±0.2°、8.5±0.2°、12.1±0.2°、13.9±0.2°、14.7±0.2°、17.0±0.2°、18.1±0.2°、18.9±0.2°、20.7±0.2°、21.5±0.2°、22.6±0.2°、22.8±0.2°、24.5±0.2°、25.8±0.2°、26.3±0.2°、26.8±0.2°、27.7±0.2°、28.7±0.2°、29.0±0.2°、30.6±0.2°、30.8±0.2°、31.2±0.2°、35.0±0.2°、36.2±0.2°、38.5±0.2°。在另一优选例中,所述晶型C的X射线粉末衍射图谱包括10个或10个以上选自下组的2θ值:7.0±0.2°、7.3±0.2°、7.6±0.2°、8.5±0.2°、12.1±0.2°、13.9±0.2°、14.7±0.2°、17.0±0.2°、18.1±0.2°、18.9±0.2°、20.7±0.2°、21.5±0.2°、22.6±0.2°、22.8±0.2°、24.5±0.2°、25.8±0.2°、26.3±0.2°、26.8±0.2°、27.7±0.2°、28.7±0.2°、29.0±0.2°、30.6±0.2°、30.8±0.2°、31.2±0.2°、35.0±0.2°、36.2±0.2°、38.5±0.2°。在另一优选例中,所述晶型C的X射线粉末衍射图谱可进一步包括1个或1个以上选自下组的2θ值:15.5±0.2°、23.5±0.2°、25.1±0.2°、28.1±0.2°、31.5±0.2°、32.6±0.2°、33.5±0.2°、33.9±0.2°、37.2±0.2°、40.0±0.2°、40.5±0.2°、41.6±0.2°、42.1±0.2°、42.8±0.2°、43.8±0.2°、44.5±0.2°。在另一优选例中,所述晶型C的X射线粉末衍射图谱基本如图6所表征。在另一优选例中,所述晶型C的TGA图基本如图8所表征。在另一优选例中,所述晶型C的DSC图在86~103℃范围内具有吸热峰。在另一优选例中,所述晶型C的DSC图基本如图7所表征。在另一优选例中,所述晶型C纯度大于95%。在另一优选例中,所述晶型D的X射线粉末衍射图谱包括3个或3个以上选自下组的2θ值:7.6±0.2°、8.5±0.2°、13.5±0.2°、14.4±0.2°、16.5±0.2°、17.0±0.2°、18.2±0.2°、18.7±0.2°、20.6±0.2°、21.0±0.2°、21.3±0.2°、22.4±0.2°、23.6±0.2°、24.1±0.2°、25.9±0.2°、26.5±0.2°、2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种式I化合物的溶剂化物,

