The invention provides a wafer detection method and a wafer detection system for detecting the target defects of a wafer. The wafer detection method includes: optical scanning of the detected wafer to form the original image; removing the interference image in the original image; image enhancement of the original image after removing the interference image to form an enhanced image; and removing the enhanced image. The interference image in the image; the information of the target defect in the enhanced image after removing the interference image is extracted. The wafer detection method can detect the target defect of wafer and realize the method of automatic identification and quantification of the target defect at the same time, so as to get the situation of the wafer defect on the production line timely and effectively, find the abnormal situation of the process or machine at the first time, save the labor cost and reduce the artificial error, and extract the characteristics of the wafer defect. More accurate and efficient.
【技术实现步骤摘要】
晶圆检测方法及晶圆检测系统
本专利技术涉及半导体集成电路制造
,特别涉及一种晶圆检测方法及晶圆检测系统。
技术介绍
随着半导体制造技术的不断成熟发展,图像传感器越来越集中应用于数码相机、PC相机、影像电话、视讯会议、智能型安保系统、汽车倒车雷达、游戏机以及工业医疗等众多领域。图像传感器按照感光元件与感光原理的不同,可分为CCD(ChargeCoupledDevice,电荷耦合元件)图像传感器与CMOS(ComplementaryMetalOxideSemiconductor,互补金属-氧化物-半导体)图像传感器。其中,CMOS图像传感器属于光电元器件且CMOS图像传感器由于其制造方法与现有集成电路制造方法兼容,可以将驱动电路和像素集成在一起,简化了硬件设计的同时也降低了系统的功耗,CMOS图像传感器在采集光信号的同时就可以获取电信号,还能实时处理图像信息,反应速度快;同时CMOS图像传感器还具有价格便宜、带宽较大、防模糊、访问灵活和具有较大的填充系数的优点,逐渐成为图像传感器的主流。一种制造CMOS图像传感器(亦称CIS,CMOSImageSensor)的方法如下:将一面形成有感光区域的器件晶圆(devicewafer)与未制作感光区域的载体晶圆经过磨边和化学机械研磨(CMP)等相关工艺后,通过键合(bond)在一起,之后在键合后的晶圆上形成金属引线、彩色滤光片、微透镜、金属隔离栅等,最终形成完整的CMOS图像传感器。但是,专利技术人发现,利用上述方法在对器件晶圆和底层晶圆进行键合之后,经缺陷扫描系统检测,键合后的晶圆中存在灰边缺陷(chipping ...
【技术保护点】
1.一种晶圆检测方法,用于检测晶圆的目标缺陷,其特征在于,所述晶圆检测方法包括:对待检测晶圆进行光学扫描以形成原始图像;去除所述原始图像中的干扰图像;对去除干扰图像后的所述原始图像进行图像增强以形成增强图像;去除所述增强图像中的干扰图像;提取去除干扰图像后的所述增强图像中的目标缺陷的信息。
【技术特征摘要】
1.一种晶圆检测方法,用于检测晶圆的目标缺陷,其特征在于,所述晶圆检测方法包括:对待检测晶圆进行光学扫描以形成原始图像;去除所述原始图像中的干扰图像;对去除干扰图像后的所述原始图像进行图像增强以形成增强图像;去除所述增强图像中的干扰图像;提取去除干扰图像后的所述增强图像中的目标缺陷的信息。2.如权利要求1所述的晶圆检测方法,其特征在于,所述目标缺陷是灰边缺陷;所述干扰图像包括气泡缺陷以及边缘干扰。3.如权利要求2所述的晶圆检测方法,其特征在于,在去除所述原始图像中的干扰图像之前,所述晶圆检测方法还包括:对所述原始图像进行数据分析。4.如权利要求3所述的晶圆检测方法,其特征在于,对所述原始图像进行数据分析包括:对所述原始图像进行灰度值范围分析;及对所述原始图形进行分布范围分析。5.如权利要求4所述的晶圆检测方法,其特征在于,对所述原始图像进行灰度值范围分析包括:获取所述灰边缺陷的灰度值范围、所述气泡缺陷的灰度值范围、所述边缘干扰的灰度值范围以及所述灰边缺陷、所述气泡缺陷和所述边缘干扰之间的灰度值交集范围。6.如权利要求3所述的晶圆检测方法,其特征在于,对所述原始图形进行分布范围分析包括:获取所述灰边缺陷的分布范围、所述气泡缺陷的分布范围、所述边缘干扰的分布范围以及所述灰边缺陷、所述气泡缺陷和所述边缘干扰之间的分布交集范围。7.如权利要求2所述的晶圆检测方法,其特征在于,对去除干扰图像后的所述原始图像进行图像增强包括:对所述原始图像进行图像二值化、边缘提取以及图像分割。8.如权利要求7所述的晶圆检测方法,其特征在于,对所述原始图像进行图像二值化包括:当所述原始图像上的像素点的灰度值大于等于所述灰边缺陷的灰度值且所述原始图像上的像素点距离圆心的距离大于等于所述灰边缺陷的分布阈值时,对应的像素点灰度...
【专利技术属性】
技术研发人员:罗聪,
申请(专利权)人:武汉新芯集成电路制造有限公司,
类型:发明
国别省市:湖北,42
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