半导体器件制造技术

技术编号:20246001 阅读:47 留言:0更新日期:2019-01-30 00:27
一种半导体器件包括命令输入电路和内部命令发生电路。命令输入电路与时钟信号同步来产生如果外部命令输入给命令输入电路则被使能的输入命令。内部命令发生电路同步于通过将时钟信号的频率分频而产生的第一分时钟信号和第二分时钟信号、根据等待时间信息信号将输入命令延迟预定时段来产生内部命令。所述预定时段被设置成等于第一延迟量与第二延迟量之和,第一延迟量与第二分时钟信号的周期时间的“N”倍相对应,第二延迟量与时钟信号的周期时间的“M”倍相对应。

semiconductor device

A semiconductor device includes a command input circuit and an internal command generation circuit. The command input circuit synchronizes with the clock signal to generate the enabled input command if the external command is input to the command input circuit. The internal command generation circuit generates internal commands by synchronizing the first and second clock signals generated by frequency division of clock signals and delaying the input commands for a predetermined period of time according to the waiting time information signals. The predetermined period is set equal to the sum of the first delay amount and the second delay amount, the first delay amount corresponds to the \N\ times of the cycle time of the second clock signal, and the second delay amount corresponds to the \M\ times of the cycle time of the clock signal.

【技术实现步骤摘要】
半导体器件相关申请的交叉引用本申请要求2017年7月19日提交的申请号为10-2017-0091396的韩国申请的优先权,其全部内容通过引用合并于此。
本公开的实施例涉及将外部命令延迟等待时间段的半导体器件。
技术介绍
半导体器件可以从外部器件接收命令和数据,以及可以响应于命令而将储存在其中的数据输出。例如,如果控制器施加用于读取操作的命令给诸如动态随机存取存储(DRAM)器件的半导体器件,则半导体器件可以响应于读取命令而将储存在其中的数据输出给控制器。在这种情况下,当读取命令输入给半导体器件时,储存在半导体器件中的数据不能立即输出。这是由布置在半导体器件中的信号传输线的电阻-电容(RC)延迟时间以及一些内部操作(诸如数据的对齐操作)所导致的。为了无误地成功使用半导体器件,可能有必要设置与命令和数据的时序(其被用来执行半导体器件的内部操作)相关的一些参数。例如,可能有必要设置与从命令输入给半导体器件的时间开始直到数据响应于命令而实际储存在半导体器件的存储单元中的时间为止(或者直到储存在半导体器件的存储单元中的数据经由输出焊盘而从半导体器件实际输出的时间为止)的时间段相对应的等待时间。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件,包括:命令输入电路,被配置成与时钟信号同步来产生如果外部命令输入给命令输入电路则被使能的输入命令;以及内部命令发生电路,被配置成同步于通过将时钟信号的频率分频而产生的第一分时钟信号和第二分时钟信号、根据等待时间信息信号将输入命令延迟预定时段来产生内部命令,其中,所述预定时段被设置成等于第一延迟量与第二延迟量之和,第一延迟量与第二分时钟信号的周期时间的“N”倍相对应,第二延迟量与时钟信号的周期时间的“M”倍相对应。

