【技术实现步骤摘要】
线距标准样片的定值方法
本专利技术属于半导体
，尤其涉及一种线距标准样片的定值方法。
技术介绍
线宽尺寸是衡量半导体工艺水平的重要参数，在微电子器件制作工艺过程中，线宽的使用非常广泛，并且随着器件特征尺寸的日益缩减，线宽变得越来越窄。目前，微波功率器件中线条宽度水平达到100nm，甚至更小。为了保证微纳米线宽尺寸测量类仪器测量结果的准确，需要使用线距标准样片对仪器进行校准，由于缺少周期小尺寸的线距标准样片，使得微纳米线宽尺寸测量类仪器在纳米尺寸的测量能力无法得到校准。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种线距标准样片的定值方法，以解决现有技术中微纳米线宽尺寸测量类仪器在纳米尺寸的测量能力无法得到校准的问题。本专利技术实施例提供了一种线距标准样片的定值方法，包括：获取测量线距标准样片时由扫描电镜的电子束斑漂移引入的电子束斑漂移不确定度；获取测量所述线距标准样片时由测量标尺标定引入的标定不确定度；根据所述线距标准样片在不同测量位置测量的第一尺寸确定所述线距标准样片的均匀性不确定度；根据所述线距标准样片在同一测量位置不同测量时间测量的第二尺寸确定所述线距...
【技术保护点】
1.一种线距标准样片的定值方法，其特征在于，包括：获取测量线距标准样片时由扫描电镜的电子束斑漂移引入的电子束斑漂移不确定度；获取测量所述线距标准样片时由测量标尺标定引入的标定不确定度；根据所述线距标准样片在不同测量位置测量的第一尺寸确定所述线距标准样片的均匀性不确定度；根据所述线距标准样片在同一测量位置不同测量时间测量的第二尺寸确定所述线距标准样片的稳定性不确定度；根据所述线距标准样片在同一测量位置多次重复测量的第三尺寸确定所述线距标准样片的重复性不确定度；根据所述电子束斑漂移不确定度、所述标定不确定度、所述均匀性不确定度、所述稳定性不确定度和所述重复性测量不确定度确定所述...
【技术特征摘要】
1.一种线距标准样片的定值方法，其特征在于，包括：获取测量线距标准样片时由扫描电镜的电子束斑漂移引入的电子束斑漂移不确定度；获取测量所述线距标准样片时由测量标尺标定引入的标定不确定度；根据所述线距标准样片在不同测量位置测量的第一尺寸确定所述线距标准样片的均匀性不确定度；根据所述线距标准样片在同一测量位置不同测量时间测量的第二尺寸确定所述线距标准样片的稳定性不确定度；根据所述线距标准样片在同一测量位置多次重复测量的第三尺寸确定所述线距标准样片的重复性不确定度；根据所述电子束斑漂移不确定度、所述标定不确定度、所述均匀性不确定度、所述稳定性不确定度和所述重复性测量不确定度确定所述线距标准样片的扩展不确定度。2.如权利要求1所述的线距标准样片的定值方法，其特征在于，还包括：根据所述第三尺寸确定所述线距标准样片的线距尺寸的平均值；根据所述线距尺寸的平均值和所述扩展不确定度确定所述线距标准样片的定值数值。3.如权利要求1所述的线距标准样片的定值方法，其特征在于，所述根据所述线距标准样片在不同测量位置测量的第一尺寸确定所述线距标准样片的均匀性不确定度，包括：在所述线距标准样片中选取M个均匀性考核区域，在每个均匀性考核区域中分别选取N1个测量位置，其中，每个测量位置均包括k1个周期线距结构；分别测量每个均匀性考核区域中每个测量位置的第一尺寸，并确定每个均匀性考核区域中的第一尺寸平均值；根据表达式确定所述线距标准样片的均匀性不确定度u3，其中，Pm为第m个均匀性考核区域的第一尺寸平均值，4.如权利要求1所述的线距标准样片的定值方法，其特征在于，所述根据所述线距标准样片在同一测量位置不同测量时间测量的第二尺寸确定所述线距标准样片的稳定性不确定度，包括：在所述线距标准样片中选取一个稳定性考核区域，在所述稳定性考核区域中选取N2个测量位置，其中，每个测量位置均包括k2个周期线距结构；每隔预设时间测量一次N2个测量位置的第二尺寸，重复测量G次，并确定每次测量的N2个测量位置的第二尺寸平均值；根据表达式确定所述线距标准样片的稳定性不确定度u4，其中，xg为第g次测量的第二尺寸平均值，5.如权利要求1所述的线距标准样片的定值方法，其特征在于，所述根据所述线距标准样片在同一测量位置多次重复测量的第三尺寸确定所述线距标准样片的重复性不确定度，包括：在线距标准样片中选取一个重复性测量位置，其中，每个重复性...
【专利技术属性】
技术研发人员：许晓青，赵琳，李锁印，梁法国，韩志国，冯亚南，张晓东，孙虎，吴爱华，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：河北,13
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