【技术特征摘要】
1.一种式I化合物的溶剂化物,较佳地,所述溶剂化物选自下组:晶型B、晶型C、晶型D、晶型E、晶型F、晶型G、晶型H、晶型I、晶型J、晶型K、晶型L、晶型M。2.如权利要求1所述的溶剂化物,其特征在于,所述溶剂化物为晶型B,所述晶型B具有选自下组的特征:(1)所述晶型B的X射线粉末衍射图谱包括3个或3个以上选自下组的2θ值:7.6±0.2°、8.6±0.2°、14.4±0.2°、16.9±0.2°、18.2±0.2°、18.8±0.2°、20.5±0.2°、21.3±0.2°、22.4±0.2°、22.8±0.2°、24.2±0.2°、26.1±0.2°、26.7±0.2°、28.7±0.2°、30.4±0.2°、30.9±0.2°、36.0±0.2°、38.2±0.2°;和/或(2)所述晶型B的X射线粉末衍射图谱基本如图1所表征;和/或(3)所述晶型B的TGA图基本如图3所表征;和/或(4)所述晶型B的DSC图在62~88℃以及100~125℃范围内具有吸热峰;和/或(5)所述晶型B的DSC图基本如图2所表征;和/或(6)所述晶型B纯度大于95%;和/或所述溶剂化物为晶型C,所述晶型C具有选自下组的特征:(1)所述晶型C的X射线粉末衍射图谱包括3个或3个以上选自下组的2θ值:7.0±0.2°、7.3±0.2°、7.6±0.2°、8.5±0.2°、12.1±0.2°、13.9±0.2°、14.7±0.2°、17.0±0.2°、18.1±0.2°、18.9±0.2°、20.7±0.2°、21.5±0.2°、22.6±0.2°、22.8±0.2°、24.5±0.2°、25.8±0.2°、26.3±0.2°、26.8±0.2°、27.7±0.2°、28.7±0.2°、29.0±0.2°、30.6±0.2°、30.8±0.2°、31.2±0.2°、35.0±0.2°、36.2±0.2°、38.5±0.2°;和/或(2)所述晶型C的X射线粉末衍射图谱基本如图6所表征;和/或(3)所述晶型C的TGA图基本如图8所表征;和/或(4)所述晶型C的DSC图在86~103℃范围内具有吸热峰;和/或(5)所述晶型C的DSC图基本如图7所表征;和/或(6)所述晶型C纯度大于95%;和/或所述溶剂化物为晶型D,所述晶型D具有选自下组的特征:(1)所述晶型D的X射线粉末衍射图谱包括3个或3个以上选自下组的2θ值:7.6±0.2°、8.5±0.2°、13.5±0.2°、14.4±0.2°、16.5±0.2°、17.0±0.2°、18.2±0.2°、18.7±0.2°、20.6±0.2°、21.0±0.2°、21.3±0.2°、22.4±0.2°、23.6±0.2°、24.1±0.2°、25.9±0.2°、26.5±0.2°、28.2±0.2°、28.6±0.2°、28.9±0.2°、30.4±0.2°、30.8±0.2°;和/或(2)所述晶型D的X射线粉末衍射图谱基本如图13所表征;和/或(3)所述晶型D的TGA图基本如图15所表征;和/或(4)所述晶型D的DSC图在57~87℃以及105~144℃范围内具有吸热峰;和/或(5)所述晶型D的DSC图基本如图14所表征;和/或(6)所述晶型D纯度大于95%。3.如权利要求1所述的溶剂化物,其特征在于,所述溶剂化物为晶型E,所述晶型E具有选自下组的特征:(1)所述晶型E的X射线粉末衍射图谱包括3个或3个以上选自下组的2θ值:7.5±0.2°、8.6±0.2°、13.4±0.2°、14.4±0.2°、14.7±0.2°、15.6±0.2°、16.5±0.2°、18.2±0.2°、19.1±0.2°、20.6±0.2°、21.3±0.2°、22.8±0.2°、24.0±0.2°、24.5±0.2°、25.3±0.2°、25.8±0.2°、26.6±0.2°、28.6±0.2°、30.2±0.2°、31.3±0.2°;和/或(2)所述晶型E的X射线粉末衍射图谱基本如图18所表征;和/或(3)所述晶型E的TGA图基本如图20所表征;和/或(4)所述晶型E的DSC图在77~100℃以及106~123℃范围内具有吸热峰;和/或(5)所述晶型E的DSC图基本如图19所表征;和/或(6)所述晶型E纯度大于95%;和/或所述溶剂化物为晶型F,所述晶型F具有选自下组的特征:(1)所述晶型F的X射线粉末衍射图谱包括3个或3个以上选自下组的2θ值:7.1±0.2°、8.5±0.2°、13.7±0.2°、14.5±0.2°、16.9±0.2°、17.5±0.2°、20.1±0.2°、20.6±0.2°、21.2±0.2°、21.7±0.2°、23.2±0.2°、23.6±0.2°、24.6±0.2°、25.1±0.2°、25.8±0.2°、26.9±0.2°、29.1±0.2°、31.4±0.2°;和/或(2)所述晶型F的X射线粉末衍射图谱基本如图23所表征;和/或(3)所述晶型F的TGA图基本如图25所表征;和/或(4)所述晶型F的DSC图在106~129℃范围内具有吸热峰;和/或(5)所述晶型F的DSC图基本如图24所表征;和/或(6)所述晶型F纯度大于95%;和/或所述溶剂化物为晶型G,所述晶型G具有选自下组的特征:(1)所述晶型G的X射线粉末衍射图谱包括3个或3个以上选自下组的2θ值:7.5±0.2°、8.5±0.2°、13.9±0.2°、14.3±0.2°、14.6±0.2°、16.8±0.2°、18.1±0.2°、18.9±0.2°、20.6±0.2°、21.2±0.2°、21.4±0.2°、22.4±0.2°、22.8±0.2°、24.3±0.2°、24.6±0.2°、26.2±0.2°、26.7±0.2°、28.7±0.2°、30.3±0.2°、30.5±0.2°、30.7±0.2°、31.0±0.2°、31.2±0.2°、36.0±0.2°、38.4±0.2°;和/或(2)所述晶型G的X射线粉末衍射图谱基本如图26所表征;和/或(3)所述晶型G的TGA图基本如图28所表征;和/或(4)所述晶型G的DSC图在83~104℃范围内具有吸热峰;和/或(5)所述晶型G的DSC图基本如图27所表征;和/或(6)所述晶型G纯度大于95%。4.如权利要求1所述的溶剂化物,其特征在于,所述溶剂化物为晶型H,所述晶型H具有选自下组的特征:(1)所述晶型H的X射线粉末衍射图谱包括3个或3个以上选自下组的2θ值:7.5±0.2°、8.7±0.2°、13.5±0.2°、14.2±0.2°、14.5±0.2°、15.6±0.2°、18.0±0.2°、19.2±0.2°、20.6±0.2°、21.4±0.2°、22.5±0.2°、23.7±0.2°、24.1±0.2°、25.1±0.2°、25.5±0.2°、26.3±0.2°、26.8±0.2°、28.3±0.2°、28.5±0.2°、30.0±0.2°;和/或(2)所述晶型H的X射线粉末衍射图谱基本如图29所表征;和/或(3)所述晶型H的TGA图基本如图31所表征;和/或(4)所述晶型H的DSC图在62~81℃以及83~122℃范围内具有吸热峰;和/或(5)所述晶型H的DSC图基本如图30所表征;和/或(6)所述晶型H纯度大于95%;和/或所述溶剂化物为晶型I,所述晶型I具有选自下组的特征:(1)所述晶型I的X射线粉末衍射图谱包括3个或3个以上选自下组的2θ值:7.5±0.2°、8.5±0.2°、11.0±0.2°、13.8±0.2°、14.4±0.2°、15.9±0.2°、16.5±0.2°、17.5±0.2°、19.0±0...

【专利技术属性】
技术研发人员:徐晓勇任国宾李忠齐明辉刘鹏建杜丹
申请(专利权)人:华东理工大学
类型:发明
国别省市:上海,31

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