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本发明适用于半导体技术领域，提供了一种线距标准样片的定值方法，该方法包括：获取电子束斑漂移不确定度；获取标定不确定度；确定所述线距标准样片的均匀性不确定度；确定所述线距标准样片的稳定性不确定度；确定所述线距标准样片的重复性不确定度；根据所述...
该专利属于中国电子科技集团公司第十三研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十三研究所授权不得商用。

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