The invention discloses a silicon-based waterproof film, its preparation process and microphone encapsulation structure, including the following steps: etching silicon wafers to form silicon wafers with thickness of 100-150 microns; dry etching of the silicon wafers to form multiple holes with diameter of 0.8-1.2 microns, and chemical vapor deposition into SF6 to form a waterproof layer on the silicon wafers. \u3002 The above technical scheme has the following advantages or beneficial effects: multiple holes on the waterproof film are made by semiconductor technology, which reduces the cost of waterproof film production, improves the consistency of the size of holes, and improves the sealing performance of the waterproof film.
【技术实现步骤摘要】
一种硅基防水膜及其制备工艺及麦克风封装结构
本专利技术涉及防水膜
，尤其涉及一种硅基防水膜及其制备工艺及麦克风封装结构。
技术介绍
随着智能电子产品(例如手机、相机、腕式手机等)的发展，人们对于电子产品输出声音的质量以及是否能抵抗环境中水分的影响的要求日益增高，除了希望电子产品能防水外，部分市面上的电子产品更是标榜能达到高等级的防水作为卖点。因此，许多电子产品为了能抵抗环境中水分的影响，除了在设计上必须尽可能地减少接点外，通常会在声孔处通常会增设防水膜。目前，设置在电子产品中的防水膜主要有两种；一种是在电子产品的声孔处贴两面无孔、不透气的压力平衡膜，虽然能使得声孔全封闭，但该种压力平衡膜不耐压，且制作成本高；另一种是在电子产品的声孔处贴织物防水膜，但该织物防水膜表面的孔洞大小无法有效控制，且孔洞无法做的很小，因此无法保持孔洞大小的一致性，防水效果不佳。
技术实现思路
本专利技术针对现有技术的局限性，提供一种硅基防水膜及其制备工艺及麦克风封装结构，旨在降低防水膜的制作成本，提高孔洞大小的一致性，提高防水膜的密封性。上述技术方案具体包括：一种硅基防水膜的制备方法，包...
【技术保护点】
1.一种硅基防水膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、对硅片进行刻蚀形成厚度为100～150μm的硅基片；步骤S2、将所述硅基片进行干法刻蚀形成多个直径为0.8～1.2μm的孔洞，并通入SF6进行化学气相沉积，在所述硅基片上形成一防水层。
【技术特征摘要】
1.一种硅基防水膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、对硅片进行刻蚀形成厚度为100～150μm的硅基片；步骤S2、将所述硅基片进行干法刻蚀形成多个直径为0.8～1.2μm的孔洞，并通入SF6进行化学气相沉积，在所述硅基片上形成一防水层。2.一种硅基防水膜，其特征在于，包括一硅基片，所述硅基片上设有多个直径为0.8～1.2um的孔洞。3.如权利要求2所述的硅基防水膜，其特征在于，所述硅基片上还设置有防水层。4.如权利要求2所述的硅基防水膜，其特征在于，多个所述孔洞通过半导体工艺制成。5.如权利要求3所述的硅基防水膜，其特征在于，所述防水层通过通入SF6气体进行化学气相沉积形成于所述硅基片上。6.一种麦克风封装结构，其特征在于，包括一第一层板及位于所述第一层板上的盖体，所述第一层板上设置一声学感测器，一专用集成电路芯片，所述声学...
【专利技术属性】
技术研发人员：叶菁华，
申请(专利权)人：钰太芯微电子科技上海有限公司，钰太科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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