【技术实现步骤摘要】
一种陶瓷管壳结构及其封装结构
本专利属于封装
,具体为一种陶瓷管壳结构及其封装结构。
技术介绍
电荷耦合器件CCD(ChargeCoupledDevice)、APD(AvalanchePhotoelectronDiode)、SDD(SiliconDriftDevice)等探测器,均能通过光电效应的过程,实现对不同光子的探测。不同类型探测器的应用范围不同,但都需要将探测器芯片进行封装,再在驱动电路模块的配合下,实现对光电子的探测。探测器芯片的封装,需要管壳作为载体,对被封装的芯片起到支撑或保护的作用。芯片的管壳封装是不可缺少的重要环节。专利内容基于现有技术存在的问题,本专利提出了一种陶瓷管壳结构及其封装结构,在管壳的正面粘接大芯片,在反面焊接小芯片,通过其中的连通部分,能够通过最短的键合引线将大小芯片进行连接;具体的,本专利的一种陶瓷管壳结构包括陶瓷底座,所述陶瓷底座的上表面中部有第一凹槽,所述陶瓷底座的下表面中部有第二凹槽;在所述第一凹槽与所述第二凹槽之间有部分连通,在第二凹槽上安装有多个焊盘。优选的,所述陶瓷管壳结构的形状包括正N边形、矩形或圆形,N为大于 ...
【技术保护点】
1.一种陶瓷管壳结构,其特征在于,所述陶瓷管壳结构包括陶瓷底座,所述陶瓷底座的上表面中部有第一凹槽,所述陶瓷底座的下表面中部有第二凹槽;所述第一凹槽与所述第二凹槽之间有部分连通,在第二凹槽上安装有多个焊盘。
【技术特征摘要】
1.一种陶瓷管壳结构,其特征在于,所述陶瓷管壳结构包括陶瓷底座,所述陶瓷底座的上表面中部有第一凹槽,所述陶瓷底座的下表面中部有第二凹槽;所述第一凹槽与所述第二凹槽之间有部分连通,在第二凹槽上安装有多个焊盘。2.根据权利要求1所述的一种陶瓷管壳结构,所述陶瓷管壳结构的形状包括正N边形、矩形或圆形。3.根据权利要求1所述的一种陶瓷管壳结构,其特征在于,所述第一凹槽的深度为0.15mm~0.25mm,第二凹槽的深度为1.1mm~1.3mm。4.根据权利要求1所述的一种陶瓷管壳...
【专利技术属性】
技术研发人员:王小东,汪朝敏,陈于伟,
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第四十四研究所,
类型:发明
国别省市:重庆,50
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