【技术特征摘要】
2017.07.19 KR 10-2017-00913961.一种半导体器件,包括:命令输入电路,被配置成与时钟信号同步来产生如果外部命令输入给命令输入电路则被使能的输入命令;以及内部命令发生电路,被配置成同步于通过将时钟信号的频率分频而产生的第一分时钟信号和第二分时钟信号、根据等待时间信息信号将输入命令延迟预定时段来产生内部命令,其中,所述预定时段被设置成等于第一延迟量与第二延迟量之和,第一延迟量与第二分时钟信号的周期时间的“N”倍相对应,第二延迟量与时钟信号的周期时间的“M”倍相对应。2.如权利要求1所述的半导体器件,其中,第一分时钟信号具有为时钟信号的频率的2N分之一的频率;以及其中,第二分时钟信号具有为第一分时钟信号的频率的2N分之一的频率。3.如权利要求2所述的半导体器件,其中,数量“N”和“M”为自然数。4.如权利要求1所述的半导体器件,其中,等待时间信息信号包括第一组和第二组;其中,等待时间信息信号的第一组为用于设置第二延迟量的信号;以及其中,等待时间信息信号的第二组为用于设置第一延迟量的信号。5.如权利要求1所述的半导体器件,其中,内部命令发生电路包括:选择命令发生电路,被配置成同步于第一分时钟信号和第二分时钟信号而根据等待时间信息信号将输入命令延迟所述预定时段来产生多个选择命令;以及选择/传输电路,被配置成检测外部命令输入的时间,以及被配置成根据检测结果来将所述多个选择命令中的任意一个输出而作为内部命令。6.如权利要求5所述的半导体器件,其中,选择命令发生电路包括:控制信号发生电路,被配置成将等待时间信息信号解码来产生多个控制信号,所述多个控制信号之一被选择性地使能;偏移电路,被配置成响应于所述多个控制信号而将输入命令延迟第一延迟量来产生第一偏移命令;脉冲宽度控制电路,被配置成同步于时钟信号、第一分时钟信号和第二分时钟信号来控制第一偏移命令的脉冲宽度以产生第二偏移命令;以及选择命令输出电路,被配置成响应于从等待时间信息信号产生的使能信号而将第二偏移命令延迟第二延迟量来输出延迟的第二偏移命令作为所述多个选择命令中的任意一个。7.如权利要求6所述的半导体器件,其中,所述多个控制信号包括第一控制信号、第二控制信号和第三控制信号;以及其中,偏移电路包括:第一延迟电路,被配置成响应于第一控制信号而将输入命令延迟第二分时钟信号的一个周期时间来产生第一延迟命令;第二延迟电路,被配置成响应于第二控制信号而将输入命令或第一延迟命令延迟第二分时钟信号的一个周期时间来产生第二延迟命令;以及第三延迟电路,被配置成响应于第三控制信号而将输入命令或第二延迟命令延迟第二分时钟信号的一个周期时间来产生第一偏移命令。8.如权利要求6所述的半导体器件,其中,使能信号包括第一使能信号至第四使能信号;其中,所述多个选择命令包括第一选择命令至第四选择命令;以及其中,选择命令输出电路包括:第一输出电路,被配置成响应于第一使能信号而与时钟信号同步来输出第二偏移命令作为第一选择命令;第二输出电路,被配置成响应于第二使能信号而与时钟信号同步来输出第一选择命令作为第二选择命令;第三输出电路,被配置成响应于第三使能信号而与时钟信号同步来输出第二选择命令作为第三选择命令;以及第四输出电路,被配置成响应于第四使能信号而与时钟信号同步来输出第三选择命令作为第四选择命令。9.如权利要求5所述的半导体器件,其中,选择/传输电路包括:比较电路,被配置成根据外部命令输入的时间来从等待时间信息信号减去相位信号来产生多个使能信号,相位信号从第一分时钟信号和第二分时钟信号来产生;以及内部命令输出电路,被配置成响应于所述多个使能信号而将所述多个选择命令中的任意一个输出而作为内部命令。10.如权利要求9所述的半导体器件,其中,比较电路包括:相位差信号发生电路,被配置成产生相位信号的互补信号,以及被配置成将相位信号的互补信号加到等待时间信息信号来产生相位差信号;以及解码器,被配置成将相位差信号解码来产生所述多个使能信号。11.如权利要求10所述的半导体器件,其中,相位差信号发生电路包括:缓冲器,被配置成将相位信号反相来产生反相相位信号;第一逻辑电路,被配置成将二进制数字“1”加到反相相位信号来产生求和信号;以及第二逻辑电路,被配置成将求和信号加到等待时间信息信号来产生相位差信号。12.如权利要求9所述的半导体器件,其中,比较电路包括:相位差信号发生电路,被配置成产生等待时间信息信号的互补信号,以及被配置成将等待时间信息信号的互补信号加到相位信号来产生相位差信号;以及解码器,被配置成将相位差信号解码来产生所述多个使能信号。13.如权利要求12所述的半导体器件,其中,相位差信号发生电路包括:缓冲器,被配置成将等待时间信息信号反相来...

【专利技术属性】
技术研发人员:金昌铉
申请(专利权)人:爱思开海力士有限公司
类型:发明
国别省市:韩国,KR

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